vasp经验总结

vasp计算总结加U（LMCO为例）LDAU=.TRUE.LDAUTYPE=2LDAUL=-122-1LDAUU=05.540LDAUJ=01.510#Thesimplified(rotationallyinvariant)approachtotheLSDA+U#specifiesthel-quantumnumberforwhichtheon-siteinteractionisadded(-1=noon-sitetermsadded,1=p,2=d,3=f,Default:LDAUL=2)#specifiestheeffectiveon-siteCoulombinteractionparameters#specifiestheeffectiveon-siteExchangeinteractionparameters.ISTART=1ICHARG=11ISMEAR=-5LORBIT=11用VASP计算DOS准备好KPOINTS文件，增加k点网格将上一步自洽计算得到的CHG、CHGCAR拷贝至同一目录下用VASP计算能带ISTART=1ICHARG=11NBANDS一般可以用默认，有时候可以适当增加ISMARE=-5不可用。半导体或绝缘体用0，金属用1NAME20Line-modeRec0.00.00.00.00.50.00.00.50.00.50.50.00.50.50.00.50.50.50.50.50.50.00.00.0简立方的高对称点能带处理：程序band.cpp，g++编译，得到可执行文件a.outvasp计算得到EIGENVAL,删除前七行grep-vEEIGENVALband.in./a.out运行，得到bnd000.datbnd000.dat文件的第一列数据是k点距离的绝对值，第二列数据是以Ferimlevel为参考的本征值。简立方的高对称点6060110.1158924E+020.5522500E-090.2280000E-080.5522500E-090.5000000E-151.000000000000000E-004CARYFTO492323000.3742002E-150.1262379E-140.3742002E-150.1388889E-011-46.5116822-46.5112803-46.4511764-46.4492735-46.1994556-46.197355第8行的前三个数是k点的坐标，第四个数是相应k点的权重。第一行，前三个整数无意义，第四个整数，如果是2,表示是自旋极化的计算，如果是1,表示非自旋极化的计算。第2至5行的数据含义不大明确，可以不管它。第6行的数据表示：第一个数表示体系总的价电子数目，第二个数表示的计算能带时总的k点数目，第三个数表示的是计算能带时计算了多少条能带。第9行给出的是该k点对应的本征值的序号(即第几条能带)，及相应的本征值。能量本征值文件EIGENVALPOSCAR.shchmod+xPOSCAR.sh改为可执行文件./POSCAR.sh运行#!/bin/shrmWAVECARforiin7.67.77.87.98.08.18.28.38.48.58.6（改为要计算的值）docatPOSCAR!(POSCAR文件，要计算的量改为$i)!echo$i;mpirun-np10vaspdisplay.logE=`grepTOTENOUTCAR|tail-1|awk'{printf%12.6f\n,$5}'`mvdisplay.logdisplay.log-$imvOUTCAROUTCAR-$imvDOSCARDOSCAR-$iecho$i$Ecommentdone找最低能量的晶格参数CVASP中，用BerryPhase的方法计算极化值INCAR中要添加的参数：LCALCPOL=.TRUE.打开计算Berry的开关EDIFF=1E-6精度DIPOL=0.40.40.4选取参考点，任意选的，但是不要和离子重合首先，判断一个体系是否有可能存在极化1.看晶胞所属的群是否是极化群，磁性有影响时要考虑进去。MS查看对称性，找到所对应的群。找到对应的点群铁电体物理，钟维烈著，P651。附录一，30个晶体点群。10个极性点群是非常有可能产生极化的，11个非极性中兴对称群是可能有极化的，11个中心对称点群是没有极化的。点电荷估计：晶格某一方向所有原子坐标*离子价态相加，与优化后相加得到的值对比。Spinorbitalcoupling(SOC)的计算（LMCO为例）ISTART=1要读取WAVCARICHARG=1最好选取1而不用11，对结果影响是比较大的LSORBIT=.TRUE.LMAXMIX=6计算soc的时候一定要有此参数，d电子4，f电子6MAGMOM=6*000400400400-400-400-400300300300300-300-300-300-372*0SAXIS=111磁矩的方向(见vasp手册，有两种设置方法)NBANDS=408能带数是线性计算的二倍ISYM=0计算soc最好去掉对称性GGA_COMPAT=.FALSE.把线性计算的IBZKPT文件产生的K点copy成KPONITS文件，作为soc计算的输入文件VASP难收敛的问题于一些磁性体系、镧系和锕系元素及相关化合物的静态计算（电子迭代），经常会遇到“难收敛”的问题。1、LMAXMIXDefault:LMAXMIX=2AnadditionalflagcontrolsuptowhichlquantumnumbertheonsitePAWchargedensitiesarepassedthroughthechargedensitymixer.Higherl-quantumnumbersareusuallynothandledbythemixer.Inordertoobtainfastconvergencetothegroundstate,youcantrythefollowingsetting:LMAXMIX=4fordelementsLMAXMIX=6forfelements这个FLAG对于含d电子和f电子的体系是非常重要的，很大一部分体系的收敛问题可以通过设置合适的LMAXMIX值来解决。2、ALGO,IALGO,LDIAGIftheself-consistencyloopdoesnotconvergewithin40steps,itwillprobablynotconvergeatall.InthiscaseyoushouldreconsiderthetagsIALGO,LDIAG,andthemixing-parameters.一般情况下，或使用IALGO=48时遇到收敛问题的话，可以考虑设IALGO为38，或设置ALGO=NormalorFast(inVASP.4.5andlaterversions)。DefaultALGO=Normal3、NELMDLNELMDLgivesthenumberofnon-selfconsistentstepsatthebeginningInsomecases(forinstanceMD’s,orionicrelaxation)youmightsetNELMINtoalargervalue(4to8)4、mixing-parameters尽管VASP说明书中给出了调节AMIX和BMIX的一些较为明确的建议，但是实际去调节的时候，还是挺难的，但原则上说，是可以通过调节这两个Flag来使得收敛问题得以解决的，只是得有耐心。收敛问题还跟kmesh及SIGMA(当使用ISMEAR不等于-5和-4时)的设置有关。要达到同样的精度，较小的SIGMA则需要较大的kmesh；而且，当SIGMA较小时，若kpoints不够多，也会出现难收敛的情况。NELM=40#maximumof40electronicsteps5、kmesh,SIGMAGGA=PS(选用的赝势文件为PBBEsol,=PE为PBE的方法)LHFCALC=.True.PRECFOCK=Normal#NKRED=2(设置此参数容易报错，不知为何)TIME=0.4HFSCREEN=0.2AEXX=0.25#theexactexchangeisusedNPAR=16(使用核数为4,16,64此种)ALGO=ALL杂化泛函的计算--HFFunctional一般来说，现在都用新方法来计算极化，因为用起来方便。老方法的话还要把三个方向分来来计算，等于要跑三个任务，相对复杂，但是准确性可能好一些。LBERRY=.TRUE.IGPAR=3#1,2,3对应x,y,z方向NPPSTR=7DIPOL=0.50.50.5EDIFF=1E-5BerryPhase计算极化，老方法设置在计算离子的dipole时的参考点即设置DIPOL（注意的是，它的设置需要使得原子移动前后的原子都在这个参考点的一侧。比如这个例子中Al处于(0,0,0)，As处于(0.25,0.25,0.25)位置，而将DIPOL设置为(0.5,0.5,0.5)和(0.125,0.125,0.125)都是可以的，但是在考虑移动Al原子时，不要将原子移动原胞之外即偏移量为负数；另外也不要将DIPOL设置在所要移动的原子上，如果是这样的话，则会导致移动该原子后，该原子不在DIPOL的同一侧，使得原子移动之后的极化的Berry-phase项要比平衡态时的大很多。）要注意的就是DIPOL的设置，以及原子移动的选取：不要将DIPOL设置在某个原子位置上，原子移动的选取要保证原子在移动前后都是DIPOL的同一侧BP计算极化过程中，Dipole设置问题此段从别处复制的，侵删加真空-用MS1.Build-surface-Cleavesurface(001)指沿c方向加真空层，要是在其他方向上加对应修改一下就可点击Cleave就行2.Build-Crystal-BuildVacuumSlabVacuumthickness就是真空层的厚度点击Build即可最后可以将.cif的文件放到vesta里面。导出.vasp的文件，就能放到vasp中运算了Partialchargedensity（PCD）计算-VASP定义：Partialchargedensity计算或称为Banddecomposedchargedensity计算，即计算特定的某个(或某些)k点和本征值(这些k点和本征值是相互对应的)所对应的本征波函数的平方(也就是电荷密度)。默认值是.FALSE.，当为.TRUE.时，表示读入自洽收敛的CHGCAR和WAVECAR对应第几条能带，它和EINT不能一起用。指定所要计算的k点按每个带分开写按每个K点分开写第一种PartialCharge分析的INCARISTART=1ICHARG=1LPARD=.TRUE.IBAND=20212223KPUSE=1234LSEPB=.TRUE.LSEPK=.TRUE.这样的INCAR给出的是指定能带，指定K点所对应的PartialCharge。分析导带、价带等的PartialCharge特性，通常采用的都是这种模式。第二种PartialCharge分析的INCAR这样的INCAR给出的是在[-10.3-5.1]能量之间的PartialCharge。这种模式适合于分析某个能量区间内的波函数的性质。ISTART=1ICHARG=1LPARD=.TRUE.NBMOD=-2EINT=-10.3-5.1LSEPB=.FALSE.LSEPK=.FALSE.0表示计算全部，-2表示计算某一能量区间能量区间Partialchargedensity（PCD）计算-VASP第三种