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三极管常见形式及以往不良1、社内常见形式②引脚插入式封装形式是THM(ThroughHoleMount）①表面贴装元件封装形式是SMD(SurfaceMountedDevices）2、基本构造引脚（铜合金）引线（金）本体（环氧树脂）硅片引线（金）引脚成分（锡\银\铜）母材（铁镍合金）表面处理：铜）硅片本体（环氧树脂）【三极管常见形式及以往不良】1/7①内部击穿3、以往不良情况三极管失效形式①内部击穿②外观破损引起的内部断路通过三极管的电压应为0.7V左右，实际已经超出3倍，说明已经击穿。测试内容ICT测试基准ICT首次测试FCT:NGICT再次测试B-E（V）0.7±30%0.742.02B-C（V）0.7±30%0.752.02C-E（V）0.26V以下0.040.49ICT判定OKNGa室外板上的出现三极管内部击穿不良。ICTFCTOKNGNG【三极管常见形式及以往不良】2/7放大区截止区饱和区ECB例举：NPN型发射极基极集电极PNNBCE第一步检测UBC和UBE确认PN结正向导通电压第二步检测UCE确认饱和状态下的电压值要接近于0V,远小于0.2V步骤项目名称标准期望值上限下限模式类型高点低点位置隔离点StepPartNameBOM-VExpect-VHLim%LLim%MTypeHiNLoNDIYG11Q-BC0.7V0.7V30300Q12002Q-BE0.7V0.7V30300Q13003Q-CEB1.5V0.2V30-14Q2301如何判断三极管好坏硅：0.7V锗：0.2V①内部击穿内部击穿是指三极管的PN结不能产生压降限制电流的现象，电阻为0Ω或断开。【三极管常见形式及以往不良】3/7G1HI-PLO-PCEB截止区基极无电流UCER=∞I=0放大区IB越大，RCE越小，ICE越大IB越小，RCE越大，ICE越小VC＞VB＞VEG1HI-PLO-PCEB有电流反向电压截止区：发射结反偏，集电结反偏UBE＜0.7VUBE＞0.7V放大区：发射结正偏，集电结反偏UC＞UE＞UBUBC＜0.7V【三极管常见形式及以往不良】4/7ICT治具部分下针点三极管①VBC②VBE③VCEG1HI-PLO-Pamp：电流放大器ADC：模数转换器，作用是将模拟量转换为数字量，用于采集模拟信号，同时转换为单片机识别的数值DAC：数模转化器，将数字转换为模拟信号UBC与VBE同时达到0.7V导通后（饱和），可测取VCE电压值CEB饱和区饱和区：发射结正偏，集电结正偏UBE＞UCEUBE＞0.7VUBC＞0.7V【三极管常见形式及以往不良】5/7③元件受外力破损ε室内板上的三极管外部树脂曾出现裂纹，造成元件失效。三极管的环氧树脂有哪些优缺点？Q601元件开裂环氧树脂耐化学药剂耐热电气绝缘性能良好收缩率小耐候性差抗冲击强度低，质地脆优点缺点【三极管常见形式及以往不良】6/7元件外表耐外力的试验测针推力计10.311.510.213.212.510.810.612.412.910.9024681012141612345678910N台数三极管环氧树脂耐受强度破裂值三极管试验确认结果：三级管外部的环氧树脂很脆弱，受10N左右的压力时发生碎裂。试验前试验品1试验品2树脂开裂树脂开裂【三极管常见形式及以往不良】7/7