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集成10半导体制造工艺1硅PNP双极型晶体管PNPBipolarJunctionTransistors小组成员李钊戴金锐王伟利集成10半导体制造工艺2目录（1）器件的应用（2）器件的结构及名称（3）器件的制作工艺（4）器件的发展历程（5）双极型器件的扩展集成10半导体制造工艺3一、器件的应用双极性晶体管能够放大信号,提供较高的跨导和输出电阻，并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力，所以它常被用来构成放大器电路，或驱动扬声器、电动机等设备，并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。并且可以将它控制在截止和饱和状态下用作开关器件。集成10半导体制造工艺4二、器件的结构图集成10半导体制造工艺5平衡条件下的PNP三极管的示意图集成10半导体制造工艺6三极管俯视图EBC三极管剖面图EBCC：collector集电区B：base基区E：emitter发射区集成10半导体制造工艺7三、器件的制作工艺集成10半导体制造工艺8集成10半导体制造工艺9集成10半导体制造工艺10集成10半导体制造工艺11集成10半导体制造工艺12集成10半导体制造工艺13集成10半导体制造工艺14集成10半导体制造工艺15集成10半导体制造工艺16集成10半导体制造工艺17集成10半导体制造工艺18集成10半导体制造工艺19集成10半导体制造工艺20集成10半导体制造工艺21集成10半导体制造工艺22四.双极结型晶体管的发展历史•1947.12.23日第一只点接触晶体管诞生-BellLab.(Bardeen、Shockley、Brattain)•1949年提出PN结和双极结型晶体管理论-BellLab.(Shockley)•1951年制造出第一只锗结型晶体管-BellLab.(Shockley)•1956年制造出第一只硅结型晶体管-美德州仪器公司（TI）•1956年Bardeen、Shockley、Brattain获诺贝尔奖•1956年中国制造出第一只锗结型晶体管-（吉林大学高鼎三）•1970年硅平面工艺成熟，双极结型晶体管大批量生产集成10半导体制造工艺23在图中的异质结双极性晶体管中，基极区域的能隙分布不均匀有利于少数载流子（电子）通过基极区域。图中浅蓝色表示耗尽层。五.双极型器件的扩展——异质结双极性晶体管集成10半导体制造工艺24•异质结双极性晶体管（heterojunctionbipolartransistor）是一种改良的双极性晶体管，它具有高速工作的能力。研究发现，这种晶体管可以处理频率高达几百GHz的超高频信号，因此它适用于射频功率放大、激光驱动等对工作速度要求苛刻的应用。•异质结是PN结的一种，这种结的两端由不同的半导体材料制成。在这种双极性晶体管中，发射结通常采用异质结结构，即发射极区域采用宽禁带材料，基极区域采用窄禁带材料。常见的异质结用砷化镓（GaAs）制造基极区域，用铝-镓-砷固溶体（AlxGa1-xAs）制造发射极区域。[1]:101采用这样的异质结，双极性晶体管的注入效率可以得到提升，电流增益也可以提高几个数量级。集成10半导体制造工艺25