ICT测试程式标准

辉创电子科技(苏州)有限公司程序文件ICT测试程式标准版别:1.0Instruction页次:1/6．目录．文件修订履历表................................................................21.目的....................................................................................................32.适用范围............................................................................................33.权责....................................................................................................34.相关参考文件....................................................................................35.名词定义............................................................................................36．标准.....................................................................................................3辉创电子科技(苏州)有限公司程序文件ICT测试程式标准版别:1.0Instruction页次:2/6文件修订履历表序号版次文件编号制／修订内容说明制/修订日期作成审查核准11.0首次设定2012.02.15林凡义辉创电子科技(苏州)有限公司程序文件ICT测试程式标准版别:1.0Instruction页次:3/61.目的1.1为使本公司ICT测试程式标准化，统一化，特订定本标准。2.适用范围2.1凡使用于本公司ICT测试程式均适用之。3.权责3.1制作单位：ICT治具厂商3.2维护单位：ICT工程师3.3使用单位：ICT测试员4.相关参考文件无5.名词定义无6.标准6.1测试参数6.1.1程序命名方式板号+小管号.6.1.2自动存盘功能设定10片.6.1.3重测次数设为3次.6.1.4Firstpin为1,Lastpin设定为SWB(256)的整数倍并大于下针盘的最后一针点数.6.1.5OPS档设定原则为2(155585),“短路RawTest-1”字段打勾,但可视情况调整.6.1.6测试不良报表打印最大行数设为20,打印方式为按F12打印6.2Open/ShortLearning6.2.1若GND与VCC为同一个ShortGroup时,在MDA程序加阻抗测试,期望阻值依机板阻值而订,误差范围-1%,-10%;一般使用MODE2,GNDpin一般置于Hi-pin,VCCpin一般置于Low-pin.6.3测试数据编辑6.3.1程序需对照BOM表确认是否有漏(错)KEY或SKIP错误之现象6.3.2确认不良零件区块(横行/纵行)之设定是否与点图相符.辉创电子科技(苏州)有限公司程序文件ICT测试程式标准版别:1.0Instruction页次:4/66.3.3BoardView显示零件面并调整与M/B方向一致6.3.4零件SKIP时,需注明原因,/NC;/NP;/C;/R;/Q;/BP;/M;等6.3.5所有零件按照J→R→C→X→L→F→D→Q→U排序6.3.6零件位置上已layout短路线,若BOM无零件,则不外加测试(零件名称前不加J)6.3.7电阻A.按照零件值排序(零件名称前不加J)B.电阻值0Ω~10Ω(不包含10Ω)使用Jump方式测试C.电阻在10Ω~1KΩ(不包含1KΩ)误差范围+40%,-40%D.排阻的阻抗低于1KΩ(不包含1KΩ)误差范围+40%,-20%E.电阻值≧1KΩ误差范围+10%,-10%F.当电阻并联D,Q,IC时,必须使用MODE1或MODE2G.电阻值≧1MΩ时,一般使用MODE2误差范围+40%-60%H.热敏电阻，一般使用MODE1，误差范围+40%-90%I.蜂鸣器(BUZZER)以阻抗方式测试,期望值42Ω,误差范围+40%,-40%6.3.8电容A.按照零件值排序B.电容值33P时,全部SKIP,并注明/BP(example:C315/BP)C.容值≦2000P时,需将此VCC或GND至于Hi-Pin,且需用MODE2,不加隔离点D.40uF(含)以上之电解电容,一般使用MODE8测试E.电容1uF与0.1uF误差范围+80%-60%F.电容1uF与0.1uF有并联情况时,误差范围+80%-60%G.电容2.2uF&0.01uF之间的其它电容,误差范围+80%-60%H.电解电容(CE)若有并联(CE),误差范围+30%-10%,开启一个STEP即可I.电解电容(CE)若无并联(CE),误差范围+30%-30%J.其它电容误差范围+80%-60%K.小电容并联大电容时,小电容之测试STEP要SkipL.当SMT电容与DIP电容有并联时,合理优化下限以提高程辉创电子科技(苏州)有限公司程序文件ICT测试程式标准版别:1.0Instruction页次:5/6序对零件缺件的可卡性.6.3.9震荡器A.震荡器使用电容方式测试6.3.10电感A.电感使用Jump方式测试,MODE0,Delay306.3.11二极管A.二极管,误差范围+30%-30%,一般使用MODE1,当量测值小于0.3V时须加Delay30B.二极管需加测一反向STEP,标准值及实际值设1.5V,误差范围–1–50%,MODE1C.ZD加测反向崩溃电压(约3.9V以上),误差范围+50%-30%,MODE1,Delay30D.LED参数为Act/Std=2.3V,误差范围+30%-30%,Mode=1,Delay=306.3.12晶体管A.一般晶体管(NPN型),使用电压测试Step1(B→C)Act/Std=0.7V,误差范围+50%-50%,Type=QMODE=1B.一般晶体管(NPN型),使用电压测试Step2(B→E)Act/Std=0.7V,误差范围+50%-50%,Type=QMODE=1C.一般晶体管(NPN型),使用电压测试Step3(C→E→B)Act=5V,Std=0.3V,误差范围+30%-1%,隔离点=B,MODE=4D.一般晶体管(PNP型),使用电压测试Step1(C→B)Act/Std=0.7V,误差范围+50%-50%,Type=QMODE=1E.一般晶体管(PNP型),使用电压测试Step2(E→B)Act/Std=0.7V,误差范围+50%-50%,Type=QMODE=1F.一般晶体管(PNP型),使用电压测试Step3(E→C→B)Act=5V,Std=0.3V,误差范围+30%-1%,隔离点=B,MODE=3G.NMOS-FET电压测试Step1(S→D)Act/Std=0.7V,误差范围辉创电子科技(苏州)有限公司程序文件ICT测试程式标准版别:1.0Instruction页次:6/6+30%-30%MODE=1H.NMOS-FET电压测试Step2(S→D→G)Act=5V,Std=0.3V,误差范围+30%-1%Delay=50MODE=4隔离点=GI.NMOS-FET电压测试Step2(S→D→G)若并联Diode时,误差改为+15%-1%J.PMOS-FET电压测试Step1(D→S)Act/Std=0.7V,误差范围+30%-30%MODE=1K.PMOS-FET电压测试Step2(D→S→G)Act=5V,Std=0.3V,误差范围+30%-1%Delay=50MODE=3隔离点=GL.PMOS-FET电压测试Step2(D→S)若并联Diode时,误差改为+15%-1%M.ALLMOS-FET于STEP后加入N型orP型Example:Q12-2-3(N)大(中)型MOSFET加测一个电容STEPG-S脚(1-2)orG-D脚(1-3),标准值设定值为3000PF,用MODE2测试,误差范围-1–30%,RepeatD(Hilowpin不可change)6.3.12ICClampingDiodeA.ICClampingDiodeMODE=2,误差范围+30%-30%,需LearningVCCorGNDB.IC测试之电压脚位优先选择顺序为+3V→+5V→+12V