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2020/5/251SG3525芯片原理分析任亮亮SX1303113SG3525是美国硅通用半导体公司（SiliconGeneral）推出用于驱动N沟道功率MOSFET的控制芯片。•工作电压8V-35V;•内部精度为±1%的5.1V基准稳压电源;•振荡器，频率范围100HZ-400KHZ;•死区时间可以控制;•PWM琐存器使关断电路更可靠的工作;•欠压锁定;•软启动;•推挽输出电路，灌电流/拉电流能力超过200mA;2020/5/2523525的总体介绍3525内部框图2020/5/2535.1V基准电源欠压锁定振荡器+-RSQT≥1≥150μA5.1V15164367912810131114125VrefVs振荡器输出同步CTRT补偿同向输入反向输入软启动关闭CPGND__QQVCCOutputAOutputB放电SVcPWMCLKVaVb+--2020/5/2543525内部框图介绍误差放大器振荡器模块PWM信号产生及分相电路输出驱动基准电源模块软启动保护•基准电压源是一个三端稳压电路，其输入电压VCC可在（8～35）V内变化，通常采用+15V，其输出电压VST＝5.1V，精度±1%，采用温度补偿，作为芯片内部电路的电源，也可为芯片外围电路提供标准电源，向外输出电流可达400mA，设有过流保护电路。•误差放大器由两级差分放大器构成，电压反馈信号从端子1接至放大器反相输入端，放大器同相输入端接基准电压。在引脚9与引脚2之间接入不同类型的反馈网络，可以构成比例、比例积分和积分等类型调节器。该误差放大器共模输入电压范围是1.5V-5.2V。•通常8脚接一个电容，上电过程中，由于电容两端的电压不能突变，因此与软启动电容接入端相连的PWM比较器反向输入端处于低电平，PWM比较器输出高电平。此时，PWM琐存器的输出也为高电平，该高电平通过两个或非门加到输出晶体管上，使之无法导通。只有软启动电容充电至其上的电压使引脚8处于高电平时，SG3525才开始工作。•当Shutdown（引脚10）上的信号为高电平时，PWM琐存器将立即动作，禁止SG3525的输出，同时，软启动电容将开始放电。如果该高电平持续，软启动电容将充分放电，直到关断信号结束，才重新进入软启动过程。欠电压锁定功能同样作用于输出级和软启动电路。2020/5/255模块工作原理振荡器的双门限电压均从基准电源取得，其高门限电压𝑉𝐻=3.9V，低门限电压𝑉𝐿=0.9，内部恒流源向𝐶𝑇充电，其端压𝑉𝐶线性上升，构成锯齿波的上升沿，当𝑉𝐶=𝑉𝐻时比较器动作，充电过程结束，上升时间t1为：𝑡1=0.67𝑅𝑇𝐶𝑇比较器动作时使放电电路接通，𝐶𝑇放电，𝑉𝐶下降并形成锯齿波的下降沿，当𝑉𝐶=𝑉𝐿时比较器动作，放电过程结束，完成一个工作循环，下降时间间t2为：𝑡2=1.3𝑅𝐷𝐶𝑇此段时间就是死区时间。锯齿波的基本周期T为:𝑇=𝑡1+𝑡2=0.67𝑅𝑇+1.3𝑅𝐷𝐶𝑇因为𝑅𝐷𝑅𝑇⇒𝑡2𝑡1,所以锯齿波的上升沿远长于下降沿。2020/5/256振荡电路•振荡器输出经过T触发器后输出为频率减半的互补方波，这些方波和PWM信号输入到或非门逻辑电路，当所有的输入为负时，输出为正。这样两个输出每半周期交替为正，其宽度和PWM信号的负脉冲相等。脉冲很窄的时钟信号输入到逻辑或非门电路，可使两个门的输出同时有一段低电平，以产生死区时间。2020/5/257芯片工作过程•输出末级采用推挽输出电路，驱动场效应功率管时关断速度更快.11脚和14脚相位相差180度，拉电流和灌电流峰值达200mA。2020/5/258输出级电路•当多个3525需要同步的时候，可将主片的4脚输出信号连到从片的3脚。其同步要求是外来的脉冲信号的频率略大于自身的RC振荡频率。2020/5/259如何同步•当输出晶体管开通时，R1上会有电流流过，R1上的压降将使VT1导通。因此VT1是在SG3525内部的输出晶体管导通时间内导通的，因此其开关频率等于SG3525内部振荡器的频率。2020/5/2510单端变换器输出如图VT1和VT2分别由SG3525的输出端A和输出端B输出的正向驱动电流驱动。电阻R2和R3是限流电阻，是为了防止注入VT1和VT2的正向基极电流超出控制器所允许的输出电流。C1和C2是加速电容，起到加速VT1和VT2关断的作用。2020/5/2511推挽式输出•由于SG3525的输出驱动电路是低阻抗的，而功率MOSFET的输入阻抗很高，因此输出端A和输出端B与VT1和VT2栅极之间无须串接限流电阻和加速电容，就可以直接推动功率MOSFET。2020/5/2512驱动功率MOSFET•SG3525还能够直接驱动半桥变换器中的小功率变压器。如果变压器一次绕组的两端分别直接接到SG3525的两个输出端上，则在死区时间内可以实现变压器的自动复位。2020/5/2513直接驱动小功率变压器2020/5/2514谢谢!