1、选择正确答案填入空内。当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏解:B2、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示,其集电极最大耗散功率PCM=200mW,试画出它的过损耗区。图T1.5解图T1.5解:根据PCM=200mW可得:UCE=40V时IC=5mA,UCE=30V时IC≈6.67mA,UCE=20V时IC=10mA,UCE=10V时IC=20mA,将各点连接成曲线,即为临界过损耗线,如解图T1.5所示。临界过损耗线的左边为过损耗区。3、电路如图T1.6所示,VCC=15V,β=100,UBE=0.7V。试问:(1)Rb=50kΩ时,uO=?(2)若T临界饱和,则Rb≈?解:(1)Rb=50kΩ时,基极电流、集电极电流和管压降分别为26bBEBBBRUVIμAV2mA6.2CCCCCEBCRIVUII所以输出电压UO=UCE=2V。图T1.6(2)设临界饱和时UCES=UBE=0.7V,所以k4.45A6.28mA86.2BBEBBbCBcCESCCCIUVRIIRUVI4.选择合适答案填入空内。工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β约为。A.83B.91C.100解:C5.在温度20℃时某晶体管的ICBO=2μA,试问温度是60℃时ICBO≈?解:60℃时ICBO≈5C20CBO)=(TI=32μA。6.有两只晶体管,一只的β=200,ICEO=200μA;另一只的β=100,ICEO=10μA,其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子?为什么?解:选用β=100、ICBO=10μA的管子,因其β适中、ICEO较小,因而温度稳定性较另一只管子好。7.已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图P1.14所示。分别求另一电极的电流,标出其实际方向,并在圆圈中画出管子。图P1.14解:答案如解图P1.14所示。解图P1.148.测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.15所示。在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。图P1.15解:晶体管三个极分别为上、中、下管脚,答案如解表P1.15所示。解表P1.15管号T1T2T3T4T5T6上ecebcb中bbbeee下ceccbc管型PNPNPNNPNPNPPNPNPN材料SiSiSiGeGeGe9.电路如图P1.16所示,晶体管导通时UBE=0.7V,β=50。试分析VBB为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值。解:(1)当VBB=0时,T截止,uO=12V。(2)当VBB=1V时,因为60bBEQBBBQRUVIμAV9mA3CCQCCOBQCQRIVuII所以T处于放大状态。(3)当VBB=3V时,因为160bBEQBBBQRUVIμA图P1.16BECCQOBQCQmA8URIVuIICC<所以T处于饱和状态。10.电路如图P1.17所示,试问β大于多少时晶体管饱和?解:取UCES=UBE,若管子饱和,则CbCBECCbBECCRRRUVRUV所以,100CbRR时,管子饱和。图P1.1711.电路如图P1.18所示,晶体管的β=50,|UBE|=0.2V,饱和管压降|UCES|=0.1V;稳压管的稳定电压UZ=5V,正向导通电压UD=0.5V。试问:当uI=0V时uO=?当uI=-5V时uO=?解:当uI=0时,晶体管截止,稳压管击穿,uO=-UZ=-5V。当uI=-5V时,晶体管饱和,uO=0.1V。因为mA24μA480BCbBEIBIIRUuICCCCCCECVRIVU<图P1.1812.分别判断图P1.19所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。图P1.19解:(a)可能(b)可能(c)不能(d)不能,T的发射结会因电流过大而损坏。(e)可能