电子科技大学网络教育考卷(A2卷)电路设计与仿真----000000414

1电子科技大学网络教育考卷（A2卷）(20年至20学年度第学期)考试时间年月日(90分钟)课程电路设计与仿真教师签名大题号一二三四五六七八九十合计得分[注意：所有题目的答案均填涂在答题卡上，写在本试卷上的答案无效]一、分析简答1、（5分）能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？答：不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V时，管子会因电流过大而烧坏。2、（10分）图（a）和图（b）分别是二极管全波整流电路和桥式整流电路。假设二极管为理想开关，试分析对于输入信号的正半周和负半周，每支二极管的状态，并画出输出电压的波形。答：(a)输入正半周时，D1导通，D2截止。输入负半周时，D2导通，D1截止。(b)输入正半周时，D1、D3导通，D2、D4截止。输入负半周时，D2、D4导通，D1、D3截止。（a）（b）波形相同：3、（10分）已知稳压管的稳定电压UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA，最大功耗PZM＝150mW。试求图所示电路中电阻R的取值范围。答：稳压管的最大稳定电流IZM＝PZM/UZ＝150mW/6V=25mA电阻R的电流为IZM～IZmin，k8.15615ZminZImaxmAVVIUURk36.025615ZmaxZIminmAVVIUUR所以电阻R取值为：0.36~~1.8KΩ4、（10分）某晶体管的输出特性曲线如图所示，其集电极最大耗散功率PCM＝200mW，试画出它的过损耗区。答：CECCMuiPCECuimW200CECumWi200CEu（V）10203040Ci（mA）20106.675将各点连接成曲线，即为临界过损耗线(如图红线)，临界过损耗线右边为过损耗区姓名______________专业名称______班号________________学号_C15教学中心_________________………………………………………密………………………………………封……………………………线………………………………………00000041425、（15分）试分析下图所示可调直流稳压源电路的输出电压表达式？在图中所示电路中，W7812的输出为VREF，基准电压REF212RVRRRV输出电压的表达式R3543OR43543VRRRRVVRRRRR6、(15分)分析如下图所示电路的输出Vout和输入Vin的关系，写出输出电压Vout表达式。答：Vout=-i*R2=-（R2*C1）dV1/dt；7、（10分）一般反相/同相放大电路中都会有一个平衡电阻，这个平衡电阻的作用是什么呢？答：（1)为芯片内部的晶体管提供一个合适的静态偏置。芯片内部的电路通常都是直接耦合的，它能够自动调节静态工作点，但是，如果某个输入引脚被直接接到了电源或者地，它的自动调节功能就不正常了，因为芯片内部的晶体管无法抬高地线的电压，也无法拉低电源的电压，这就导致芯片不能满足虚短、虚断的条件，电路需要另外分析。(2)消除静态基极电流对输出电压的影响，大小应与两输入端外界直流通路的等效电阻值平衡，8、（25分）利用Multisim仿真软件对下图简单晶体放大器电路进行直流分析(DCOpratingPiont)，要求可以看到电路节点1，2，3，4，5的静态直流电压（运行后截图或直接描述结果）。答：输出结果为：