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西安交通大学国家集成电路人才培养基地国家集成电路人才培养基地模拟电路高级实验（6）折叠式运算放大器2006-07西安交通大学国家集成电路人才培养基地第I页，共20页西安交通大学集成电路人才培养基地第1页，共20页1.设计目的：设计共源共栅运算放大器，使其满足VDD=3.3V，功率P=10mW，输出摆幅为1.95V，增益AV≥80dB。使用SMIC0.18um3.3VCMOS工艺3.3V晶体管模型。学习差动放大器DC扫描、AC、瞬态分析的方法。参数给定：COX=(εsiεo)/tox其中εsi=8.85*10-12，εo=3.9，tox=6.62nm；un=350cm2，up=92.5cm2。2.设计步骤：1．启动cadence工具在Terminal中输入cds.setupicfb&2．电路设计按照下图进行电路设计，运放采用折叠式共源共栅电路。折叠式共源共栅电路设计第2页，共20页注意：i).所有的pmos管的衬底都必须接电源；所有nmos管的衬底都必须接地ii).直接用电压源给出偏置电压。3．参数计算完成了电路图的基本结构之后，接下来就是给每个元件加入设计量，这样就需要对各个器件的参数进行分配和计算。从图中的mos管的标号定义：总的尾电流源pmos管为M0，M1；pmos共栅管为M2，M3；nmos共源共栅管从上到下依次为M4，M5，M6，M7；输入管为M8，M10；输入端的尾电流源mos管为M9。pmos管的modelname取p33，nmos管为n33。1)电流的分配由于VDD=3.3V，功率P=10mW，则总的电流为IDS＝10mW/3.3V＝3mA。其次两条支路是完全对称的，所以给每条之路分配1.5mA的电流。而对于折叠电路部分和本身的共源共栅电路部分将每条支路的电流再次分割，这里我们全部采用平分的方式，即M0，M1的电流均为1.5mA；其余mos管（除M9外）的电流均为0.75mA，是每条支路的二分之一；而对于M9的电流值为两个输入支路电流之和，即为1.5mA。2)过驱动电压的分配根据题目的要求，输出摆幅要为1.95V，以此为标准分配过驱动电压。M0，M1获得的图一设计图形西安交通大学集成电路人才培养基地第3页，共20页电流较大，给他们分配相对较大的过驱动电压，即VOD0＝VOD1＝0.4V；而M9管同时流过M8，M10管的电流，也同样具有较大的过驱动电压，给它分配过驱动电压为VOD9=0.4V；而对于其他mos管的过驱动电压的分配考虑pmos管的up一般小于nmos管的un，所以分配给pmos管的过驱动电压一般要大于分配给nmos管的过驱动电压，此处给pmos管分配0.35V过驱动电压，而给nmos管分配0.3V过驱动电压，恰好使输出摆幅为1.95V。3)宽长比的确定通过电流与过驱动电压的关系式确定宽长比，由于所有mos管都必须工作在饱和区，所以使用饱和区的电流－过驱动电压的关系：Nmos管：IDS＝1/2unCOX（W/L）（VGS－Vth）2＝1/2unCOXVOD2＝（W/L）=(unCOXVOD2)/(2IDS)Pmos管：IDS＝1/2upCOX（W/L）（VGS－Vth）2＝1/2upCOXVOD2＝（W/L）=(upCOXVOD2)/(2IDS)根据公式可得所有mos管的宽长比，分别为：（W/L）0－1＝388.62；（W/L）2－3＝253.75；（W/L）4－7＝91.3；（W/L）8＝（W/L）10＝91.3；（W/L）9＝102.7。根据上面求出的宽长比确定宽度和长度。由于使用工艺库，取L＝1.4um（取L的值较大是为了达到大的增益的要求），同样可以得到各种W值W0，1＝136*4um，W2，3＝88.82*4um，W4，5，6，7＝63.92*2um，W8，10＝63.92*2um，W9＝71.88*2um。注意：乘号的意思代表宽度的乘数*倍数，即在multiplier处添加倍数值。4)分配初始偏置电压值mos管阈值电压的初始值由工艺库中给定，pmos管的阈值电压为Vth＝－0.663V，nmos管的阈值电压为Vth＝0.713V，这些值将在仿真过程中修正。i).pmos管M0，M1的过驱动电压为VOD0＝VOD1＝0.4V，而|Vth|＝0.663V，则偏置电压源电压为V0＝3.3V－（0.663V＋0.4V）＝2.237V。ii).pmos管M2，M3的过驱动电压为VOD2＝VOD3＝0.35V，而|Vth|＝0.663V，则偏置电压源电压为V0＝3.3V－（0.663V＋0.4V＋0.35V）＝1.887V。iii).nmos管M4，M5的过驱动电压为VOD4＝VOD5＝0.3V，而Vth＝0.713V，则偏置电压源电压为V0＝0.713V＋0.3V＋0.3V＝1.313V。iv).nmos管M6，M7的过驱动电压为VOD6＝VOD7＝0.3V，而Vth＝0.713V，则偏置电压源电压为V0＝0.713V＋0.3V＝1.013V。v).nmos管M8，M10的过驱动电压（输入管的偏置直流电压部分）为VOD8＝VOD10＝0.3V，而Vth＝0.713V，则偏置电压源电压为V0＝0.713V＋0.3V＋0.4V＝1.413V。vi).nmos管M9的过驱动电压为VOD9＝0.4V，而Vth＝0.713V，则偏置电压源电压为V0＝0.7V＋0.4V＝1.113V。根据给定的初始的偏置电压给各个偏置电压源加值。4．生成symbol图形Symbol的生成过成：我们选择在已经制作好的cellview中建立它的symbol，点击Design－CreateCellView－fromCellView，这样就直接从已经建好的cellview的schematic中建立了它的symbol文件。建立的symbol的图形(可以改变图形形状)，如下图所示：折叠式共源共栅电路设计第4页，共20页5．加入激励对于已经生成symbol的图形，需要给输入端加入激励之后才能够进行仿真。需要生成一个新的cellview作仿真，此处起名为sim_pucker-SG，易于统一名称。Cellview的生成同上所述，在cellview的设计过程中加入刚刚设计的折叠式共源共栅放大器作为仿真模型，对其输入端加激励。图形如下图所示：激励加入后需对所加入的电压源的参数作说明。由于设计的放大器是差动式共源共栅放大器，所以差动电路的输入为两个方向相反的Vsin信号分别加在输入两端。为了使用方便将Vsin电压源的DC部分设定为参变量，分别为vdm1，vdm2。在仿真的时候再给其赋值，而对于Vsin信号还需要设定一些AC（交流）分析和tran（瞬态）分析的变量，如下图所示：图二生成的symbol图形图三加入激励后的cellview西安交通大学集成电路人才培养基地第5页，共20页图五输入Vsin1电压源设置图四输入Vsin1电压源设置折叠式共源共栅电路设计第6页，共20页负载电容值的确定：对于负载电容值的确定是有要求的，因为题目要求单位增益带宽尽可能的大，所以在满足了增益的情况下，需要主极点越大越好，只有主极点越大才能保证单位增益带宽越大。主极点与输出阻抗和负载电容的乘积的倒数有关，而输出阻抗的值影响增益的大小，如果输出阻抗越大，则增益越大，但是主极点越小，从而使单位增益带宽越小，所以只有在增益一定的情况下改变负载电容的值来增加单位增益带宽。从上面的叙述可知，电容的值是一个根据要求而变化的值，所以我们把电容值设为一个参数cap，在仿真过程中再添加其值。这样只是为了方便更改而已，你也可以直接对负载电容赋值，在仿真时，再根据情况更改电容值。负载电容的值设为参变量cap，在仿真过程中给定值。注意：在作仿真图形时，还需要有一个用来规定电源电压值的电路，这是为了防止多个电路中有多个电源电压的情况，这样只需设定一个电源电压来规定电源电压的值，而不会发生冲突。3.仿真过程1．仿真环境的建立在设置完图形变量之后，就可以对图形进行仿真了。点击Tools－AnalogEnvironment进入仿真环境。2．仿真环境参数设置i).确定spice模型库文件库文件路径是：/cad/smic018_tech/Process_technology/Mixed_Signal/SPICE_model/ms018_v1p6_spe.lib；section定义为tt，最后点Add添加库文件。ii).变量的设置首先，需要导入要设置的变量名进入DesignVariable中，点击Variables－CopyFromCellview导入变量，如下图所示：图六模型库的建立西安交通大学集成电路人才培养基地第7页，共20页折叠式共源共栅电路设计第8页，共20页注意：此处设定参数时，在DesignVariables图形框中双击要设置的参量后，设定其值。设定负载电容的值时，先假定给cap=1pF，后面还要根据题目要求更改cap的值，以满足单位增益带宽和稳定性的要求。vdm1，vdm2的值是根据输入端的偏置电压值设定的，即初始值vdm1＝vdm2＝1.413V。3．设定仿真类型i).tran（瞬态）分析设定Analyses－Choose，选择tran分析，如图所示：设置仿真时间为1ms。图七参量值的设定西安交通大学集成电路人才培养基地第9页，共20页注意：设定的瞬态仿真时间一般是频率倒数的1－10倍即可，过大可能无法看出细微图形，太小根本看不到一个周期的情况。此处设的1ms就是频率的倒数。ii).DC（直流）分析设定Analyses－Choose，选择dc分析，如图所示：图八瞬态仿真设置图九DC参量设置折叠式共源共栅电路设计第10页，共20页设置DC参量时，首先，要选择SaveDCOperatingPoint项，此项是为了保存静态工作点的；然后在SweepVariable区域选择DesignVariable项，选取变量名称，可以直接输入你所定义的变量名，也可以从下面的SelectDesignVariable中选择需要扫描的变量，我们这里扫描差动信号的直流分量vdm1。在SweepRange中选择扫描变量的范围，定义起始点为0V，终止点为3.3V，而且采取线性扫描方式，扫描的步长设为0.01V。iii).AC（交流）分析设定Analyses－Choose，选择ac分析，如图所示：设置AC参数时，只需对频率进行扫描，这里设置扫描范围为10－300MHZ。4．设定输出波形点击Output－tobeplotted－SelectOnSchematic后，所作的schematic图形将自动弹出，然后选择需要输出的信号电压或者pin脚电流，这里我们选择两个输出量Vout1，Vout2为需要输出的信号电压。选择输出端作为仿真的输出时，输出端将变为彩色的高亮度线条。4.仿真及其参量修正以上设置完成后，就可以进行仿真了。仿真的方法有两种，可以通过点击菜单中的Simulation-NetlistandRun进行网表的提取和仿真；第二种方法是通过快捷方式，即图框中右下角的按钮进行仿真。运行之后会产生网表和运行图形，点击Result－Print－DCOperatingPoints查看每个图十AC参数设置西安交通大学集成电路人才培养基地第11页，共20页mos管的状态，如下图所示：根据打印出的mos管状态图中的Vth值，通过V0=VOD+Vth+Vs来修正偏置电压的值，再进行仿真。在此过程中，由于M0，M1，M6，M7，M9不存在衬偏效应所以他们的阈值电压值的改变可能会小一些，所以先调整这些管子的偏置电压值比较合适；而对于M2，M3，M4，M5，M8，M10这些mos管而言，都存在衬偏效应，所以他们的值改变的比较大，需要不断的修正仿真，直到这些值都基本不变化即可。这样就完全确定了偏置电压的值。下来要做的工作是考虑所有的mos管是否工作在饱和区，同样是通过打印mos管的状态来确定的。需要考虑VDS≥VGS-Vth才能使mos管工作在饱和区。图形如图所示：从打印的图中察看电压VDS，VGS-Vth