L12闪存操作

应用说明R01AN1944CC0100Rev.1.00Page1of242013.11.05RL78族,R7F0C系列数据闪存库的比较和应用要点在瑞萨官网有两种不同类型的数据闪存访问库可以对数据闪存进行访问。该应用说明将从资源和API函数两方面来比较数据闪存库和EEPROM仿真库。通过提供样例程序，用户可以正确地评估这两个库。该应用笔记旨在提供用户更多的信息，以帮助用户选择适合的数据闪存访问库。目标器件R5F104xA,R5F104xCR7F0C001,R7F0C002,R7F0C010目录1.数据闪存库–比较和应用............................................................................................21.1资源比较..................................................................................................................................................21.2存储器映射图..........................................................................................................................................11.3函数和API..............................................................................................................................................31.4样例程序..................................................................................................................................................41.5比较和注意事项.....................................................................................................................................101.6函数最长执行时间比较..........................................................................................................................102.EEPROM仿真库–比较和应用.................................................................................112.1资源比较................................................................................................................................................112.2存储器映射图........................................................................................................................................112.3所占用ROM的计算..............................................................................................................................122.4EEL函数和API.....................................................................................................................................132.5样例程序................................................................................................................................................142.6比较和注意事项.....................................................................................................................................192.7重写次数的计算(参考)..........................................................................................................................193.链接指令文件设置.....................................................................................................203.1在指定的RAM地址创建一个新的段.....................................................................................................213.2修改堆栈区的地址和大小......................................................................................................................223.3链接指令文件样例.................................................................................................................................23公司主页和咨询窗口..........................................................................................................24R01AN1944CC0100Rev.1.002013.11.05RL78族,R7F0C系列数据闪存库的比较和应用R01AN1944CC0100Rev.1.00Page2of242013.11.051.数据闪存库–比较和应用有3种不同类型的数据闪存库(FDL)可以对RL78内置的数据闪存进行访问。数据闪存访问库，T01数据闪存访问库，T02(Tiny)数据闪存访问库，T04(Pico)下图从资源和功能两方面比较了这3种不同类型的库。1.1资源比较资源 T01 T02 (Tiny) T04 (Pico) 描述 / 备注 最大代码大小 代码 + 常量 1478 + 64 (1542 字节) 572 +10 (682 字节) 175 + 0 (175字节) 分配在代码闪存区 2.5KB RAM  R5F104xA (G14) 无限制 4KB RAM  R5F104xC (G14) 无限制 1KB RAM R7F0C001 FFB00H~FFC89 (395字节) 无限制 1.5KB RAM R7F0C002FF900H~FFC80 (897字节) FF900H~FF9FF (256字节) 1.5KB RAM R7F0C010 FF900H~FFC80 (897字节) FF900H~FF9FF (256字节) 工作RAM 除上述设备外 细节请参考用户硬件手册 工作RAM是指被数据闪存访问库使用的RAM区。当使用PFDL时，每个设备有一些限制。 (细节请参考设备的用户手册) 内部数据 (SADDR RAM) 2 字节 2 字节 FFE20H~FFEFFH (224字节) SADDR RAM (FFE20H~FFEFFH)是分配在RAM区的立即数访问区。 最大Stack消耗 60 字节 56 字节 46 字节 除了SelfRAM, SADDR RAM SADDR区的限制 Stack，数据缓冲区，函数的参数不能分配在该区域 地址FFE20H~FFEFFH RL78族,R7F0C系列数据闪存库的比较和应用R01AN1944CC0100Rev.1.00Page3of242013.11.051.2存储器映射图1.3函数和API函数 \ 库API T01 T02 (Tiny) T04 (Pico) 描述 / 备注 Init FAL_Init FDL_Init  配置参数初始化内部数据 Open FAL_Open FDL_Open PFDL_Open 初始化FDL使用的RAM区，允许数据闪存时钟 Close FAL_Close FDL_Close PFDL_Close 结束FDL的操作，禁止数据闪存时钟 Erase BlankCheck Write IVerify Execute (Command) Read FAL_Execute FDL_Execute PFDL_Execute 触发并对数据闪存执行命令 Handler FAL_Handler FDL_Handler PFDL_Handler 检查数据闪存操作的当前状态并且驱使命令执行(状态检查处理) Abort  FDL_Abort  放弃擦除命令 StandBy  FDL_StandBy  使库进入待机模式(关掉数据闪存的硬件) Wakeup  FDL_WakeUp  从待机模式唤醒库 GetVersionString FAL_GetVersionString FDL_GetVersionString PFDL_GetVersionString 获得FDL的版本信息 Code flash memory 32KB **例如. R5F104xC FFFFFH 07FFFHFFEFFH F1FFFH FEF00HF1000H00000HData flash memory 4KB RAM 4KB Data flash area4KBProgram area00000H 000CDH Vector, CALLT, Option Byte, OCD ID07FFFH 数据闪存库 占用的代码区域 用户可用区域 **注: 存储器映射图因不同的设备而不同，细节请参考设备的用户手册。 175~1542 bytes通过数据闪存库 读/写/擦除 FEF00H SADDR area (Refer to Restriction)RAM areaFFEFFH FFE20H FFE1FH 46~62 bytesStack, 数据缓冲区等 RL78族,R7F0C系列数据闪存库的比较和应用R01AN1944CC0100Rev.1.00Page4of242013.11.051.4样例程序1.4.1程序流程图FAL Start FALInit() FAL_Open() FAL_ Execute() ‐ Erase FAL_Handler