BQ40Z50-R1RegisterTrainingTinoPan2015.08.23ChargingConfigurationSOC_CHARGE:•1=使能SOC门限值去取代电压门限值((CLV,CMV,andCHV)inAdvancedChargingAlgorithm•0=使用电压门限值(CLV,CMV,andCHV)inAdvancedChargingAlgorithmCCC:•1=使能充电补偿的功能。•0=关闭充电补偿CRATE(Chargercurrentrate):•1=充电电流的调整是基于FullChargeCapacity()/DesignCapacity()•0=不调整充电电流FETOptions_1PACK_FUSE:•1=MinBlowFuseVoltage是基于Pack+Pin电压•0=MinBlowFuseVoltage是基于BATPin电压SLEEPCHG:•1=在睡眠模式里CHGFET是打开的•0=在睡眠模式里CHGFET是关闭的CHGFET:•1=[TC]旗标为H时,CHGFET是关闭的•0=[TC]旗标为H时,CHGFET是打开的CHGIN:•1=在充电禁止模式下,CHGandPre-CHGFET是关闭的•0=在充电禁止模式下,CHGandPre-CHGFET是打开的FETOptions_2CHGSU:•1=在充电暂停模式下,CHGandPre-CHGFET是关闭的•0=在充电暂停模式下,CHGandPre-CHGFET是打开的OTFET:•1=在过温度模式下,CHGandPre-CHGFET是关闭的•0=在过温度模式下,CHGandPre-CHGFET是打开的PCHG_COMM:•1=预充模式下选择CHGFET打开•0=预充模式下选择Pre-CHGFET打开SBSGaugingConfigurationLOCK0:在放电之后,cell电压会回复成较高的电压值。如果这时的状态已经通过Relax之后,电量计会更新一个OCV值。•1=保持RemainingCapacity()andRelativeStateOfCharge()数值以避免发生Jump的情形•0=关闭保持RemainingCapacity()andRelativeStateOfCharge()的功能,也就是说这上述的参数是会被修改的RSOC_HOLD:•1=在大电流放电的情况里,阻止RSOC突然发生Drop的现象•0=在大电流放电的情况里,不限制RSOC突然发生Drop的现象RSOCL:•1=当充电电流尚未满足充电终止的条件之前,阻止RSOC从99%上升至100%•0=当RemainingCapacity()的数值大于或等于FullChargeCapacity()之后,不管充电电流是否满足充电终止的条件,一律将RSOC修改成100%SBSConfigurationBLT1,BLT0:SBSbuslowtimeout,如果超时没有通讯则进入SleepMode•0,0=没时间限制•0,1=1Sec•1,0=2Sec•1,1=3SecXL:•1=使能400KHz通讯速度•0=100KHzHPC:•1=通讯上使用PEC•0=关闭PECCPE:使用智能充电器广播功能•1=使能•0=关闭BCAST:使用智能充电器与告警功能广播功能•1=使能•0=关闭PowerConfigurationAUTO_SHIP_EN:在Shipment模式进入自动关机•1=使能在睡眠模式下,如果也没有任何通讯则电量计会自动进入关机模式•0=关闭IOConfigurationBTP_POL:控制BTPpin的逻辑电平•1=设定H为触发•0=设定L为触发BTP_EN:使能BTP声明功能•1=使能•0=关闭SOCFlagConfigurationA_1TCSETVCT:使能设置[TC]Flagbyprimarychargetermination•1=使能•0=关闭FCSETVCT:使能设置[FC]Flagbyprimarychargetermination•1=使能•0=关闭TCCLEARRSOC:使能清除[TC]FlagbyRSOCthreshold•1=使能•0=关闭TCSETRSOC:使能设置[TC]FlagbyRSOCthreshold•1=使能•0=关闭TCCLEARV:使能清除[TC]Flagbycellvoltagethreshold•1=使能•0=关闭SOCFlagConfigurationA_2TCSETV:使能设置[TC]Flagbycellvoltagethreshold•1=使能•0=关闭TDCLEARRSOC:使能清除[TD]FlagbyRSOCthreshold•1=使能•0=关闭TDSETRSOC:使能设置[TD]FlagbyRSOCthreshold•1=使能•0=关闭TDCLEARV:使能清除[TD]Flagbycellvoltagethreshold•1=使能•0=关闭TDSETV:使能设置[TD]Flagbycellvoltagethreshold•1=使能•0=关闭SOCFlagConfigurationB_1FCCLEARRSOC:使能清除[FC]FlagbyRSOCthreshold•1=使能•0=关闭FCSETRSOC:使能设置[FC]FlagbyRSOCthreshold•1=使能•0=关闭FCCLEARV:使能清除[FC]Flagbycellvoltagethreshold•1=使能•0=关闭FCSETV:使能设置[FC]Flagbycellvoltagethreshold•1=使能•0=关闭FDCLEARRSOC:使能清除[FD]FlagbyRSOCthreshold•1=使能•0=关闭FDSETRSOCC:使能设置[FD]FlagbyRSOCthreshold•1=使能•0=关闭SOCFlagConfigurationB_2FDCLEARV:使能清除[FD]Flagbycellvoltagethreshold•1=使能•0=关闭FDSETV:使能设置[FD]Flagbycellvoltagethreshold•1=使能•0=关闭ITGaugingConfiguration_1RELAX_SMOOTH_OK:在RELAX模式下去平滑RSOC•1=使能,避免SOC发生Jump•0=关闭TDELTAV:规定DeltaVoltage是如何计算在Turbo模式•1=计算DeltaVoltage是对应于Minturbopower•0=计算DeltaVoltage是使用最大的峰值电压与平均电压的差SMOOTH:当温度与电流突然骤变,FCC与RM会发生跳变情形•1=使能平滑算法•0=关闭平滑算法RELAX_JUMP_OK:与RELAX_SMOOTH_OK不同,主要是允许电池在Relax模式里RSOC发生跳变•1=使能•0=关闭FF_NEAR_EDV:FastFilterNearEDV•1=當RSOC在10%以下,电量计会基于NearEDVRaParamFilter开始进行Ra快速收敛的动作•0=當RSOC在10%以下,电量计会采取ResistanceParameterFilter的数值ITGaugingConfiguration_2CELL_TERM:终止电压•1=基于CellVoltage•0=基于PackVoltageFAST_QMAX_FLD:FastQmaxUpdateinField•1=使能FastQmaxUpdateinField,则UpdateStatus0x0E•0=关闭FAST_QMAX_LRN:FastQmaxUpdateinLearning•1=使能FastQmaxUpdateinLearning,则UpdateStatus0x06•0=关闭RSOC_CONV:需要搭配FF_NEAR_EDV,主要是在RSOC10%快速收敛.•1=使能•0=关闭LFP_RELAX:用磷酸铁电电池inRelax•1=使能•0=关闭ITGaugingConfiguration_3CSYNC:•1=充电完成之后,允许RemainingCapacity()覆盖FullChargeCapacity()•0=不允许CCT:Cyclecountthreshold•1=UseCC%ofFullChargeCapacity()•0=UseCC%ofDesignCapacity()DOD0EW:放电深度误差加权,这个设置可能会改善在Ralex模式之後的容量跳变与提高容精度•1=使能•0=关闭OCVFR:如果电池不能满足Qmax更新的条件,48Hr之后电量计会强迫更新Qmax•1=使能•0=关闭RFACTSTEP:Raupdatelimit•1=使能•0=关闭LEDConfiguration_1LEDPFEN:LEDDisplayPFErrorCode•1=使能•0=关闭LEDC1,LEDC0:调整LED的亮度•0,0=0.94mA•0,1=1.87mA•1,0=2.81mA•1,1=3.75mALEDPF1,LEDPF0LEDDisplayPFErrorCode•0,0=PFErrorCode不显示•0,1=如果DISPpin持续为low,则在SOC显示完成之后显示•1,0=PFErrorCode不显示•1,1=在SOC显示完成之后显示LEDMODE:LEDDisplayCapacitySelector•1=显示ASOC/DC•0=显示RSOCLEDConfiguration_2LEDCHG:充电过程中LED显示•1=使能•0=关闭LEDRCA:当[RCA]为H,LED为闪烁•1=使能•0=关闭LEDR:LEDDisplayonExitofaRest•1=使能,无论充电或放电都会有LED显示•0=关闭TemperatureModeTS4Mode:CelltemporFETtemp•1=FETtemp•0=CelltempTS3Mode:CelltemporFETtemp•1=FETtemp•0=CelltempTS2Mode:CelltemporFETtemp•1=FETtemp•0=CelltempTS1Mode:CelltemporFETtemp•1=FETtemp•0=CelltempTSIntMode:CelltemporFETtemp•1=FETtemp•0=CelltempTemperatureEnableTS4:EnableTS4•1=使能•0=关闭TS3:EnableTS3•1=使能•0=关闭TS2:EnableTS2•1=使能•0=关闭TS1:EnableTS1•1=使能•0=关闭TSInt:Enable内部TS•1=使能•0=关闭BalancingConfigurationCB_RLX_DOD0EW:•1=EnableErrorWeightedDOD0forcellbalancingtimeupdateswheninRELAXmode•0=UsesDOD0forcellbalancingtimeupdateswheninRELAXmodeCB_CHG_DOD0EW:•1=EnableErrorWeightedDOD0forcellbalancingtimeupdateswheninCHARGEmode•0=UseDOD0forcellbalancingtimeupdateswheninCHARGEmodeCBR:在Rest模式做电池均衡•1=使能•0=关闭RSVD_ONE:电池均衡的方式,请勿修改•1=外部均衡•0=内部均衡CB:电池均衡•1=使能•0=关闭AFEProtectionControlSCDDx2:2XSCD延迟时间•1=2XSCD延迟时间•0=正常SCD延迟时间RSNS:AOLD,ASCC,ASCD1,ASCD2Thresholds•1=正