微电子工艺

2017春季微电子工艺期末考试返回1单选(1分)CZ法拉不出高阻单晶硅锭的主要原因是：A.干锅清洗不干净造成；B.多晶硅原料纯度不够高；C.气相杂质融入熔体再进入了硅锭。D.坩埚材料分解出的氧会进入硅锭；正确答案：D2单选(1分)实际VPE工艺温度多在质量传递控制区，此时外延速率：A.源气体分压的影响不大。B.对温度不太敏感；C.源的气相扩散的影响不大D.对温度非常敏感；正确答案：B3单选(1分)在D-G模型中假定稳定生长氧化层时，氧化剂的气相输运、固相扩散和化学反应三个流密度应：A.气相输运固相扩散化学反应。B.气相输运固相扩散化学反应；C.不等；D.相等；正确答案：D4单选(1分)CVD可分为低温工艺、中温工艺、高温工艺，不同温度制备的同种薄膜(如SiO2)的密度：A.温度升高，略有增加；B.温度升高，略有下降；C.都相同；D.与温度无关。正确答案：A5单选(1分)多晶硅薄膜通常采取哪种方法制备：A.VPEB.LPCVDC.磁控溅射D.APCVD正确答案：B6单选(1分)PVD与CVD比较，下列那种说法正确：A.CVD普适性更好。B.PVD薄膜的保形性更好；C.PVD薄膜与衬底的粘附性较差；D.CVD工艺温度更低；正确答案：C7单选(1分)关于正胶和负胶的特点，下列哪种说法正确？A.正胶的感光区域在显影时溶解。B.负胶的感光区域在显影时溶解；C.负胶的分辨率比正胶好；D.正胶在显影时感光区发生交联反应；正确答案：A8多选(1分)外延用衬底硅片一般偏离准确晶向一个小角度，如（111）-Si偏离3o，下列那种说法正确？A.这是切片误差；B.这是为了得到原子层量级的台阶；C.这是切片工艺本身要求的。D.这是为外延生长提供更多的结点位置；正确答案：B、D9多选(1分)扩散系数是表征扩散快慢的参数，它相当于单位浓度梯度时的扩散通量，所以它：A.有单位；B.单位为m∧2/sC.无单位；D.单位为m/s正确答案：A、B10多选(1分)在Si中注入P+，能量为100KeV，剂量是10∧13离子/cm∧2，查表可知Rp≈0.12μm，ΔRp=0.042μm，峰值浓度是多少？在0.2μm处杂质浓度是多少？A.在0.2μm处杂质浓度是3.7×10∧17离子/cm∧2；B.峰值浓度为9.5×10∧17离子/cm；C.峰值浓度为9.5×10∧13离子/cm∧2；D.在0.2μm处杂质浓度是3.7×10∧13离子/cm∧2。正确答案：A、B11多选(1分)看图判断，下列哪种描述正确：A.图（b）是注入的低能离子；B.图（a）是注入的高能离子；C.图（a）是注入的低能离子；D.图（b）是注入的高能离子。正确答案：C、D12多选(1分)下列哪个工艺方法应用了等离子体技术：A.HDPCVDB.PECVDC.RIED.溅射正确答案：A、B、C、D解析：A、这是高能等离子体CVDC、这是反应离子刻蚀，也应用了等离子体技术。13多选(1分)蒸镀工艺要求蒸镀室为高真空度的原因：A.为了提高镀膜的台阶覆盖性。B.为了降低镀膜中的杂质；C.为了避免蒸发分子（或原子）被氧化；D.为了提高蒸发分子（或原子）的平均自由程；正确答案：B、C、D14多选(1分)可以采取哪种方法来提高光刻分辨率？A.减小光学系统数值孔径；B.增长光源波长；C.减小分辨率系数;D.缩短光源波长；正确答案：C、D解析：D、由瑞利定律得出。15多选(1分)关于铝膜下列哪种说法正确：A.抗电迁移性差；B.光刻难；C.稳定性好。D.与硅、二氧化硅的粘附性好；正确答案：A、D16判断(1分)CCCCZ法、MCZ法拉单晶时必须有籽晶；而FZ法拉单晶时不需要籽晶。A.B.正确答案：A解析：都需要籽晶作为样本和晶核。17判断(1分)DDMBE是一种先进的物理气相外延技术。A.B.正确答案：B解析：本质就是分子在超高真空度的蒸发过程。18判断(1分)CC在硅片上干氧生长十几nm的氧化层时，可采用D-G模型的线性速率公式来准确计算所需时间。A.B.正确答案：B解析：D-G模型在初始氧化（一般30nm）阶段不准确。19判断(1分)CCCVD工艺当hgks时，薄膜淀积速率受表面反应控制，对温度很敏感。A.B.正确答案：A解析：当hgks时，淀积速率是受气相质量输运控制，对温度不太敏感。20判断(1分)DD涂胶前的打底膜是为了增强光刻胶与衬底之间的浸润性。A.B.正确答案：A解析：这样光刻胶与衬底才能粘接牢固，不浮胶。21判断(1分)CC湿法腐蚀比干法刻蚀的各向异性好。A.B.正确答案：A解析：正好说反了。湿法腐蚀大多是各向同性的，如用氢氟酸腐蚀二氧化硅是各向同性腐蚀；而干法刻蚀大多是各向异性的，如ICP、RIE。22判断(1分)CCIC芯片上各元件之间不必进行电隔离。A.B.正确答案：A解析：必须电隔离。23填空(1分)低压气相外延能降低效应，从而降低了外延时的杂质再分布。你没有填写答案正确答案：自掺杂解析：低压气相外延时，从衬底逸出的杂质更易扩散出边界层进入主气流区而离开。24填空(1分)热氧化工艺本质上是在硅与二氧化硅发生的硅的氧化反应。你没有填写答案正确答案：界面解析：Si+O2（或H2O）→SiO2(+H2)25填空(1分)在硅片上热氧化0.5μm厚的氧化层时，硅片增厚了μm。你没有填写答案正确答案：0.28解析：生长1μm的氧化层，需要消耗0.44μm的硅。26填空(1分)CVD反应剂分子到达衬底表面空洞等底部特殊位置的机制有：、再发射、表面迁移三种。你没有填写答案正确答案：扩散27填空(1分)制备TiO2等介质薄膜可以采用溅射方法。你没有填写答案正确答案：射频解析：射频溅射可以制备不导电的介质薄膜。28填空(1分)扩散掺杂时多晶硅的扩散系数比单晶硅的扩散系数得多。你没有填写答案正确答案：大或高29填空(1分)铝膜作为器件的内电极，有抗电迁移性的特点。（一个字）你没有填写答案正确答案：差或低30填空(1分)光刻工艺流程：打底膜→→前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶。你没有填写答案正确答案：涂胶或甩胶第一周作业返回1单选(1分)在硅片晶向、掺杂类型介绍中，由硅片断裂边形成的角度是60o可知硅片是什么晶向?A.（100）B.（111）C.（110)D.(211)正确答案：B解析：B、硅的解理面是（111），在（111）面上两[111]晶向相交呈60o2多选(1分)关于拉单晶时进行的缩颈步骤，下面的说法那种正确A.可以多次缩颈B.为了能拉出与籽晶相同的硅锭C.为了终止籽晶中的线缺陷向晶锭的延伸D.为了终止与籽晶结合处的缺陷向晶锭的延伸正确答案：A、C、D解析：A、目的是彻底终止线缺陷等向晶锭的延伸3判断(1分)DD在空间微重力室用CZ法也能拉制出大尺寸优质晶锭A.B.正确答案：A解析：因硅熔体温度梯度带来的密度（重力）差造成的干锅内熔体强对流减弱的缘故4单选(1分)磷在硅熔体与晶体中的分凝系数约为0.35，这使得液相掺杂拉制的掺磷硅锭的电阻率：A.轴向均匀B.轴向递减C.轴向递増D.径向递减正确答案：B解析：B、因为掺入硅锭的杂质是轴向递增的。5填空(1分)拉单晶的干锅污染主要是由于坩埚材料分解出的造成。你没有填写答案正确答案：O或氧第二周作业返回1填空(1分)外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长薄膜。你没有填写答案正确答案：晶体或单晶2判断(1分)CC如果外延速率偏低，只要增大外延气体中硅源（如SiCl4）浓度，硅的气相外延速率就会增加。A.B.正确答案：B解析：只在一定范围成立，如SiCl4为硅源超过临界值会生成多晶、甚至腐蚀衬底。3填空(1分)VPE制备n-/n+-Si用硅烷为源，硅烷是在完成的分解。可从下面选择：气相硅片表面你没有填写答案正确答案：硅片表面4单选(1分)VPE制备n+/p-Si，结果pn结进入了衬底，这是什么原因造成的：A.自掺杂效应B.互扩散效应C.衬底表面没清洗干净的缘故。D.掺杂气体不纯正确答案：B解析：B、在外延过程中外延层重掺杂n型杂质扩散进入轻掺杂衬底。5多选(1分)在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层？A.MBEB.VPE、LPEC.UHV/CVDD.SEG、SPE正确答案：A、C第三周作业返回1单选(1分)通常掩膜氧化采用的工艺方法为：A.干氧B.低压氧化C.干氧-湿氧-干氧D.掺氯氧化正确答案：C解析：C、既有较好的质量，利于光刻；又有较快的氧化速率2多选(1分)关于氧化速率下面哪种描述是正确的：A.生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律B.温度升高氧化速率迅速增加C.（111）硅比（100）硅氧化得快D.有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低正确答案：A、B、C3判断(1分)CC制作一硅晶体管芯片，在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。A.B.正确答案：B4填空(1分)热氧化速率快慢排序：氧化最快、氧化次之、氧化最慢。（从“干氧、湿氧、水汽”中选择填空，中间用“、”隔开）你没有填写答案正确答案：水汽、湿氧、干氧5填空(1分)热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的，这是由杂质引起的。（两个字）你没有填写答案正确答案：分凝第四周作业返回1单选(1分)A.图（a）是限定源扩散，图（b）恒定源扩散B.图（a）是恒定源扩散，图（b）限定源扩散C.图（a）、（b）都是限定源扩散D.图（a）、（b）都是恒定源扩散正确答案：C解析：C、限定源扩散，时间越长，结深越深，表面浓度就越低；温度越高，结深也越深，表面浓度也降低越快。2单选(1分)扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸，这是效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。A.大，场助扩散B.大，氧化增强C.小，横向扩散D.大，横向扩散正确答案：D3多选(1分)扩散系数在何时不可以看成是常数：A.在本征硅上扩散掺入中等浓度的杂质硼。B.在本征硅上扩散掺入高浓度的杂质硼，同时进行氧化。C.在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质；D.在中等浓度p型硅上扩散掺入n型杂质；正确答案：B、C4判断(1分)CC一扩散，采取两歩工艺：预淀积温度高（1200℃）时间长（50min），再分布温度低（970℃）时间短（30min），杂质近似为服从高斯分布。A.B.正确答案：A5填空(1分)在p-Si中扩磷13分钟，测得结深为0.5μm，为使结深达到1.5μm，在原条件下还要扩分钟。（只保留整数）你没有填写答案正确答案：104第五周作业返回1单选(1分)在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是。当偏离晶向ψc注入时，可以避免。A.沟道效应，B.横向效应，C.沟道效应，D.横向效应，正确答案：C2单选(1分)形成B的超浅结掺杂（剂量为QB)时，为了避免沟道效应可否先注入锑（剂量为QSb）再注入硼？实际注入了多少硼？A.不可以B.可以，实际注硼：QB+QSbC.可以，实际注硼：QB-QSbD.可以，实际注硼：QB正确答案：B3多选(1分)基于LSS理论，判断对下图分析的对错：A.入射离子在靶中由B运动到C主要受到靶原子核阻滞；B.入射离子在靶中由A运动到B主要受到靶原子核阻滞；C.该入射离子是高能注入；D.入射离子在靶中由B运动到C主要是受到靶电子阻滞。正确答案：A、C4多选(1分)关于离子注入区形成非晶层的临界剂量，下面哪几种说法正确：A.靶温升高，临界剂量上升；B.注入离子能量越高，临界剂量越低；C.注入离子剂量率增大，临界剂量降低。D.注入离子越轻，临界剂量越小；正确答案：A、B、C5判断(1分)CCC离子注入硼无需退火就有电活性，所以才会出现随退火温度升高反而电激活率下降的逆退火现象。A.B.正确答案：A第二单元测验返回1单选(1分)在p-Si中扩磷20分钟，测得结深为0.5μm，为使结深达到0.8μm，在原条件下还要扩散多长时间？A.104minB.51.2minC.117minD.31.2min正确答案：D2单选(1分)在已扩散结深达0.8μm的p-Si上再进行湿氧，氧化层厚0