专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》-试卷-答案

第1页共7页1专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》一、（共75题,共150分）1.GordonMoore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每（）个月翻一番（2分）A.12B.18C.20D.24.标准答案：B2.MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的（）效应产生的。（2分）A.体B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通.标准答案：C3.在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。（2分）A.亚阈值区B.深三极管区C.三极管区D.饱和区.标准答案：D4.MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。（2分）A.夹断B.反型C.导电D.耗尽.标准答案：A5.（）表征了MOS器件的灵敏度。（2分）A.B.C.D..标准答案：C6.Cascode放大器中两个相同的NMOS管具有不相同的（）。（2分）A.B.C.D..标准答案：B7.基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是（）。（2分）A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值B.负载不匹配C.输入MOS不匹配D.电路制造中的误差.标准答案：C8.下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益（）。（2分）A.二极管负载差分放大器B.电流源负载差分放大器C.有源电流镜差分放大器D.Cascode负载Casocde差分放大器.标准答案：C9.镜像电流源一般要求相同的（）。（2分）A.制造工艺B.器件宽长比C.器件宽度WD.器件长度L.标准答案：D10.某一恒流源电流镜如图所示。忽略M3的体效应。要使和严格相等，应取为（）。（2分）A.B.C.D..标准答案：A11.选择题:下列结构中密勒效应最大的是（）。（2分）A.共源级放大器B.源级跟随器C.共栅级放大器D.共源共栅级放大器.标准答案：A12.下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。请计算该电路的等效输入电阻为（）。（2分）A.第2页共7页2B.C.D..标准答案：A13.对电路进行直流工作点分析的Hspice命令是（）。（2分）A.DCB.ACC.OPD.IC.标准答案：C14.模拟集成电路设计中的第一步是（）。（2分）A.电路设计B.版图设计C.规格定义D.电路结构选择.标准答案：C15.（）可提高图中放大器的增益。（2分）A.减小，减小B.增大，增大C.增大，减小D.减小，增大.标准答案：A16.模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是（）。（2分）A.增益B.输出电阻C.输出摆幅D.输入电阻.标准答案：C17.模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是（）。（2分）A.增益B.电压净空C.输出摆幅D.输入偏置.标准答案：A18.在NMOS中，若会使阈值电压（）（2分）A.增大B.不变C.减小D.可大可小.标准答案：A19.NMOS管中，如果VB变得更负，则耗尽层（）。（2分）A.不变B.变得更窄C.变得更宽D.几乎不变.标准答案：C20.随着微电子工艺水平提高,特征尺寸不断减小,这时电路的工作电压会（）（2分）A.不断提高B.不变C.可大可小D.不断降低.标准答案：D21.MOS管漏电流的变化量除以栅源电压的变化量是（）。（2分）A.电导B.电阻C.跨导D.跨阻.标准答案：C22.工作在饱和区的MOS管，可以被看作是一个（）。（2分）A.恒压源B.电压控制电流源C.恒流源D.电流控制电压源.标准答案：B23.密勒效应最明显的放大器是（）。（2分）A.共源极放大器B.源极跟随器C.共栅极放大器D.共基极放大器.标准答案：A24.不能直接工作的共源极放大器是（）共源极放大器。（2分）A.电阻负载B.二极管连接负载C.电流源负载D.二极管和电流源并联负载.标准答案：C25.模拟集成电路设计中的最后一步是（）。（2分）A.电路设计B.版图设计C.规格定义D.电路结构选择.标准答案：B26.在当今的集成电路制造工艺中，（）工艺制造的IC在功耗方面具有最大的优势。（2分）A.MOSB.CMOSC.BipolarD.BiCMOS.标准答案：B第3页共7页327.MOS器件小信号模型中的mbg是由MOS管的（）效应引起。（2分）A.二级B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通.标准答案：B28.PMOS管的导电沟道中依靠（）导电。（2分）A.电子B.空穴C.正电荷D.负电荷.标准答案：B29.当MOS管的宽长比是定值时，其跨导与漏源电流的关系曲线是（）。ABCD（2分）A.见图B.见图C.见图D.见图.标准答案：D30.如果MOS管的栅源过驱动电压给定，L越（），输出电流越理想。（2分）A.大B.小C.近似于WD.精确.标准答案：A31.MOS电容中对电容值贡献最大的是（）。（2分）A.GSCB.GDCC.DBCD.SBC.标准答案：A32.下面几种电路中增益线性度最好的是（）。（2分）A.电阻负载共源级放大器B.电流源负载共源级放大器C.二极管负载共源级放大器D.源极负反馈共源级放大器.标准答案：C33.电阻负载共源级放大器中，下列措施不能提高放大器小信号增益的是（）。（2分）A.增大器件宽长比B.增大负载电阻C.降低输入信号直流电平D.增大器件的沟道长度L.标准答案：D34.电阻负载共源级放大器中，让输入信号从VDD下降，NMOS管首先进入（）区。（2分）A.亚阈值区B.深三极管区C.三极管区D.饱和区.标准答案：B35.下图的共源共栅放大器中，选择合适的偏置电压VB，让输入电压Vin从0逐渐增加，则先从饱和区进入线性区的MOS管是（）。（2分）A.M1B.M2C.两个同时进入D.都有可能.标准答案：D36.下面放大器的小信号增益为（）。（2分）A.omrgB.smomRgrg1C.1D.理论上无穷大.标准答案：A37.下列不是基本差分对电路中尾电流的作用的是（）。（2分）A.为放大器管提供固定偏置B.为放大管提供电流通路C.减小放大器的共模增益D.提高放大器的增益.标准答案：D第4页共7页438.下图电流镜的输出电压最小值为（）。（2分）A.thODVV22B.thODVV2C.ODV2D.GSODVV22.标准答案：C39.下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。请计算该电路的等效输出电阻为（）。（2分）A.AR1B.AR11C.AR1D.AR11.标准答案：B40.（）可提高图中放大器的增益。（2分）A.减小2,1LWB.仅增大2,1LC.增大2,1LWD.仅减小2,1W.标准答案：C41.MOS管的端电压变化时，源极和漏极（）互换。（2分）A.能B.不能C.不知道能不能D.在特殊的极限情况下能.标准答案：A42.CMOS工艺里不容易加工的器件为（）。（2分）A.电阻B.电容C.电感D.MOS管.标准答案：C43.MOS管的特征尺寸通常是指（）。（2分）A.WB.LC.W/LD.tox.标准答案：B44.MOS管从不导通到导通过程中，最先出现的是（）。（2分）A.反型B.夹断C.耗尽D.导通.标准答案：C45.源极跟随器通常不能用作（）。（2分）A.缓冲器B.放大器C.电平移动D.驱动器.标准答案：B46.能较大范围提高阈值电压的方法是（）。（2分）第5页共7页5A.增大MOS管尺寸B.提高过驱动电压C.制造时向沟道区域注入杂质D.增大衬底偏置效应.标准答案：C47.PMOS管导电，依靠的是沟道中的（）。（2分）A.电子B.空穴C.电荷D.电子空穴对.标准答案：B48.为了让MOS管对外表现出受控电流源的特性，我们通常让其工作在（）区。（2分）A.截止B.三极管C.线性D.饱和.标准答案：D49.MOS管中最大的电容是（）。（2分）A.氧化层电容B.耗尽层电容C.交叠电容D.结电容.标准答案：A50.MOS器件小信号模型中的是由MOS管的（）效应引起。（2分）A.体B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通.标准答案：C51.在当今的集成电路制造工艺中，（）工艺制造的IC最容易实现尺寸的按比例缩小。（2分）A.MOSB.CMOSC.BipolarD.BiCMOS.标准答案：B52.（）在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每18个月翻一番（2分）A.比尔盖茨B.摩尔C.乔布斯D.贝尔.标准答案：B53.最常见的集成电路通常采用（）工艺制造。（2分）A.MOSB.CMOSC.BipolarD.BiCMOS.标准答案：B54.工作在（）区的MOS管，可以被看作为电流源。（2分）A.截止B.三极管C.深三极管D.饱和.标准答案：D55.工作在（）区的MOS管，其跨导是恒定值。（2分）A.截止B.三极管C.深三极管D.饱和.标准答案：D56.载流子沟道就在栅氧层下形成（），源和漏之间“导通”。（2分）A.夹断层B.反型层C.导电层D.耗尽层.标准答案：B57.形成（）的栅源电压叫阈值电压（）。（2分）A.夹断层B.反型层C.导电层D.耗尽层.标准答案：B58.NMOS管中，如果VBS变得更小，则耗尽层（）。（2分）A.不变B.变得更窄C.变得更宽D.几乎不变.标准答案：C59.NMOS管的导电沟道中依靠（）导电。（2分）A.电子B.空穴C.正电荷D.负电荷.标准答案：A60.当MOS管的宽长比是定值时，其跨导与过驱动电源的关系曲线是（）。ABCD（2分）A.见图B.见图C.见图D.见图.标准答案：C61.MOS管的漏源电流受栅源过驱动电压控制，我们定义（）来表示电压转换电流的能力。（2分）A.跨导B.受控电流源C.跨阻D.小信号增益.标准答案：A62.为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，值（）（2分）A.较大B.较小C.不变D.不定.标准答案：B63.共源共栅放大器结构的一个重要特性就是输出阻抗（）。（2分）A.低B.一般C.高D.很高.标准答案：D64.NMOS管中，对阈值电压影响最大的是（）。（2分）A.VBSB.VGSC.VDSD.W/L.标准答案：A65.Cascode放大器中两个尺寸相同的NMOS具有相同的（）效应。（2分）第6页共7页6A.沟长调制B.体C.背栅D.衬底偏置.标准答案：A66.小信号输出电阻相对最小的放大器是（）。（2分）A.共源级放大器B.源级跟随器C.共栅级放大器D.共源共栅级放大器.标准答案：B67.差分放大器中，共模输入电平的变化不会引起差动输出的改变的因素是（）。（2分）A.尾电流源输出阻抗为有限值B.输入MOS管不完全对称C.负载不完全对称D.输入对管工作在饱和区.标准答案：D68.下列不是基本差分对电路中尾电流的作用的是（）。（2分）A.为放大器管提供固定偏置B.为放大管提供电流通路C.减小放大器的共模增益D.提高放大器的增益.标准答案：D69.下面电路的差模小信号增益为（）。（2分）A.DmRg1B.41omrgC.2421||||oommrrggD.241||oomrrg.标准答案：D70.某一恒流源电流镜如图所示。忽略M3的体效应。若让M2管工作在饱和区边缘，bV应取为（）。（2分）A.thODVV22B.thODVV2C.ODV2D.GSODVV22.标准答案：B71.下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。请计算该电路的等效输出电阻为（）。（2分）A.AR1B.AR11C.AR1D.AR11.标准答案：B72.Hspice仿真中，耗时最长的一般是（）。（2分）A.直流工作点分析B.瞬态分析C.交流分析D.直流分析.标准答案：B73.模拟电路中，精度最高的电阻是（）。（2分）A.金属电阻B.比例电阻C.多晶硅电阻D.阱电阻.标准答案：B74.密勒效应是（）。（2分）A.有害的B.有利的C.可以被我们利用来解决电路设计中的问题D.实际不起作用.标准答案：C75.为达到较好的稳定状态和响应速度，反馈系统的相位裕度一般取（）度。（2分）A.30B.60C.90D.180第7页共7页7.标准答案：B