第二章光纤通信参考答案11.半导体激光器发射光子的能量近似等于材料的禁带宽度,已知GaAs材料的Eg=1.43eV,某一InGaAsP材料的Eg=0.96eV,求它们的发射波长。(eV是能量单位,表示一个电子在1伏特电压差下所具有的能量)解:ghE3487196.62610()310(/)8.688100.86881.431.610ghcJsmsmmEJInGaAsP材料,3486196.62610()310(/)1.294101.2940.961.610ghcJsmsmmEJ12.一半导体激光器,谐振腔长L=300μm,工作物质的损耗系数α=1mm-1,谐振腔两端镜面的反射率R1R2=0.33×0.33,求激光器的阈值增益系统γth。若后镜面的反射率提高到R2=1,求阈值时的增益以及阈值电流的变化。解:121theRR116121111ln1mmln4.6955mm20.330.33230010mthlRRR2=1时,116121111ln1mmln2.8478mm20.331230010mthlRR阈值电流变小13.一半导体激光器,阈值电流60mAthI,9410ssp,12210sph,注入幅度为90mA的阶跃电流脉冲,求:瞬态过程中张弛震荡的频率和衰减时间;电光延迟时间解:震荡的角频率99121190mA117.910/60mA410s210sspphthjradsj91.26102wfHz衰减系数12spthjj,衰减时间0199060mA22410s5.310s90mAthspjj电光延迟时间9990ln410sln4.3910s9060dspthjtjj16.对于双异质结激光器,sp为自发复合的寿命时间,自发辐射速率spspRn。求解稳态速率方程组,证明下列关系式是其稳态解。(1)当0,thspednjjj(2)当0,phththjjsjjed解:速率方程组为0()()()()()()()()()spspphdntjRngnstdteddststgnstRndt达到稳态时,可以写为000spphspjngsedsngs其中,n和s分别表示电子密度和光子密度的稳态值。thjj时,受激复合与自发复合项相比较小,光场很弱,有0s,则有00spjned因此有0,thspednjjjthjj时,有0ththspednj,当激光器激射以后,受激辐射占主导地位,∝通常很小,大约为3510~10量级,因而可以忽略自发复合项,即有0phsgs因此有1thphgg表明激光器达到阈值以后,增益函数达到饱和,不再随注入电流而变化。而增益函数的饱和说明腔内电子密度被锁定在饱和值thn,因而使自发发射速率也达到饱和。thjj时,因为g饱和,故有00ththspnjgsed0ththphspnsgs两个式子相加并忽略自发复合项后,有00thspphnjsed将0thspthjned代入后得到000thphjjseded因此有0phthsjjed1.已知某LD的特征温度为720K(开氏温度),而且在200C时,阈值电流Ith=16mA;求在700C时该LD的阈值电流。解:00expthITITT,00/expthIITTT121020expexpththITITTTTT,2021211100expexpexpthththTTTTITITITTTT234329316mAexp32.04mA72thIT