2016年全国大学生电子设计竞赛A题论文

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2016年全国大学生电子设计竞赛2016年7月28日II摘要本设计以TI公司的MSP430G2553单片机作为控制核心,设计制作了一种降压型开关稳压电源。该电源主电路为同步整流BUCK电路,通过LM5117驱动CSD18532KCSMOS场效应管实现稳压输出,电流检测电路使用TI的高精度检流芯片INA282实现对电路的保护,系统效率可达到89%。达到了设计要求中的各项指标。关键词:LM5117同步整流BUCK电路MSP430G2553INA282III目录一、系统方案.................................................................41.1DC-DC驱动模块的比较与选择........................................................................................41.2主控制器的比较与选择...................................................................................................41.3过流保护方案的比较与选择...........................................................................................41.4单片机供电模块的比较与选择.......................................................................................5二、系统理论分析与计算.......................................................52.1主要器件参数选择及计算...............................................................................................52.1.1定值电阻RT的计算.............................................................................................52.1.2输出电感L0的选取..............................................................................................52.1.3电流检测电阻Rs的选取.......................................................................................52.1.4输出电容Co的选取..............................................................................................52.1.5过流保护电路中检流电阻的选取.......................................................................62.2提高效率的方法...............................................................................................................62.3降低纹波的方法...............................................................................................................62.4DC-DC变换方法................................................................................................................62.5稳压控制方法...................................................................................................................7三、电路与程序设计...........................................................73.1主回路与器件的选择........................................................................................................73.1.1电路主回路............................................................................................................73.1.2电路器件选择........................................................................................................73.2控制电路及程序...............................................................................................................83.2.1控制电路...............................................................................................................83.2.2主程序流程图.......................................................................................................83.2.3部分源程序代码...................................................................................................8四、系统测试.................................................................84.1测试方案及条件...............................................................................................................84.1.1测试仪器...............................................................................................................84.1.2测试方法...............................................................................................................84.2测试过程及结果...............................................................................................................84.3测试结果分析...................................................................................................................9附录1:程序流程图..........................................................10附录2:部分源代码..........................................................124VIN一、系统方案本设计采用BUCK电流斩波电路,单片机控制输出两路PWM信号经过TI芯片IR2110驱动高端和低端N沟道MOSFET,通过控制PWM的占空比来控制两个MOSFET导通和关断的时间进而调节输出电压。当高端MOSFET导通时,低端MOSFET断开;同理当低端MOSFET导通时,高端MOSFET断开,从而实现了同步整流效果。ADPWM识别图1.1系统设计方案总体框图1.1DC-DC驱动模块的比较与选择方案一:采用TI芯片IR2110直接驱动MOSFET,它属于自举升压原理的驱动。单片机控制输出两路PWM信号经过IR2110驱动高端和低端N沟道MOSFET,通过控制PWM的占空比来控制两个MOSFET导通和关断的时间进而调节输出电压。方案二:采用TI公司生产的LM5117同步降压控制器,它具有5.5V-65V宽电压工作范围,工作频率可以在50kHz到750kHz范围内设定。包含几个大电流NMOS驱动器和一个相关的高边电平转换器,可自适应死区时间控制来驱动外部高边和低边NMOS功率开关管。经比较,LM5117Z控制器集成了高边和低边NMOS驱动器可以自适应死区时间,LM5117自带同步整流功能,更易于提高效率。故采用方案二,使用TI公司的LM5117作为DC-DC驱动控制模块。1.2主控制器的比较与选择方案一:采用通用的MCS-51系列单片机,由于不带A/D和D/A转换器且运算速度较慢,外围电路使得整个系统硬件电路变得复杂,同时51单片机获得PWM较为复杂,使得系统的性价比偏低。方案二:采用德州仪器(TI)的MSP430G2553为主控制器。MSP430拥有丰富的片内资源,内置16位定时器具有捕获和比较功能,内置10位的数模转换器,可以输出PWM信号。430独特的超低功耗设计,可以显著降低系统功耗提高效率。经比较,MSP430单片机可以满足系统控制的要求,并且其具有超低功耗的特点可以显著降低电源损耗提高系统效率。所以选用MSP430G2553单片机作为系统的主控制器。1.3过流保护方案的比较与选择方案一:采用AD620运放,AD620是一个低成本、高精度的仪表放大器,使用方便。但输入共模电压范围太小且静态功耗较大,无法满足题目要求中的电压及功耗要求。降压稳压直流电源负载RLMCU单片机供电模块阻抗R5方案二:采用专用TI检流芯片INA282进行电流检测,INA282是TI的电流分流模拟输出型电流感应放大器,其电压增益为50倍,共模抑制比较高,测量准确。利用INA282实现检流功能,电路简单,且静态功耗较小。经比较,由于AD620的电压范围不能满足题目要求,故采用方案二,使用TI的高精度检流芯片INA282作为电流检测的方案。1.4单片机供电模块的比较与选择方案一:以MP2307芯片为电源供电芯片,使用一体成形功率电感和同步整流控制芯片,体积更小,效率更高。方案二:用lm7805三端稳压IC来组成稳压电源所需的外围元件极少。但当稳压管温度过高时,稳压性能将变差,甚至损坏。需安装足够大的散热器。综合以上两种方案,由于本设计对重量选择方案一。二、系统理论分析与计算2.1主要器件参数选择及计算2.1.1定值电阻RT的计算较高频率的应用体积较小,但损耗也较高。在我们方案中,选定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