protues仿真DS18B20温度控制

电路图仿真图温控范围25到35度之间源程序#includereg51.h//包含单片机寄存器的头文件#includeintrins.h//包含_nop_()函数定义的头文件#includeabsacc.h#includemath.hsbitDQ=P1^1;sbitjdq=P1^0;sbitdot=P2^7;unsignedcharcodexiaoshu[]={0xc0,0xc0,0xf9,0xf9,0xa4,0xb0,0xb0,0x99,0x92,0x92,0x82,0xf8,0xf8,0x80,0x80,0x90};charduan[4]={0,0,0,0};unsignedcharcodeweikong[]={0x01,0x02,0x04,0x08,0x10,0x20};unsignedcharcodetable[]={0xc0,0xf9,0xa4,0xb0,0x99,0x92,0x82,0xf8,0x80,0x90,0x88,0x83,0xc6,0xa1,0x86,0x8e};intbai,shi,ge,flag=0,i;unsignedchartemp;unsignedcharTL;//储存暂存器的温度低位unsignedcharTH;//储存暂存器的温度高位unsignedcharTN;//储存温度的整数部分unsignedintTD;//储存温度的小数部分voiddelay1ms(){unsignedchari,j;for(i=0;i10;i++)for(j=0;j33;j++);}voiddelaynms(intn){unsignedchari;for(i=0;in;i++)delay1ms();}unsignedchartime_DS18B20;//设置全局变量，专门用于严格延时bitInit_DS18B20(void){bitflag_DS18B20;//储存DS18B20是否存在的标志，flag=0，表示存在；flag=1，表示不存在DQ=1;//先将数据线拉高for(time_DS18B20=0;time_DS18B202;time_DS18B20++)//略微延时约6微秒;DQ=0;//再将数据线从高拉低，要求保持480~960usfor(time_DS18B20=0;time_DS18B20200;time_DS18B20++)//略微延时约600微秒;//以向DS18B20发出一持续480~960us的低电平复位脉冲DQ=1;//释放数据线（将数据线拉高）for(time_DS18B20=0;time_DS18B2010;time_DS18B20++);//延时约30us（释放总线后需等待15~60us让DS18B20输出存在脉冲）flag_DS18B20=DQ;//让单片机检测是否输出了存在脉冲（DQ=0表示存在）for(time_DS18B20=0;time_DS18B20200;time_DS18B20++)//延时足够长时间，等待存在脉冲输出完毕;return(flag_DS18B20);//返回检测成功标志}unsignedcharReadOneChar(){unsignedchari=0;unsignedchardat;//储存读出的一个字节数据for(i=0;i8;i++){DQ=1;//先将数据线拉高_nop_();//等待一个机器周期DQ=0;//单片机从DS18B20读书据时,将数据线从高拉低即启动读时序dat=1;_nop_();//等待一个机器周期DQ=1;//将数据线人为拉高,为单片机检测DS18B20的输出电平作准备for(time_DS18B20=0;time_DS18B203;time_DS18B20++);//延时约6us，使主机在15us内采样if(DQ==1)dat|=0x80;//如果读到的数据是1，则将1存入datelsedat|=0x00;//如果读到的数据是0，则将0存入dat//将单片机检测到的电平信号DQ存入r[i]for(time_DS18B20=0;time_DS18B208;time_DS18B20++);//延时3us,两个读时序之间必须有大于1us的恢复期}return(dat);//返回读出的十进制数据}WriteOneChar(unsignedchardat){unsignedchari=0;for(i=0;i8;i++){DQ=1;//先将数据线拉高_nop_();//等待一个机器周期DQ=0;//将数据线从高拉低时即启动写时序DQ=dat&0x01;//利用与运算取出要写的某位二进制数据,//并将其送到数据线上等待DS18B20采样for(time_DS18B20=0;time_DS18B2010;time_DS18B20++);//延时约30us，DS18B20在拉低后的约15~60us期间从数据线上采样DQ=1;//释放数据线for(time_DS18B20=0;time_DS18B201;time_DS18B20++);//延时3us,两个写时序间至少需要1us的恢复期dat=1;//将dat中的各二进制位数据右移1位}for(time_DS18B20=0;time_DS18B204;time_DS18B20++);//稍作延时,给硬件一点反应时间}voidReadyReadTemp(void){Init_DS18B20();//将DS18B20初始化WriteOneChar(0xCC);//跳过读序号列号的操作WriteOneChar(0x44);//启动温度转换for(time_DS18B20=0;time_DS18B20100;time_DS18B20++);//温度转换需要一点时间Init_DS18B20();//将DS18B20初始化WriteOneChar(0xCC);//跳过读序号列号的操作WriteOneChar(0xBE);//读取温度寄存器,前两个分别是温度的低位和高位TL=ReadOneChar();//先读的是温度值低位TH=ReadOneChar();//接着读的是温度值高位}voiddisplay(){if(TH=8){TH=~TH;//当温度为负数时求负数的补码TL=~TL;TL=TL+1;flag=1;//当温度为负值时标志置1if(TL==0)TH+=1;}duan[0]=TL&0X0f;//保存小数部分的值temp=(((TH4)&0x70)|(TL4));//将高8位的低3位和低8位的高4位合并构成温度的整数部分duan[3]=temp/100;//取百位duan[2]=temp%100/10;//取十位duan[1]=temp%10;//取个位P2=xiaoshu[duan[0]];//显示小数部分P3=0x01;delaynms(3);P3=0;if(duan[3])//显示百位{P3=weikong[3];P2=table[duan[3]];delaynms(3);P3=0;}if(duan[3]){//显示十位P3=weikong[2];P2=table[duan[2]];delaynms(3);P3=0;}else{if(duan[2])//显示十位{P3=weikong[2];P2=table[duan[2]];delaynms(3);P3=0;}}P3=weikong[1];//显示个位P2=table[duan[1]];dot=0;//显示小数点delaynms(3);P3=0;if(flag)//当温度为负数时显示符号位{P2=0xbf;if(!duan[3]){P3=0x08;if(!duan[2])P3=0x04;}else{P3=0x10;}delaynms(1);P3=0;flag=0;}delaynms(25);//延时一段时间}voidmain(void){while(1)//不断检测并显示温度{ReadyReadTemp();//读温度准备display();if((temp25)||(temp35))//如果温度超出范围继电器工作控制温度{jdq=1;}else{jdq=0;}}}