无线电装接工高级工复习题及答案

无线电装接工高级工复习题及答案一、判断题1.导体的长度和截面都增大一倍，其电阻值也就增大一倍。(×)2.某电阻两端的电压为10V时，其电阻值为10Ω；但当电压升至20V时，其电阻值也将为20Ω。(×)3.几个电阻并联后的总电阻值一定小于其中任一只电阻的阻值。(√)4.加在负载两端的电压改变了，但它消耗的功率是不会改变的。(×)5.我国通常用的交流电的频率为50Hz，这个频率叫做工频。(√)6.在正弦交流电U=311sin（628t+90°）中，它的有效值为220V，初相位为90°，频率为50Hz。(×)7.若Z=0，则表示电路中是只有电阻的纯电阻电路。(×)8.电压源和电流源等效变换前后电源内部是不等效的。(√)9.恒压源和恒流源之间也是可以进行等效变换。(×)10.因为C=Q/U，所以C与Q成正比，与U成反比。(×)11.电容器所存储的电场能与电容两端的电压成正比。(×)12.比较不同频率的两个交流电压的相位差没有实际意义。(√)13.频率、周期和角频率均反映了交流电变化的快慢。(√)14.只有同频率的正弦量才能用相量进行加、减运算。(√)15.在三相四线制电路中，线电压为相电压的3倍。(√)16.N型半导体的多数载流子是电子，因此它应带负电。（√）17.当温度升高时，半导体的导电能力将减弱。（×）18.半导体二极管的主要特点是具有电压放大作用。（×）19.理想二极管的正向电阻为无穷大。（×）20.稳压管反向击穿后，其后果为只要流过稳压管电流不超过规定值允许范围，管子无损。（√）21.对放大电路进行静态分析的主要任务是确定静态工作点Q。（√）22.在直接耦合放大电路中，采用差动式电路结构的主要目的是提高带负载能力。（×）23.晶体管的主要特点是具有单向导电性。（×）24.所谓晶体管输出特性曲线中的线性区域是指放大区。（√）25.双端输出电路对称的差动放大电路，对共模输入信号的电压放大倍数近似等于一个管子的电压放大倍数。(×)26.时间常数是表征电容充放电速度的参数，通常t=Γ时即可认为过渡过程结束。（×）27.在时间和幅度上都断续变化的信号是数字信号，语音信号不是数字信号。（√）28.“异或”门是判断两个输入信号是否相同的门电路，两个输入状态相异时输出为“0”。（×）29.与门和非门通常有两个或两个以上的输入端，一个输出端。（×）30.七段数码显示器是用a～g七段发光段组合来构成二进制数的。（×）31.采用十进制计数时，无需译码既可送到驱动显示电路进行数码显示。（×）32.常见8线—3线编码器有8个输出端，3个输入端。（×）33.译码电路将输入得到二进制代码转换成对应的某个特定的信息。(√)34.基本RS触发器要受时钟的控制。（×）35.施密特触发器是一个双稳态触发器。（√）36.在触发器的逻辑符号中，用小圆圈表示反相。（×）37.把模拟信号转换成数字量的过程称为A/D转换。（√）38.单稳触发器的暂稳态时间的长短与触发脉冲得到宽度有关。（×）39.JK触发器都是采用下降沿触发的。（×）40.优先编码器中，允许几个信号同时加到输入端，所以，编码器能同时对几个输入信号进行编码。（×）41.单相桥式整流电路在输入交流电的每个半周内都有两只二极管导通。（√）42.三相整流电路中，承受正向电压的二极管一定导通。（×）43.整流电路接入电容滤波后，输出直流电压下降。（×）44.硅稳压二极管可以串联使用，也可以并联使用。（×）45.串联型稳压电路中的电压调整管相当于一只可变电阻的作用。（√）46.半波整流电路和桥式整流电路中整流二极管的最高反向电压相同（√）47.共模抑制比越小，差模放大电路的性能越好。（×）48.实际运放在开环时，输出很难调整到零电位，只有在闭环时才能调至零电位。(√)49.用恒流源电路代替典型差动放大电路中的公共射极电阻RE，可以提高电路的KCMR(√)50.反相器既能使输入信号倒相，又具有电压放大作用。（×）二、单选题1.任何一个含源二端网络可以用一个适当的理想电压源与一个电阻(A)来代替。（A）串联（B）并联（C）串联或并联（D）随意联接2.电流为５A,内阻为２Ω的电流源变换成一个电压源时，电压源的电动势和内阻为(A)．（A）10V，２Ω（B）2.5V，２Ω（C）０.４V，２Ω（D）４V，２Ω3.电动势为10V，内阻为2Ω的电压源变换成电流源时，电流源的电流和内阻是(C)。（A）10A，2Ω(B)20A，2Ω（C）5A，2Ω（D）2A，5Ω4.正弦交流电压u=100sin(628t+60°)V，它的频率为(A)。(A)100Hz(B)50Hz(C)60Hz(D)628Hz5.关于正弦交流电相量的叙述中，(C)的说法不正确的。(A)模表示正弦量的有效值(B)幅角表示正弦量的初相(c)幅角表示正弦量的相位(D)相量只表示正弦量与复数间的对应关系6.两个阻值均为R的电阻串联后接于电压为U的电路中，各电阻获得的功率为P，若两电阻改为并联，仍接在U下，则每个电阻获得的功率为(C)P。(A)2(B)3(C)4(D)57.在非阻性电路中，有功功率P、无功功率Q、视在功率S这三者之间的关系为(B)。(A)S=P+Q(B)S2=P2+Q2(C)Q2=S2+P2(D)S=P+Q8.三相对称负载星形联接的电路中，I线与I相之间的关系是(A)。（A）I线=3I相（B）I线=3I相（C）I线=3／3I相（D）I线=1/3I相9.磁阻的单位是(B)。（A）亨（B）亨-1（C）米/亨（D）亨10.在一个磁导率不变的磁场路中，当磁通势为10安匝时，磁通为0.5韦，当磁通势为5安匝时，磁阻为(A)亨利-1。（A）20（B）0.5（C）2（D）1011.磁极周围存在着一种特殊物质，这种物质具有力和能的特性，该物质叫(B)。（A）磁性（B）磁场（C）磁力（D）磁体12.在铁磁物质组成的磁路中，磁阻是非线性的原因是(A)是非线性的。（A）磁导率（B）磁通（C）电流（D）磁场强度13.(D)的说法是不正确。（A）磁场具有能的性质（B）磁场具有力的性质（C）磁场可以相互作用（D）磁场也是分子组成14.自感系数与线圈的(D)无关。（A）几何形状（B）匝数（C）磁介质（D）电阻15.不属于三相交流电源对称的条件的是：(D)。（A）有效值相等（B）角频率相同（C）相位角互差120度（D）初相位相同16.下面有关串联电路，描述不正确的有：(C)。（A）电流强度处处相等（B）电路中，大电阻上将会分得大的电压（C）电路中，电阻上的获得的功率大小与电阻的阻值成正比（D）在电源不变的情况下，串接的电阻越多，则电流强度越大17.下面有关并联电路，描述不正确的是(B)。（A）电阻两端的电压相等（B）电路中，大电阻上将会分得大的电流（C）电路中，电阻上的获得的功率大小与电阻的阻值成反比（D）在电源不变的情况下，并接的电阻越多，则总的电流强度越大18.有纯电感电路中，下列描述不正确的是：(B)。（A）频率增加、感抗上升（B）频率下降、电流强度下降（C）相位上电压超前电流90度（D）电感元件不消耗能量19.叠加原理不适用于(C)电量的计算。（A）电压（B）电流（C）功率20.电容器在充电过程中，有关电容的充电电流、电容器上的电压描述正确的有(D)。（A）充电电流增加、电容器两端电压下降（B）充电电流增加、电容器两端电压上升（C）充电电流减小、电容器两端电压下降（D）充电电流减小、电容器两端电压上升21.电容器在放电过程中，有关电容的放电电流、电容器上的电压描述正确的有(C)。（A）充电电流增加、电容器两端电压下降（B）充电电流增加、电容器两端电压上升（C）充电电流减小、电容器两端电压下降（D）充电电流减小、电容器两端电压上升22.在闭合电路中，闭合电路的电流，与电源的电动势成(A)比。（A）正比（B）反比不成比例23.在闭合电路中，闭合电路的电流，与整个电路的电阻成(B)比。（A）正比（B）反比不成比例24.下面有关电容的描述正确的是(A)。（A）能够存储电荷（B）其容量的大小取决于加在电容器两端电压的大小（C）存储电荷的数目是一定的（D）加在电容器两端电压没有一定的限制25．型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为（C）。(A)1V(B)0.2V(C)0.6V26、电路如图所示，二极管为同一型号的理想元件，电阻R=4k，电位uA=1V，uB=3V，则电位uF等于（A）。(A)1V(B)3V(C)12VR+12VuAuBuFDD27、如果把一个小功率二极管直接同一个电源电压为15V、内阻为零的电源实行正向连接，电路如图所示，则后果是该管（D）。(A)击穿(B)电流为零(C)电流正常(D)电流过大使管子烧坏11.5VD+-28、电路如图所示，二极管D为理想元件，US=5V，则电压UO=（A）。(A)Us(B)US/2(C)零RLDUSuO+-+-29、电路如图所示，二极管D1、D2为理想元件，判断D1、D2的工作状态为（A）。(A)D1导通，D2截止(B)D1导通，D2导通(C)D1截止，D2导通(D)D1截止，D2截止D1D215V12VR+-+-30、用万用表检查二极管的好坏，正反各测两次，当两次测量为如下（A）状态时，二极管为坏的。(A)两次偏转相差很大(B)两次偏转都很大31、工作在放大区的某晶体管，当IB从60μA增大至80μA时，IC从4mA变为8mA，则它的β值约为（A）。(A)200(B)20(C)10032、某晶体管的发射极电流等于2mA，集电极电流等于1.8mA，则它的基极电流等于（C）mA。(A)0.8(B)3.8(C)0.2(D)0.0233、测得某放大电路中晶体管的三个管脚1，2，3的电位分别为2V，6V和2.7V，则该晶体管为（A）。(A)NPN型Si管(B)NPN型Ge管(C)PNP型Si管(D)PNP型Ge管34、发射结，集电结均反偏，三极管工作在（C）区。(A)放大(B)饱和(C)截止35、电路如图所示，稳压管DZ正向压降视为零，它的稳定电压为7V，则回路中的电流等于（A）。(A)0(B)10mA(C)25mA(D)5.75mARDZ+-4003V36、电路如图所示，设DZ1的稳定电压为6V，DZ2的稳定电压为12V，设稳压管的正向压降为0.7V，则输出电压UO等于（B）。(A)18V(B)6.7V(C)30V(D)12.7V30V2kUODZ1DZ2+-+-37、已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为6V、9V和6.3V，则6V所对应的电极为（A）。(A)发射极(B)集电极(C)基极38、在计算低频小功率晶体管输入电阻rbe时，有三位同学用了三种方法，而且计算结果差别很大，请指出正确的表达式是（C）。(A)BBEIUrbe(B)BCEIUrbe(C)mAmV26300BIrbe39、电路如图所示，晶体管处于（A）。(A)饱和状态(B)放大状态(C)截止状态T12VRERC40、固定偏流电路如图示，当室温升高时，其三极管的IBQ，ICQ，UCEQ分别会（C）。(A)增大，减小，减小(B)增大，减小，增大(C)增大，增大，减小41、电路如图示，用直流电压测量时，若出现UCE=0或UCE=UCC，说明三极管分别工作在(B)状态。(A)放大，截止(B)饱和，截止(C)截止，饱和42、共集放大电路的特点是(B)。(A)电压放大倍数较大，输入与输出电压反相，输出电阻较高，高频特性差(B)电压放大倍数近似为1，输入与输出电压同相，输入电阻较高，输出电阻较低(C)电压放大倍数较大，输入与输出电压同相，输入电阻较低，输出电阻较高，高频特性好43、一般作为多级放大电路的输入级，输出级，阻抗变换及缓冲(隔离级)的是(B)组态。(A)共射(B)共集(C)共基44、因为阻容耦合电路(B)的隔直作用，所以各级静态可独自计算。(A)第一级的隔直电容(B)两级间的耦合电容(C)末级的隔直电容45、将单管放大电路的放大倍数为100，接上第二级放大电路后，该单管放大电路的放大倍数变为80，放大倍数降低的原因为(B)。(A)