电工学电子技术：下册》期末试题汇总

2013年电工学下册复习试卷《内部资料》第九章：半导体二极管和三极管、第十章：基本放大电路一、单项选择题1．若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为（C）A、正、反向电阻相等B、正向电阻大，反向电阻小C、反向电阻比正向电阻大很多倍D、正、反向电阻都等于无穷大2．电路如题2图所示，设二极管为理想元件，其正向导通压降为0V，当Ui=3V时，则U0的值(D)。A、不能确定B、等于0C、等于5VD、等于3V3．半导体三极管是具有(B)PN结的器件。A、1个B、2个C、3个D、4个4．晶体管的主要特性是具有（D）。A、单向导电性B、滤波作用C、稳压作用D、电流放大作用5．稳压管的稳压性能是利用PN结的（D）。A、单向导电特性B、正向导电特性C、反向截止特性D、反向击穿特性6．对放大电路进行动态分析的主要任务是（C）A、确定静态工作点QB、确定集电结和发射结的偏置电压C、确定电压放大倍数Au和输入、输出电阻ri，r0D、确定静态工作点Q、放大倍数Au和输入、输出电阻ri，ro7．射极输出器电路如题7图所示，C1、C2足够大，对输入的交流信号u可视作短路。则输出电压u0与输入电压ui之间的关系是(B)。A、两者反相，输出电压大于输入电压B、两者同相，输出电压小于且近似等于输入电压C、两者相位差90°，且大小相等D、两者同相，输出电压大于输入电压8．在共射极放大电路中，当其他参数不变只有负载电阻RL增大时，电压放大倍数将(B)A、减少B、增大C、保持不变D、大小不变，符号改变9．在画放大电路的交流通路时常将耦合电容视作短路，直流电源也视为短路，这种处理方法是(A)。题2图题7图A、正确的B、不正确的C、耦合电容视为短路是正确的，直流电源视为短路则不正确。D、耦合电容视为短路是不正确的，直流电源视为短路则正确。10．PN结加适量反向电压时，空间电荷区将（A)。A、变宽B、变窄C、不变D、消失11．题11图示三极管的微变等效电路是（D)12．题12图示放大电路，输入正弦电压ui后，发生了饱和失真，为消除此失真应采取的措施是（C）A.增大RLB.增大RCC.增大RBD.减小RB13．电路如题21图所示，设二极管为理想组件，其正向导通压降为0V，则电路中电流I的值为（A）。A.4mAB.0mAC.4AD.3mA14．固定偏置单管交流放大电路的静态工作点Q如题22图所示，当温度升高时，工作点Q将（B）。A.不改变B.向Q′移动C.向Q″移动D.时而向Q′移动，时而向Q″移动15．电路如题24图所示，设二极管为理想组件，其正向导通压降为0V，则电路中电流I的值为(B)。A.1mAB.0mAC.1AD.3mA16．某固定偏置单管放大电路的静态工作点Q如题25图所示，欲使静态工作点移至Q′需使(D)。A.偏置电阻RB增加B.集电极电阻Rc减小C.集电极电阻Rc增加D.偏置电阻RB减小17．半导体三极管是一种（C）A.电压控制电压的器件B.电压控制电流的器件C.电流控制电流的器件D.电流控制电压的器件题22图题21图题24图题25图题11图题19图题12图18．题28图示放大电路中，电容CE断开后电路的电压放大倍数的大小将（A）A.减小B.增大C.忽大忽小D.保持不变19.电路如题29图所示，二极管D1，D2，D3均为理想组件，则输出电压uo（A）A.0VB.－6VC.－18VD.+12V20．三极管处于放大状态时（B）发射结反偏，集A.电结正偏B.发射结正偏，集电结反偏发射结与集电C.结均正偏D.发射结与集电结均反偏21．题31图所示电路中，已知VCC=12V，RC=3kΩ，晶体管β=50，且忽略UBE，若要使静态时UCE=6V，则RB应取（B）A．200kΩB．300kΩC．360kΩD．600kΩ二、填空题1.N型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。2．二极管最重要的特性是单向导电性。3．给半导体PN结加正向电压时，电源的正极应接半导体的__P__区，电源的负极通过电阻接半导体的N区。4．半导体三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。5.半导体二极管导通的条件是加在二极管两端的正向电压比二极管的死区电压要大（或高）。6．若给三极管发射结施加反向电压，可使三极管可靠的截止。7．在题7图所示电路中，若仅是RL增大，则电压放大倍数的绝对值将增大(增大?减小?或不变?)，输出电阻值将不变(增大?减小，或不变?)。8．造成固定偏置电压放大电路静态工作点不稳定的主要原因是温度变化。9．某放大电路在负载开路时，输出4V电压；接入1kΩ负载后，其输出电压降为2V，则放大电路的输出电阻为1kΩ。10．电压并联负反馈使放大电路的输入电阻减小，输出电阻减小。题28图题29图题31图题7图11．二极管具有单向导电特性，其正向电阻远远小于反向电阻。当二极管加上正向电压且正向电压大于死区电压时，正向电流随正向电压的增加很快上升。12．半导体的导电能力随着温度的升高而增大（或增强）。13．PN结加反向电压时，其空间电荷区将__变宽_，使__漂移__运动占优势。14．如果放大电路的静态基极电流太大，会产生饱和失真。15．射极输出器中，输入电压和输出电压的相位是同相的。16．锗（硅）二极管的正向电压降大小的范围是0.2～0.3（0。6－0。7）V。17．根据三极管结构的不同，有NPN和__PNP__两种。18．PN结的基本特性是单向导电性。19．三极管的静态工作点过低，将使输出电压出现_截止失真。三、简析题：1．题1图示电路中，已知VCC=24V，RB=800kΩ，RC=6kΩ，RL=3kΩ，UBE=0.7V，晶体管电流放大系数β=50，rbe=1.2KΩ。试求：（1）放大电路的静态工作点(IBQ，ICQ，UCEQ)。（2）电压放大倍数Au、输入电阻ri、输出电阻ro。1解：(1)3243080010CCBQBUIAR(2)//6//35083.31.2CLubeRRAr2．在题2图所示电路中，已知三极管的β=40，电容C1和C2足够大，求电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。2解：312240100.7BQI3．题3图示放大电路中三极管的UBE=0.7V，UCC=12V，RC=2kΩ，RB=280kΩ，RL=6kΩ，C1、C2足够大，输入电压有效值Ui=0．1V，输出电压有效值U0=8V.求：三极管的电流放大系数β。3解：CCBQBBEUIRU题1图题2图题3图333336210610261080(300)21061040.410∴504．题4图所示放大电路中三极管的UBE=0.7V，电阻RB1上直流压降为8V，RC=2kΩ，RE=1.5kΩ，求UCE.。4解：电位BV、EV分别是：四、计算题：1．题1图示放大电路中，三极管β=50、rbe=1kΩ，R2=3kΩ，R3=1kΩ，C1、C2足够大，求：(1)画出放大电路的微变等效电路；(2)推导当输出端未接负载电阻RL时的电压放大倍数AUUui0的一般关系式；(3)求当输出端接负载电阻RL=3kΩ时的电压放大倍数Au=?1解：1）2．题2图示放大电路中，三极管的β=50，UBE=0.6V，输入信号ui=3sinωtmV。对于该交流信号，C1、C2足够大，可视为短路。问：(1)当πωt2π时，三极管的发射结是否处于反向偏置?为什么?(2)该放大电路的电压放大倍数Au为多少?(3)该放大电路的输入电阻和输出电阻各为多少?2解：（1）三极管的发射结总电压：BEBEbeuUu，当πωt2π时，30bemVu，且32t时，3bebemuUmV故：0.7(0.003)0.697BEBEbeuUuV可见三极管的发射结不是处于反向偏置而是处于正向偏置。（2）120.720560CCBEBBUUIAR（3）1.6iberrk6oCrRk3．题3图示三极管放大电路，已知Ucc=12V，RC=5kΩ，三极管的β=100,rbe=2.5kΩ，UBE忽略不计，C1、C2足够大。（1）当RB调到1MΩ时，试求静态IB、IC、UCE的数题2图题3图题4图题1图值。（2）如果RB调到0时，会发生什么情况?在实际电路中可采取什么措施加以避免?（3）如果RB断开，放大电路还能否正常工作?为什么?（4）如果开关S闭合，对静态IB、IC、UCE的数值有无影响?（5）求开关S打开时电路的电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。(RB=1MΩ)（6）当该电路正常放大工作时，如果输入正弦电压ui的有效值不变，将开关S闭合，则输出电压u0的有效值是增大还是减少?3解：（1）1BRM，3120.0121210CCBBUVImAARk1000.0121.2CBIImA，121.256CECCCCUUIRV（2）如果0BR，则三极管因发射结电压12BEUV太大而烧坏。可用一个100Rk的电阻和BR串联接入原电路加以避免。（3）如果BR断开，则0BI,三极管将工作在截止状态，不能再进行放大工作。（4）如果S闭合，对静态IB、IC、UCE的数值无影响，因为有2C的隔直作用。（5）当S打开时，电路处在空载状态，此时：51002002.5CuobeRAr，2.5iberrk，5oCrRk（6）当S闭合时，电路处在负载状态，此时：由于LCRR，∴uuoAA，则当该电路正常放大工作时，如果输入正弦电压ui的有效值不变，输出电压u0的有效值将减少。4．电路如题4图图1所示，晶体管T的输出特性如题8图2所示，已知UCC=20V，RC=0.5KΩ，晶体管工作在Q点时的IB=200μA，求：(1)计算偏置电阻RB，此时的电流放大系数β，晶体管的集射极电压降UCE，(设UBE=0.6V)；(2)若电路中其它参数不变，仅仅改变偏置电阻RB，将集电极电流IC和集射极电压降UCE的关系曲线画在输出特性上。4解：（1）晶体题4图管T的输出特性（图2）可求出：201000.2CQBQII，（2）若电路中其它参数不变，仅仅改变偏置电阻RB，将集电极电流IC和集射极电压降UCE的关系曲线画在输出特性上。因为CECCCCUUIR，可找出两点20(0,40)0.5CCCECCUUIVR；(0,)CCECCIUU，从而可画出集电极电流IC和集射极电压降UCE的关系曲线（直流负载线）如图所示：5．题5图示放大电路中，三极管的β＝30，UBE＝0.7V，C1、C2、CE足够大。求：（1）输入电压ui=0.141sinωtV时，输出电压u0=?（2）输出端接负载电阻RL＝1.2kΩ后，输出电压u0=?（3）RL＝1.2kΩ时，换一个同类型的三极管β＝60，输出电压u0=?5解：（1）101242010BVV（2）21.20.75LCLRRRk（3）26300(1)beErI26300(160)1.261.65k6．放大电路及晶体管输出特性曲线如题6图的图1和图2所示，UBE忽略不计，要求：(1)欲使Ic=2mA，则RB应调至多大阻值?(2)若ib=0.02sinωtmA，试画出iC,uCE和u0随时间t变化的波形图。解：（1）由晶6体管输出特性曲线（题6图图2）可求出当2CImA时，2500.04CBII，0.04BImA（2）由方程CECCCCUUIR可画出直流负载线MN，并在图上画出iC,uCE和题6图题5图u0随时间t变化的波形图如下图所示：7．题7图示放大电路中，已知RB上的静态电压U1=9.4V，三极管的β=50，信号源电压ES=10mV。试求：（1）三极管的输入电阻rbe；（2）放大电路的电压放大倍数u•A；（3）放大电路的输入电压Ui；（4）放大电路的输出电压U0。7解：（1）39.40.04720010BImA（2）502117.20.