中美半导体技术差距

中美半导体技术差距总审计局报告得出结论说，从美国的安全考虑，这种情况不容继续放任下去，并建议国防部、国务院和商务部等有关部门应该尽早修改现行出口管理办法。中美半导体技术差距美国国会总审计局一份报告称，随着日本等外国企业赴华投资办厂，中国半导体技术迅速提高，以往美中两国在这项技术上相差十几年，但现在这种差距已缩小到不足两年。由于半导体对于制造高科技武器不可或缺，美国政府一直限制出口，希望借此在这项技术上至少领先中国20年，但总审计局报告指出“差距已在为缩小”，并建议政府彻底改变出口管理规定。中国自1986年以来，便把提高半导体技术作为国家大计。为借助该项技术提升军工产业，中国在发展国内半导体技术的同时，还以无偿提供工厂用地和采取优惠税制等办法吸引外国有关企业。其结果是，中国出现了53个“硅谷”式高科技工业区，像日本NEC上海工厂那样拥有最新技术的半导体工厂也纷纷建成。另据美国国防部要员向总审计局所作解释，中国的军事现代化路线是优先发展特定而非各方面齐头并进，半导体技术则属于重点领域之一。实际上，美国空军最新机型核心部分所使用的半导体，已落后于现在中国有能力制造出的半导体。总审计局向美国政府和国会提交的《限制出口和中国半导体技术迅速提高》报告指出，由于半导体技术对于从汽车制造到武器研制的许多现代产业都不可缺少，美国政府重点考虑到这项技术转用于军事的危险，从1979年后一直采取出口管理法对半导体技术的外流加以限制。由于中国半导体技术的迅速提高，1986年时曾相差十几年的美中两国技术现在只有不到两年的差距，而且美国政府力图领先中国半导体技术20年的政策也难以为继。报告建议，应该控索限制出口对美国企业千万损失与保障美国安全之间的契合点，同时尤应将最重要的军事转用技术汇编成目录并探讨对其加以管理的办法。国内与发达国家化合物半导体技术差距的原因一、社会上对化合物半导体技术的重要性和必然性认识不足；二、对化合物技术发展的近期、中期、长期规划考虑不足；三、从事化合物半导体技术研发的单位少，缺少大企业强有力地介入与支持；四、国家对化合物半导体技术的投资力度远远不够；五、缺乏一流的研究人才；六、缺乏对化合物半导体基础理论的研究；七、化合物半导体技术从材料、器件到应用，水平都跟不上发展的需要；八、现有的布局形成不了生产能力，无法进入市场。半导体技术的发展前景技术要在离产品最近的地方下功夫。半导体技术是1948年美国贝尔电话研究所三位学者发明的。50年代初，他们又发明了半导体收音机，但因成品率太低、成本和价格太高，进人不了市场。1952年，索尼会社创始人盛田昭夫到美国考察，他看到了美国贝尔电话公司的半导体技术的发展前景。1953年引进了这项技术，并组成近千人的研究所，全力以赴攻关提高成品率技术，终于获得成功，降低了成本，制成低价半导体收音机投入市场。尔后又制成半导体电视机、录音机、录像机、洗衣机等多种产品。它们还用半导体技术制成电子表，挤占了瑞士手表市场；用半导体技术制成“傻瓜”照相机，挤占了原联邦德国相机市场；用半导体技术于机器工业，生产出机器人，挤占了发明机器人的美国市场。荷兰人发明的激光唱盘，美国加州安派克斯公司发明的磁带录音机、录像机，美国施乐公司发明的复印机，以及美国人发明的传真机等等多项技术，经过日本引进改进之后，进人并占领世界市场。传统半导体技术极限美国英特尔公司的技术战略部主任近日称，传统半导体技术的极限为栅极长度2纳米。指出这点的该技术战略部主任P.甘吉尼（译音）博士，还兼任国际半导体技术发展进程委员会的委员长，是国际上知名的半导体技术专家。而国际半导体技术发展进程委员会则是预测半导体技术研究和开发状况的权威组织。P.甘吉尼博士介绍说：“1990年代一些人预测，半导体的加工线宽如果小于100纳米（即0.1微米），则需要有全新的器件制造技术。这实际是一种误解。英特尔公司在2003年内会实现全部的器件生产都转移至100纳米线宽的工艺。”甘吉尼博士认为，无论从技术上来观察，还是从经济上考核，利用传统的半导体器件技术在今后10年都不会达到其微细化的极限。不少人记得，在2000年前后一些专家曾提出，到2013年传统的半导体器件技术将走到其尽头。而近几年来半导体技术的进展证明，这一时限将进一步推后。甘吉尼博士指出，影响半导体器件进一步缩小体积的问题是：科研人员已发现，即使不施加电压，也会发生电流流动的现象。甘吉尼博士认为，传统半导体技术的极限标志是栅极长度为2纳米，低于此限度则必须要有全新的半导体技术。上述的栅极长度是衡量半导体器件大小的重要指标。甘吉尼博士说，当前的硅材料半导体技术还可在未来的一段时间内继续为人们服务。日半导体工业界联合开发新的半导体技术日本电子机械工业会近日宣布,11家半导体制造厂家将实现大联合,并同政府科研机构和大学合作,实施名为“Asuka”的计划,以共同研究开发新的半导体技术。据该会发表的计划概要说,这项计划的目标是在5年内开发出线幅为0.1到0.07微米的系统芯片制造技术,其中包括设计技术和工艺制造技术。这项研究开发计划的投资总额为760亿日元,投入研究人员340名,研究开发活动将由11家有关企业组成的半导体理工学研究中心和半导体尖端技术公司承担。日本半导体工业界实行大联合,共同开发新的半导体技术主要是因为,目前世界半导体技术发展已从动态存储器技术发展到系统芯片技术,即在一块芯片上集成整个系统的技术,因此对设计技术和细微化的工艺技术有了更高的要求。21世纪数字网络建设仍需要有高度发达的半导体技术作为基础,也是一个重要原因。此外,日本的半导体工业在90年代被美国赶超,它在世界半导体市场上所占比份由80年代的超过50％减少到50％以下,因而感到有必要进一步提高自己的国际竞争力。