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LM386中文资料PDF简介：LM386中文资料PDF是专为低损耗电源所设计的功率放大器集成电路。它的内建增益为20，透过pin1和pin8位间电容的搭配，增益最高可达200。LM386可使用电...是专为低损耗电源所设计的功率放大器集成电路。它的内建增益为20，透过pin1和pin8脚位间电容的搭配，增益最高可达200。LM386可使用电池为供应电源，输入电压范围可由4V~12V，无作动时仅消耗4mA电流，且失真低。LM386的内部电路图及引脚排列图如图1、图2所示，表1为其电气特性。图1.内部电路图图2引脚功能图极限参数：电源电压（LM386N-1，-3，LM386M-1）15V电源电压（LM386N-4）22V封装耗散（LM386N）1.25W（LM386M）0.73W（LM386MM-1）0.595W输入电压±0.4V储存温度-65℃至+150℃操作温度0℃至+70℃结温+150℃焊接信息焊接（10秒）260℃小外形封装（SOIC和MSOP）气相（60秒）215℃红外（15秒）220℃热电阻qJC（DIP）37℃/WqJA（DIP）107℃/WqJC（SO封装）35℃/WqJA（SO封装）172℃/WqJA（MSOP封装）210℃/WqJC（MSOP封装）56℃/W表1.LM386电气特性Parameter参数测试条件最小典型最大单位OperatingSupplyVoltage(VS)操作电源电压-LM386N-1,-3,LM386M-1,LM386MM-14-12VLM386N-4-5-18VQuiescentCurrent(IQ)静态电流VS=6V,VIN=048mAOutputPower(POUT)输出功率--LM386N-1,LM386M-1,LM386MM-1VS=6V,RL=8W,THD=10%250325-mWLM386N-3VS=9V,RL=8W,THD=10%500700-mWLM386N-4VS=16V,RL=32W,THD=10%7001000-mWVS=6V,f=1kHz26-dBVoltageGain(AV)电压增益10μFfromPin1to846-dBBandwidth(BW)宽带VS=6V,Pins1and8Open300-kHzTotalHarmonicDistortion(THD)总谐波失真VS=6V,RL=8W,POUT=125mWf=1kHz,Pins1and8Open-0.2-%PowerSupplyRejectionRatio(PSRR)电源抑制比VS=6V,f=1kHz,CBYPASS=10μFPins1and8Open,ReferredtoOutput-50-dBInputResistance(RIN)输入电阻--50-kΩInputBiasCurrent(IBIAS)输入偏置电流VS=6V,Pins2and3Open-250-nALM386低电压音频功率放大器的工作原理与典型应用电路图概述(Description):LM386是美国国家半导体公司生产的音频功率放大器，主要应用于低电压消费类产品。为使外围元件最少，电压增益内置为20。但在1脚和8脚之间增加一只外接电阻和电容，便可将电压增益调为任意值，直至200。输入端以地位参考，同时输出端被自动偏置到电源电压的一半，在6V电源电压下，它的静态功耗仅为24mW,使得LM386特别适用于电池供电的场合。LM386的封装形式有塑封8引线双列直插式和贴片式。特性(Features):*静态功耗低，约为4mA,可用于电池供电。*工作电压范围宽，4-12Vor5-18V。*外围元件少。*电压增益可调，20-200。*低失真度。典型应用电路图LM386应用电路图之增益=20LM386应用电路图之增益=200LM386应用电路图之增益=50LM386应用电路图之低频提升放大器LM386作正弦波振荡器电路图