巨磁阻抗磁传感器的研究进展

巨磁阻抗磁传感器的研究进展作者：蒋颜玮，房建成，盛蔚，黄学功，JIANGYan-wei，FANGJian-cheng，SHENGWei，HUANGXue-gong作者单位：北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院,北京,100083刊名：仪表技术与传感器英文刊名：INSTRUMENTTECHNIQUEANDSENSOR年，卷(期)：2008，(5)被引用次数：2次参考文献(38条)1.MOHRIK.KOHZAWAT.KAWASHIMAKMagneto-inductiveeffect(MIeffect)inamorphouswires1992(05)2.MOHRIK.PANINAIV.UCHIYAMATSensitiveandquickresponsemicromagneticsensorutilizingmagneto-impedanceinCorichamorphouswires1995(02)3.VAZQUEZM.KNOBELM.SANCHEZMLGiantmagnetoimpedanceeffectinsoftmagneticwiresforsensorapplications1997(1-3)4.MOHRIK.UCHIYAMAT.SHENLPSensitivemicromagneticsensorfamilyutilizingmagneto-impedance(MI)andstress-impedance(SI)effectsforintelligentmeasurementsandcontrols2001(1-2)5.安康.胡季帆.秦宏伟Co-Fe-Si-B非晶丝的巨磁阻抗效应研究[期刊论文]-金属功能材料2004(04)6.卢志超.李德仁.周少雄非晶纳米晶合金的国内外发展概况及应用展望2002(03)7.杨燮龙.赵振杰.袁望治纳米晶软磁材料的磁性与巨磁阻抗效应2005(z1)8.KNOBELM.PIROTAKRGiantmagneto-impedance:conceptsandrecentprogress20029.KURLYANDSKAYAGV.PRIDAVM.HERNANDOBGMIsensitiveelementbasedoncommercialVitrovacamorphousribbon200410.BUSHIDAK.MOHRIK.UCHIYAMATSensitiveandquickrespousemicromagneticsensorusingamorphouswireMIelementColpittsoscillator1995(06)11.MOHRIK.UCHIYAMAT.PANINALRecentadvancesofmicromagneticsensorsandsensingapplication199712.HAUSERH.KRAUSL.RIPKAPGiantmagneto-impedancesensors200113.NGUYENHN.NUGYENMH.TRANQVGMIeffectinamorphousandnanocrystallinemagneticmaterials2003(2-4)14.MOHRIK.UCHIYAMAY.SHENLPAmorphousWireandCMOSIC-BasedSensitiveMicro-magneticSensorsUtilizingMagneto-impedance(MI)andStress-impedance(SI)Effects2002(05)15.MOHRIK.UCHIYAMAT.SHENLPAmorphouswire&CMOSICbasedsensitivemicromagneticsensorsutilizingmagneto-impedance(MI)andstress-impedance(SI)effectsandapplications200116.YOSHINOBUHDevelopmentofamorphouswiretypeMIsensorsforautomobileuse200217.鲍丙豪.李长生.王元庆非晶丝磁电阻抗效应新型磁场传感器[期刊论文]-仪表技术与传感器2004(03)18.鲍丙豪.蒋峰.赵湛基于非晶带巨磁阻抗效应的新型弱磁场传感器[期刊论文]-传感技术学报2006(06)19.郭成锐.江建军.邸永江基于铁基非晶丝巨磁阻抗效应的新型磁传感器[期刊论文]-电子质量2006(10)20.郑金菊.余水宝.孙笑琴一种新型的磁敏传感器[期刊论文]-仪器仪表学报2005(08)21.吴志明.杨燮龙.杨介信一种新型的纳米巨磁阻抗磁敏传感器[期刊论文]-功能材料200422.杨燮龙.杨介信.赵振杰纳米巨磁阻抗效应与磁敏器件[会议论文]200123.YABUKAMIS.MAWATARIH.HOPdKOSHINAdesignofhighlysensitiveGMIsensor200524.ABDELMALEKB.CHRISTOPP.DOLABDJIANHigh-sensitivitygiantmagneto-inductivemagnetometercharacterizationimplementedwithalow-frequencymagneticnoise-reductiontechnique2005(05)25.LANDAULD.LIFISHITZEMElectrodynamicsofContinuousMediaOxford198426.UCHIYAMAT.MOHRIK.PANINALVMagneto-impedanceinsputteredamorphousfilmsformicro-magneticsensor199527.SOMMERRL.CHIENCLLongitudinalandtransversemagneto-impedanceinamorphousFe73.5Cu1Nb3Si13.5B9films199528.PANINALV.MOHNK.UCHYAMATGiantmagneto-impedanceinCO-richamorphouswiresandfilms1995(02)29.叶超群.严彪.徐政金属合金巨磁阻抗三明治结构多层薄膜研究进展[期刊论文]-上海有色金属2005(01)30.周勇.丁文.陈吉安FeSiB/Cu/FeSiB夹心薄膜巨磁阻抗效应研究[期刊论文]-磁性材料及器件2004(01)31.陈卫平.萧淑琴.王文静FeCuCrVSiB多层膜巨磁阻抗效应的研究[期刊论文]-物理学报2005(06)32.NISHIBEY.YARNADERAH.OHTANThinfilmmagneticfieldsensorutilizingmagneto-impedanceeffect200033.DELOOZEP.PANINALV.MAPPSDJSub-nanoteslaresolutiondifferentialmagneticfieldsensorutilizingasymmetricalmagnetoimpedanceinmultilayerfilms2004(04)34.商干兵.周勇.余先育夹心结构FeNi/Cu/FeNi多层膜巨磁阻抗效应研究[期刊论文]-功能材料2006(02)35.DELOOZEP.LARISSAVP.MAPPSDJACbiasedsub-nauo-teslamagneticfieldsensorforlow-frequencyapplicationsutilizingmagneto-impedanceinmultilayerfilms2005(10)36.DELOOZEP.LARISSAVP.MAPPSDJSub-nanoteslaresohtiondifferentialmagneticfieldsonsorutilizingasymmetricalmagneto-impedanceinmultilayerfilms2005(04)37.周勇.丁文.曹莹基于软磁多层膜巨磁阻抗效应的磁敏器件200538.钟智勇.石玉.刘颖力巨磁阻抗效应的非对称性[期刊论文]-功能材料2004(zk)相似文献(10条)1.学位论文马勇基于GMI效应的微磁传感器研究2008本文对内圆水纺非晶丝巨磁阻抗（GMI）效应的理论和实验进行了系统地研究，并在此基础上利用GMI效应研制了一种新型微磁传感器。主要研究内容如下：br　　对内圆水纺非晶丝的GMI相关理论进行了推导。这一理论适用于很宽的磁场和频率范围。主要将重点放在了低磁场、非饱和非晶丝GMI效应的情况下。利用三类混合了电磁波和自旋波的磁性模型以及一类非磁性模型描述了材料的GMI响应并分别对四类模型的特性特别是交换耦合效应进行了讨论，然后利用实际材料的实验结果进行了验证，并提出了其应用范围和局限性。br　　针对不同处理工艺对Co69.9Si12.5B9Fe5Cr3.5Mo0.1内圆水纺丝巨磁阻抗（GMI）特性的影响，利用冷拔等温退火处理后的Co69.9Si12.5B9Fe5Cr3.5Mo0.1非晶丝作为敏感材料，研制出一种基于内圆水纺丝GMI效应的微磁传感器.结合传感器的工作原理，设计了传感器的各个部分-敏感探头、激励电路和信号处理电路，并对传感器进行了标定.通过适当方法提高了传感器的灵敏度、线性度等性能。并分析了影响传感器性能的主要因素。br　　本传感器适合用于微弱磁场测量、磁异物检测或作为零场指示等众多无损检测领域。br　　关键词：内圆水纺非晶丝；巨磁阻抗效应；交换耦合效应；微磁传感器2.学位论文郝景毅基于GMI效应的弱磁传感器研究2008巨磁阻抗(GiantMagneto-impedance，简称GMI)效应是20世纪90年代在软磁材料领域发现的一个新的物理现象。利用GMI效应可开发高灵敏度、快速响应、低功耗的新型磁传感器，相比现在广泛应用的各种磁传感器，如磁通门传感器、霍尔传感器、巨磁电阻(GMR)传感器，巨磁阻抗传感器有着诸多无可比拟的优势。因此，GMI效应的物理机理、新材料、新工艺以及应用开发都已经成为该领域的研究热点，应用发展前景广阔。本文分析了非晶材料巨磁阻抗效应，非晶材料的处理方法和特性，以及影响巨磁阻抗(GMI)效应的因素。阐述了基于非晶带巨磁阻抗效应的传感器工作原理，设计并制作了基于非晶带巨磁阻抗效应的磁传感器，其中包括驱动信号电路、检波电路、放大滤波电路、负反馈电路和偏置电路，并通过OrCAD/PSpice对电路进行了验证和优化，完成了传感器的硬件设计。最后通过实验数据分析了基于非晶带巨磁阻抗效应磁传感器的工作特性，测试表明该传感器在一定磁场强度范围内线性度较好，灵敏度高，重复性好，可应用于各种微弱磁场检测领域。3.期刊论文吴彩鹏.邓甲昊.WUCaipeng.DENGJiahao遗传神经网络在GMI传感器设计中的应用-科技导报2010,28(8)巨磁阻抗(GMI)微磁传感器具有灵敏度高、响应速度快等突出优点,但其输出信号呈高度非线性特性.利用交流偏置方法产生非对称巨磁阻抗效应(AGMI),对磁场传感器的线性度有一定改善,但仍存在线性范围小、线性误差较大的缺点.BP神经网络具有良好的自学习、自适应和非线性映射能力,但通常训练速度较慢、易陷入局部极小值;遗传算法有很强的全局寻优能力,但其局部搜索能力不足.为充分发挥二者优点,本研究提出一种基于遗传神经网络的传感器非线性误差校正方法,并针对所设计的GMI传感器,设计了适合本系统的遗传神经网络,可通过Matlab软件实现.结果表明,经过训练的网络输出结果有序,网络的非线性映射性能良好,能精确反映该传感器系统的函数关系.该方法运算快速、精度高,对智能GMI传感器的设计具有一定工程应用价值.4.期刊论文蒋颜玮.房建成.盛蔚.黄学功.JIANGYan-wei.FANGJian-cheng.SHENGWei.HUANGXue-gong软磁非晶丝巨磁阻抗效应传感器研究进