微电子第二章 集成器件物理基础 6

2.6MOS场效应晶体管2.6.1MOS晶体管结构2.6.2MOS晶体管工作原理2.6.3MOS晶体管直流伏安特性定性测量结果2.6.4MOS晶体管的阈值电压2.6.5MOS晶体管特点2.6.7硅栅MOS结构和自对准技术2.6.8高电子迁移率晶体管2.6.0引言MOS贴晶体管和MOS工艺具有独特的优点。促进MOS晶体管发展主要有以下四大技术(a)半导体表面的稳定化技术；(b)各种栅绝缘膜的实用化；(c)自对准结构MOS工艺；(d)阈值电压的控制技术。另外，MOS在一些特种器件，如CCD(电荷耦合器件)、BDD(斗链器件)和其他的敏感器件方面应用也非常广泛。本节重点介绍MOS晶体管的工作原理和在电路应用中的MOS晶体管模型2.6.1MOS晶体管结构1．MOS晶体管结构示意图图2.52(a)显示的是N沟MOS增强型晶体管的典型结构。P沟晶体管结构与其类似，只需要将图中P和N导电类型分别改为N和P，同时改变电源极性。MOS晶体管有四个电极，分别称为s(源：source)、d(漏：drain)、g(栅：grid)和b(衬底：subtrute)。MOSFET结构MOSFET:MOSfield-effecttransistor也叫：绝缘栅场效应晶体管（InsulatedGate,IGFET）金属-绝缘体-半导体场效应晶体管(MISFET)电压控制电流—场效应晶体管MOS器件的表征：沟道长度沟道宽度wLMOSFET工作原理（NMOS为例）半导体表面场效应1.P型半导体图1P型半导体2、表面电荷减少(施加正电压)图2表面电荷减少3、形成耗尽层（继续增大正电压）图3形成耗尽层耗尽层（高阻区）4、形成反型层（电压超过一定值Vt）图4形成反型层反型层NMOS晶体管工作原理表面场效应形成反型层（MOS电容结构）NMOS工作原理VdsVgs-VtVds=Vgs-VtVdsVgs-Vt2.6.1MOS晶体管结构2．MOS结构虽然MOS晶体管与JFET都是电压控制器件，即通过栅源电压控制导电沟道来控制漏源之间的电流。但是MOS晶体管是采用电场控制感应电荷的方式控制导电沟道。为了形成成电场，在沟道区的L面覆盖了一层很薄的二氧化硅层，称为栅氧化层。栅氧化层上方程盖的一层金属铝，形成栅电极。这样从上往下，构成一种金属(Metal)—氧化物(Oxide)—半导体(Semiconductor)结构，故称为MOS结构，这一结构是MOS晶体管的核心。目前栅电极大多采用多晶硅。2.6.2MOS晶体管工作原理图2.53是增强型NMOS晶体管的直流伏安特性曲线，表示的是漏源电流和漏源电压之间的关系，以控制电压为参变量。该曲线与图2.47所示的JFET特性曲线非常类似，也分为截止区、线性区、过渡区(统称为非饱和区)以及饱和区。DIDSVGSV2.6.2MOS晶体管工作原理1．小于等于0情况：截止区若栅极和源极间外加电压小于等于0，NMOS结构图如图2.54(a)所示(图中显示的是的情况)。这时，N型掺杂浓度均很高的源区和漏区之间是掺有P型杂质的衬底，形成了两个背靠背的PN结。如果在源极和漏极间外加一电压(漏极接电源正端，源极接电源负端)，由于源区和漏区之间存在反偏的PN结，源漏间阻抗很大，只有很小的PN结泄漏电流，因此漏极和源极之间的电流近似为零。对应图2.53特性曲线上的截止区。GSVGSV0GSVDSV2.6.2MOS晶体管工作原理2．沟道的形成和阈值电压：线性区(1)导电沟道的形成如果在栅极加一个小的正向电压，使，则栅极上的正电荷在栅氧化层中产生一垂直电场。在此电场的作用下，栅氧化层下面的P型衬底表面将感生负电荷。即带负电的电子被吸引到半导体表面，而带正电的空穴被排斥离开表面。由此可见，在与栅极垂直的电场作用下，对栅极下面衬底表面的电荷进行了调制，使表面处空穴密度远低于衬底内部的空穴密度，从而导致表面处形成载流子耗尽区。随着的增加，垂直电场增强。栅氧化层下方的P型衬底表面的空穴进一步被排斥，更多的电子被吸引到表面，可能造成表面处电子密度大于空穴密度的情况，使栅氧化层下面的衬底表面出现反型层．即从原来的P型转变为N型。它是栅极外加垂直电场感生作用的结果。由于反型层是以电子为载流子的N型薄层，就在型源区和型漏区间形成了通道，称为沟道，如图2.54(b)所。NNGSV0GSV2.6.2MOS晶体管工作原理2.6.2MOS晶体管工作原理（2）阈值电压开始形成沟道时在栅极上所加的电压成为MOS晶体管的阈值电压，记为。它是MOS晶体管的一个重要参数。这种必须在栅极上加有电压才能形成沟道的MOS晶体管，称为增强型MOS晶体管。如果采用一定的工艺措施，使MOS晶体管栅氧化层下面的衬底表面再栅压时就已经形成沟道，称为耗尽型MOS晶体管，耗尽型MOS晶体管必须在栅极加有一定的负电压才能使沟道截止。耗尽型MOS晶体管沟道阈值电压是使沟道截止时的栅源电压。（3）特性曲线的线性区由于沟道相当于一个电阻，这时若同时在源漏间加有电压，便有电子由源区经过沟道到达漏区，形成漏极电流，而且与成正比，对应特性曲线上的OA范围，这就是线性区。TV0GSVDSVDIDIDSV2.6.2MOS晶体管工作原理3．漏源电压对沟道形状的影响：过渡区（1）沟道中的压降与沟道截面积在漏极电压的作用下。沟道中沿沟道方向将产生压降。对图2.52所示的增强型NMOS晶体管，漏端接正端，源端接地，因此沟道中压降是从漏端处的沿着沟道逐步变化到接地的源端。一般情况下，衬底与源端相连，因此P型衬底也处于接地的零电位。这样，对N型沟道和P型衬底之间的PN结，结上的偏置情况沿着沟道方向发生变化。靠近源端处P门结为零偏，而在靠近漏端处的那部分PN结为反偏，因此，衬底和沟道之间的PN结在靠近源端和靠近漏端处的耗尽层宽度是不同的，靠近源端处的耗尽层宽度最窄，靠近漏端处最宽。这就导致沿着沟道方向，沟道的截面积也不相等，靠源湍处沟道的截面积最大，沿沟道方向逐步减小．靠漏端处的沟道截面积最小。DSVDSV2.6.2MOS晶体管工作原理(2)特性曲线上的过渡区在较小时，沿沟道方向沟道截面积不相等的现象很不明显，这时的沟道相当于是一个截面积均匀的电阻，因此源漏电流随几乎是线性增加的，这就是上面讨论的图2.53所示特性曲线上OA那一段线性区范围。随着的增加，沿沟道方向沟道截面积不相等的现象逐步表现出来，如图2.54(b)所示。而且随着的增加，漏端处沟道和衬底之间的PN结耗尽层加宽，沟道变窄，沟道电阻增大，使随增加的趋势减慢，偏离直线关系，对应图2.53所示特性曲线上B点附近那一段范围。DSVDIDSVDSVDSVDIDSV2.6.2MOS晶体管工作原理4．沟道的夹断：饱和区(1)沟道夹断随着的进一步增加，漏端沟道进一步变窄。当增加到使漏端沟道截面积减小到零时，称为沟道“夹断”，如图2.54(c)所示，这时MOS晶体管的工作状态对应图2.53所示特性曲线上C点。(2)饱和区出现夹断时的称为饱和电压，记这时的电流为，如果再增加，虽然，由于这时漏端PN结耗尽层进一步扩大，如图2.54(d)所示，使有效沟道区中的压降仍保持为，因此通过沟道区的电流基本维持为。由于大于后基本保持不变，因此称这一区域为饱和区。当然，随着的增大，夹断点逐步向源端移动，有效沟道长度将会变小，其结果将使略有增加，这就是沟道长度调制效应。只要沟道长度较长，夹断后的增加非常缓慢．可以认为维持饱和。DSVDSVDSVDsatVDsatIDSVDSDsatVVDsatIDsatVDIDSVeffLDIDIDSV2.6.2MOS晶体管工作原理5．击穿区如果再继续增加，使漏端刚结反偏电压过大MOS晶体管进入击穿区。6．MOS晶体管的直流特性和电路符号(1)MOS晶体管道偏置条件总结上而的分析，栅源电压是否达到阈值电压决定MOS晶体管是否离开截止区。在MOS晶体管离开截止区后，再以漏源电压是否大于夹断断电压决定MOS晶体管是否进入饱和区。上述决定三个工作区的偏置条件如图2.55所示。(2)四种MOS晶体管的直流特性曲线和电路符号GSVTVGSVDSVDsatV2.6.2MOS晶体管工作原理(3)MOS晶体管转移特性MOS晶体管直流转移特性描述的是饱和区中漏源电流。随栅源电压变化的情况。显然，由图2.53所示MOS晶体管直流输出特性曲线可以得到直流转移特性。为了便于比较图2.56同时给出四种MOS晶体管的转移特性曲线。图中与对应的电压即为阈值电压，相应的横坐标为。DIGSV0DIGSVTV1GSTVV2.6.3MOS晶体管直流伏安特性定性测量结果1．截止区在范围为截止区，漏源之间尚未形成沟道，因此2．非饱和区（包括线性区和过渡区）在范围，漏源之间已形成沟道。对应于曲线上的非饱和区，分析可得该区域中的表达式为式中，为沟道中电子迁移率；和分别为沟道长和宽；为栅氧化层电容。也可以将用参数KP表示，称为跨导参数，它是PSpice软件中的一个模型参数。GSTVV0DIGSTVVDSDsatVVDI212DSDnOXGSTDSWICVVVVLnLWOXCnOXC2.6.3MOS晶体管直流伏安特性定性测量结果3．饱和区，对应于特性曲线上的饱和区。分析可以得到该区的表达式为如前所述，在饱和区，随着的增加，沟道长度稍有减少。上式中的L应该改为有效沟道长度。若引入沟道长度调制系数，代表单位漏源电压引起的沟道长度的相对变化率。则得饱和区中的电流表达式为GSTVVDSDsatVVDI22DDsatGSTWKPIIVVLDSVeffLLLDSLVL212DDsatGSTDSWKPIIVVVL2.6.4MOS晶体管的阈值电压1．MOS阈值电压的基本表达式阈值电压是表征MOS晶体管的重要性能参数。由器件物理得出：与栅极材料、栅绝缘层厚度、衬底掺杂浓度和半导体与一氧化硅界面的质量等因素有关。对NMOS晶体管，分析可得(2.78)下面说明2.78式中各项的含义。(a)为“平带电压”。它表示由于栅极材料和衬底材料间的功函数差以及栅氧化层中固定正电荷的影响(与Si-SiO2界面和SiO2质量因素有关)而引起的电压偏移。式中，等于栅极材料和衬底材料间的功函数差除以电子电荷；为氧化层固定表面电荷密度，一般情况下其大小为；为单位面积栅氧化层电容(简称MOS电容)。式中，为SiO2材料的介电常数；为SiO2厚度。TVTV1222TFBFFVVFBVSSFBMSOXQVCMSSSQOXC0rOXOXCT0rOXT2.6.4MOS晶体管的阈值电压(b)(2.78)式中的称为费米电势：式中，为衬底掺杂浓度。(c)(2.78)式中的为体效应系数：根据上述有关参数值，即可按(2.78)式计算阈值电压。实际上，在PSpice软件中，阈值电压就是一个模型参数。FlnsubFiNkTqnin1202rsubOXqNC2.6.4MOS晶体管的阈值电压2．阈值电压与衬底电压的关系需要指出的是，若衬底和源极不直接相连，而是加有偏压，阈值电压将发生变化。记衬底和源极直接相连时的阈值电压为，则加有时的阈值电压可表示为(2.81)12120TTFBSFVVVBSV0TVBSVTV2.6.4MOS晶体管的阈值电压3．阈值电压与沟道尺寸的关系(2.78)式给出的阈值电压表达式与MOSFET的沟道长度L和宽度W无关。事实上，随着L和W的减小，与L和W有很强的依赖关系。随L的减小而减小，随W的减小而增大。这些都是由于短沟道和窄沟道效应引起的(本书不作分析)。通常讲的短沟道器件就是指沟道长度小于的器件；而亚微米器件则是指L(W)＜1um的器件。(2.78)式仅适合长沟道MOS器件。TVTVTV3m2.6.5MOS晶体管特点通过以上分析，可以得到以下几点结论：(1)MOSFET是一种表面型器件，其工作电流沿表面横向沟道流动，因此其特性与沟道的横向尺寸L和W有