518系列ICT培训教材(简体)要点

１各位好，今天我们的课程是：518系列ICT训练课程大家知道吗？518系列ICT是德律科技的一大系列产品，在业界素以技术领先、服务上佳而深得客户认可。公公司司简简介介•1989年成立于台湾•于1997年在中国大陆成立分公司•员工规模–台湾-230–中国大陆深圳-90•自1995年起获ISO9001品质认证•中国厂家中第一家具SMT开路检测技术的ICT厂家•亚洲第一家获德国TUVISO9001认证的ICT自动测试厂家•经营理念:团队,诚信,务实产品范围全自动生产线测试机(INLINE)数字回路自动测试机(ATE)自动光学检测机(AOI)集成块测试机(ICTESTER)测试治具(TESTFIXTURE)高精密在线测试仪(ICT)２518系列ICT又分以下4款：1．TR-518(1989年推出，CMOS切换开关，性能稳定，德律首创之ICT)2．TR-518F（1992年推出，CMOS+ArmatureRelay创新技术，功能大辐提升，速度较518快一倍，台湾精品奖）3．TR-518FR(1996年推出，ReedRelay开关，方便整合功能量测，功能强大，速度更较518F快一倍，台湾精品奖）4．TR-518FE（1996年推出，CMOS+ArmatureRelay的完美应用，超强功能，速度较518F快一倍以上，台湾精品奖）３ICT的概念1.何谓ICT？ICT即在线测试仪（InCircuitTester）,是一大堆高级电表的组合。电表能测到，ICT就能测到，电表测不到，ICT可能也测不到。例如：R//Jumper，则R无法用电表测出，而ICT也测不出。2.ICT能测些什么？Open/Short,R,L,C及PN结（含二极管，三极管，Zener，IC）3.ICT与电表有何差异？ICT可对旁路组件进行隔离（Guarding），而电表不可以。所以电表测不到，ICT可能测得到。例如：R//(R1+R2)，则电表测不出R，只测出R(R1+R2)/(R+R1+R2)，ICT却可测出R。４4.ICT与ATE有何差异？ICT只做静态测试，而ATE可做动态测试。即ICT对被测机板不通电（不加Vcc/GND），而ATE则通电。例如：板上有一颗反向器要测，则ATE可测其反向特性，而ICT不能测。ICT量测原理奥姆定律：R=V/I请各位仔细透彻的理解奥姆定律，即：R既可认为是电阻，也可认为是其它阻抗，如：Zc容抗、Zl感抗。而V有交流、直流之分。I也一样，有交流、直流之分。这样才可以在学习ICT测试原理时，把握其主脉，因为奥姆定律贯穿其始终，可称得上万能定律！1.量测R：单个R(mode0,1):利用Vx=IsRx（奥姆定律），则Rx=Vx/Is.信号源Is取恒流（0.1uA—5mA）,量回Vx即可算出Rx值.信号源Is与Rx关系表Rx(标准值)Is(常电流源)Is/10(低档电流源)0Rx300Ω5Am5A0Am300≤Rx3KΩ5A0Am0Am03KΩ≤Rx30KΩ0Am00Am30KΩ≤Rx300KΩ0Am0A0Am300KΩ≤Rx3MΩ0A0Am0A0AuRx≥3MΩ0A0Au注：系统测量电压Vx=IsRx=0.15V---1.5V+-Vx=?IsRx５大电流应用：R//C时，为测R，可以适当修改其Std_V（标准值），以便获得系统提供更大测试电流，条件是R接近上表的下限值，如330Ω//100uF，则改Std_V为299Ω，可提供5mA大电流，从而使测试更准确。小电流应用：R//D时，为测R，可以将Mode0改为Mode1，从而电流小一档，R两端压降小于D导通电压，使测试更准确。）R//C(mode2):信号源Vs取恒压（0.2V）、量回Ix,则Rx=Vs/Ix=0.2V/Ix算出Rx值.信号源取恒压0.2V，是因为：1电压越小，则电容充电到饱和的时间就越短，电容充电饱和后，其相当于开路，测Rx就会准确。2ICT量测放大器侦测电压线性区间为0.15V—1.5V，不宜取低于此范围的电压。R//L(mode3,4,5):信号源取交流电压源Vs，籍相位法辅助.|Y’|Cosθ=YRx=1/Rx,并Y’=I’x/Vs故：Rx=1/|Y’|Cosθ根据Zl=2лfL，若R=20Zl，则R无法测试2.量测C/L：+-Vs=0.2VIxRxCVsIxRxL６单个C/L（Mode0,1,2,3）：信号源取恒定交流压源VsVs/Ix=Zc=1/2лfCx,求得：Cx=Ix/2лfVsVs/Ix=Zl=2лfLx,求得：Lx=Vs/2лfIx电容：范围信号源说明1pF～2.99pF2:100K-ACAC100KHz3:1M-ACAC1MHz3pF～2.99nF0:1K-ACAC1KHz1:10K-ACAC10KHz2:100K-ACAC100KHz3:1M-ACAC1MHz5:1K-相位AC1KHz相位分离量测6:10K-相位AC10KHz相位分离量测，用以测量与电感并联的电容7:100K-相位AC100KHz相位分离量测3nF～299.99nF0:1K-ACAC1KHz1:10K-ACAC10KHz2:100K-ACAC100KHz5:1K-相位AC1KHz相位分离量测6:10K-相位AC10KHz相位分离量测7:100K-相位9:100-ACAC100KHz相位分离量测AC100Hz300nF～2.999F0:1K-ACAC1KHz1:10K-ACAC10KHzVsIxIxVsCxLx７5:1K-相位AC1KHz相位分离量测6:10K-相位9:100-ACAC10KHz相位分离量测AC100Hz3F～29.99F0:1K-ACAC1KHz4:C-DC固定电流源量测5:1K-相位9:100-ACAC1KHz相位分离量测AC100Hz30F～149.99F4:C-DC8:C-DC(10mA)9:100-AC固定电流源量测固定电流源量测AC100Hz150F～40mF5:1K-相位固定电流源量测8:C-DC(10mA)固定电流源量测电感：范围信号源说明1H～79.99H2:100K-ACAC100KHz3:1M-ACAC1MHz80H～799.99H0:1K-ACAC1KHz1:10K-ACAC10KHz2:100K-ACAC100KHz3:1M-ACAC1MHz6:10K-相位AC10KHz相位分离量测7:100K-相位AC100KHz相位分离量测800H～7.99mH0:1K-ACAC1KHz1:10K-ACAC10KHz2:100K-ACAC100KHz5:1K-相位AC1KHz相位分离量测6:10K-相位AC10KHz相位分离量测7:100K-相位9:100-ACAC100KHz相位分离量测AC100Hz8mH～79.99mH0:1K-ACAC1KHz８1:10K-ACAC10KHz2:100K-ACAC100KHz5:1K-相位AC1KHz相位分离量测6:10K-相位AC10KHz相位分离量测7:100K-相位AC100KHz相位分离量测80mH～799.99mH0:1K-ACAC1KHz1:10K-ACAC10KHz5:1K-相位AC1KHz相位分离量测6:10K-相位AC10KHz相位分离量测800mH～7.99H0:1K-AC1:10K-ACAC1KhzAC10KHz5:1K-相位6:10K-相位9:100-ACAC1KHz相位分离量测AC10KHz相位分离量测AC100Hz8H～60.0H0:1K-ACAC1KHz5:1K-相位9:100-ACAC1KHz相位分离量测AC100Hz测试C或L时，取信号频率(f)的原则：因为，Zc=1/2лfC，在实际测试时，我们希望Zc最好是在一定范围内，太大或太小，测试精度都会降低。我们假设Zc=常数，则得到：fC=常数，也即：f∝1/C，可见f与C互为反比，这样我们得到一个重要的结论：大电容以低频、小电容以高频进行测试，效果最好。同理，我们也可推出：f∝1/L，f与L互为反比。C//R或L//R：籍相位法辅助|Y’|Sinθ=|Ycx|,即ωCx’Sinθ=ωCxVsIxCxR９求得：Cx=Cx’Sinθ(Cx’=Ix’/2лfVs)|Y’|Sinθ=|Ycx|,即Sinθ/ωCx’=u/ωCx求得：Lx=Lx’/Sinθ(Lx’=Vs/2лfIx’)3.量测PN结：（D、Q、IC）信号源0-10V/3mAor25mA可程序电压源,量PN结导通电压4.量测Open/Short：即以阻抗判定：先对待测板上所有Pin点进行学习,R2mΩ即归为ShortGroup，然后Test时进行比较，RmΩ判定为Short，RmmΩ判为Open.5.Guarding(隔离)的实现：当Rx有旁路（R1）时，Ix=Is-I1≠Is,故：Vx/Is≠Rx此时取A点电位Va,送至C点，令Vc=Va,则：I1=(Va-Vc)/R1=0,Is=Ix从而：Vx/Is=RxIxVsLxRVx+-IsIxI1ABCICTVaVbVcWhenVc=VaI1=(Va-Vc)/R1=0RxR1+-U?32674１０程序的编写1、在T[测试]下，设定P“测试参数”测试参数电路板名称：DEBUGBOX测试数据文件名称：DEBUGBOX.DAT治具上第一支测试针号码：1治具上最后一支测试针号码：64测试顺序：开路/短路/零件测试每几次测试即自动储存数据：50开路/短路不良时中断测试：不要开路/零件不良时重测次数：2双色打印机的厂牌：VFIVFI打印机是接到PC的：COM1测试不良时自动或手动打印：手动打印测试不良时最多打印行数：10开/短路不良测试点位置打印：不要不良零件位置图的横行数：2不良零件位置图的纵列数：2删略的针：2、在E[编辑]下，编写程序：步骤零件名称实际值位置高点低点隔点12345删略量测值标准值上限%下限%延迟信号类别重测中停补偿值偏差%。1R347KA12110100000047K101000RD0002C22100nD2752000000100n303000C00003L122uB2187000000１１22u303004L00004D50.7VC116190000000.7V202000D00005Q1CE1.8VA2117542000000.2V20-104Q0000...3、进入L[学习],做ShortGroup学习.若有IC，还需做ICClampingDiode学习。4、在主画面在下测试，检验程序及开始Debug。程序的Debug编写好的程序在实测时，因测试信号的选择，或被测组件线路影响，有些Step会Fail（即量测值超出±%限），必须经过Debug。R：在E[编辑]下，ALT-X查串联组件，ALT-P查并联组件。据此选好“信号”（Mode）和串联最少组件的Hi-P/Lo-P，并ALT-F7选择GuardingPin。R//C：Mode2及Dly加大（参考：T=5RC）R//D（orIC、Q）：Mode1R//R：Std-V取并联阻值R//L：Mode3、4、5；根据Zl=2πfL，故L一定时，若f越高，则Zl越大，则对R影响越小１２C：在[编缉]下一般根据电容值大小，选择相应的Mode。如小电容（pF级），可选高频信号（Mode2、3），大电容（nF级）可选低频信号（Mode0、1），然后ALT-F7选择隔离。3uF以上大电容，可以Mode4、8直流测试。C//C：Std-V取并联容值C//R：Mode5、6、7，由Zc=1/2лfC,故C一定时，f越高，Zc越小，则R的影响越小。C//L：Mode5、6、7，并且f越高效果越好。L：F8测试，选择Mode0、1、2中测试值最接近Std-V，然后Offset修正至准确。L//R：Mode5、6、7。PN结：F7自动调整，一般PN正向0.7V（Si），反向（2V以上）D//C：Mode1及加Delay。D//D（正向）：除正向导通测试，还须测反向截止（2V以上）以免D反插时误判。Zener：Nat-V选不低于Zener崩溃电压