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非晶硅太阳电池界面层及稳定性研究作者：韩建超学位授予单位：河北工业大学参考文献(65条)1.左元淮世界太阳电池产业的发展趋势20022.赵玉文光伏发电在本世纪我国能源发展中的战略地位[会议论文]20013.王斯成.马胜红我国光伏发电的重要地位和展望20044.霍秀敏氧碳含量对太阳电池光电转换效率影响的研究[学位论文]硕士20045.赵富鑫.魏彦章太阳电池及其应用19856.王晓莺21世纪能源开发的新亮点-年产3MW多晶硅太阳电池应用系统示范工程2002(09)7.王淳.王长贵世界太阳电池产量[期刊论文]-太阳能2001(2)8.雷永泉.林安中新能源材料20009.魏光普太阳电池发展现状与我国阳光发电规划[期刊论文]-物理1999(11)10.邓志杰Si基太阳电池发展现状[期刊论文]-世界有色金属2000(3)11.卢景霄硅太阳电池稳步走向薄膜化200412.许开方高效单晶硅太阳电池工艺技术之研究1994(04)13.桑田幸也德太阳电池及其应用198514.AShah.PTorres.RTscharnerPhotovoltaictechnology.Thecaseforthin-filmsolarcells199915.吕宝堂柔性衬底非晶硅太阳电池1996(06)16.郭建锦非晶硅太阳能电池1997(03)17.李玉兰非晶硅太阳电池的开发1998(05)18.RCChittick.JHAlexander.HFSterlingThepreparationandpropertiesofamorphoussilicon196919.WESpear.PGLeComberSubstitutionaldopingofamorphoussilicon197520.DECarlson.CRWronskiAmorphoussiliconsolarcells197621.SGuha.JYang.ABanerjeeAmorphoussiliconalloyphotovoltaicresearch-presentandfuture2000(08)22.耿新华中国薄膜太阳电池的发展200423.耿新华薄膜太阳电池的研究进展[期刊论文]-物理1999(2)24.肖德传.马元我国非晶砖太阳电池开发研究现状及国外发展趋势1992(02)25.刘润起非晶硅太阳能电池的应用[期刊论文]-电子世界1997(4)26.李洪波.李岩.朱峰宽带隙高电导率窗口材料研究200227.郝国强.张德贤非晶硅太阳电池研究现状2002(04)28.耿新华.李洪波.王宗畔.吴春亚.孙建.陆靖谷.孙仲林.徐温元400cm2a-Si/a-Si叠层太阳电池的研究[期刊论文]-太阳能学报1998(4)29.李毅.胡盛明非晶硅叠层太阳能电池的现状与发展方向[期刊论文]-真空科学与技术学报2000(3)30.YAshida.NIshiguro.HTanaka.M.KoyamaImprovementofInterfacePropertiesofTCO/p-layerinpin-typeAmorphousSiliconSolarcells199031.耿新华.刘世国.李洪波SnO2/p接触特性对a-Si太阳电池填充因子的影响1995(03)32.MyonqSeunqYeopImprovementofpin-typeamorphoussiliconsolarcellperformancebyemployingdoublesilicon-carbidep-layerstructure2004(03)33.SYoshida.KSeki.KNabeshimaEffectofthep/iinterfacelayerontheperformangeofa-Sisolarcells199034.RRArya.MSBennett.ACatalanoEffectofa-Si:C:Hgradedp/iinterfaceontheperformanceandstabilityofa-Si:HpinSolarcells198735.王颂锋.殷志刚非晶硅太阳电池效率衰减机制分析1997(05)36.非晶硅太阳电池稳定性研究[期刊论文]-兰州大学学报1996(1)37.陈治明非晶半导体材料与器件199138.StutzmannMLight-inducedmetastabledefectsinhydrogenatedamorphoussilicon:asystematicstudy198539.HowardMBranzHydrogenCollisionModelofLight-inducedMetastabilityinHydrogenatedAmorphousSilicon1998(06)40.AdlerDMetastabledefectsinamorphoussiliconalloy198441.RedficldD.BubeRHIdentificationofdefectsinamorphoussilicon199042.秦国刚.孔光临氢化非晶硅中光致亚稳性退化的物理机制[期刊论文]-半导体学报1988(1)43.BiswasRMechanismThestaebler-wronksieffectina-Si:H199144.Yoshida.Takashi.LchikawaAmorphoussiliconsolarcelltechnologies1994(04)45.YHLee.LHJiao.HYLiuStabilityofa-Si:Hsolarcellsandcorrespondingintrinsicmaterialsfabricatedusinghydrogendilutedsilane199646.BRech.SWieder.FSiebkeMaterialbasisofhighlystablea-Si:Hsolarcells199647.SOkamoto.YHishikawa.STsudaNewinterpretationoftheeffectofhydrogendilutionofsilaneonglow-dischargedhydrogenatedamorphoussiliconforstablesolarcells199648.耿新华.管智贇.麦耀华高效稳定a-Si太阳电池的优化设计200449.戴道生.韩汝淇非晶态物理198950.何宇亮.陈光华.张仿清非晶态半导体物理学198951.徐温元非晶硅太阳能电池工作原理及进展[期刊论文]-物理1989(11)52.王家骅.李长健.牛文成半导体器件物理198353.温亮生.张富祥非晶硅太阳电池的性能与薄膜特性的关系1999(04)54.ADasgupta.ALambertz.OvetterlP-layersofMicrocrystallinesiliconthinfilmsolarcells200055.KNinomiya.HHaku.HTaruiHigh-QualityAmorphousSiliconCarbidePreparedByanewfabricationmethodforawindowP-layerofsolarcells199156.DawsonRMA.NaqSS.WronskiCREffectofp-layersdepositedundervaryingconditionsonhydrogenatedamorphoussiliconp-i-nhomojunctionsolarcellperformance199357.JSCPrenticeEffectofinterfacestatesattheSnO2/p-a-Si:Hsolarcell200258.JaqannathanB.AndersonWAInterfaceeffectsonthecarriertransportandphotovoltaicpropertiesofhydrogenatedamorphoussilicon/crystallinesiliconsolarcells1996(02)59.YamamotoY.NomotoKRoleofcompositiongradedlayerinp/iinterfaceofamorphoussiliconsolarcell198760.MurthyRVR.DuttaVInvestigationofinterfaceandbandgapstatesinamorphoussiliconp-i-nsolarcellsusingcurrentdeepleveltransientspectroscopy1996(02)61.李长健稳定的转换效率——非晶硅太阳电池的新课题[期刊论文]-物理1992(7)62.林鸿生氢化非晶硅中空穴与电子的俘获效应-PIN型非晶硅太阳能电池稳定性研究[期刊论文]-固体电子学研究与进展1994(2)63.SinhaSP.DubeyGCCalculationofamorphoussiliconsolarcellparameterswithdifferentdopinglevels200064.SakataI.HayashiYTheoreticalAnalysisontheLimitationsoftheOpen-CircuitVoltageofaHydrogenatedAmorphousSiliconp-i-nSolarCell1986(04)65.周雪梅.徐重阳高效非晶硅叠层太阳电池的优化设计1994(04)相似文献(10条)1.期刊论文于元.夏立辉.张志文.YuYuan.xiaLihui.ZhangZhiwen非晶硅与晶硅太阳电池在太阳能光伏发电应用中热性能的研究-太阳能学报2008,29(8)对在北京地区屋面上固定角度安装(目前光伏发电应用中最常见的安装形式)的非晶硅和多晶硅太阳电池组件进行了近二年的数据采集,纪录了北京地区温度数据和太阳电池阵列的实际发电量,分析了它们各自的特点,为用户更为关心的户外使用情况提供了参考依据;认为如果仅从温度特性考虑,是否采用非晶硅替代晶体硅电池在不同地区应有不同考虑,如果再考虑到人们普遍认为的非晶硅电池没有解决的稳定性问题,表面玻璃的非钢化、效率低等其它问题,非晶硅的使用应慎重,不应盲从.同时在使用中不论何种电池都不应忽视组件的通风问题.2.学位论文胡志华氢化非晶硅/纳米硅薄膜太阳电池与光伏电解水制氢2004该论文主要进行了以下几个方面的研究工作:1.运用美国滨州大学开发的微光电子结构分析模型(AMPS-D)模拟分析TCO/p-a-SiC:H/i-a-Si:H/n-a-Si:H/metal结构的异质结非晶硅太阳电池中的p/i界面的能带失配、界面缺陷态以及缓冲过渡层(buffer)以及TCO/p,n/metal界面接触势垒对电池光电特性的影响.分析总结了非晶硅基薄膜太阳电池中J-V曲线异常拐弯现象的种类和可能原因.并同观察到的实验现象进行了比较.2.a-SiC:H作为宽带隙p型窗口层材料在非晶硅太阳电池的发展进程中占据十分重要的地位,如何通过控制PECVD的工艺条件来获得性能优异的a-SiC:H材料一直是研究的重点.我们在大跨度的不同氢稀释比(RH=H,2/[SiH,4+CH,4])和甲烷硅烷气流比(CH,4/SiH,4)条件下制备了从富硅成分到富碳成分的一系列样品,并用透射谱,IR透射谱,Raman谱以及PL谱等分析测试手段研究了a-SiC:H薄膜的光学特性,同时还研究了a-SiC:H的退火行为.3.用B掺杂的a-SiC:H作为p型窗口层,通过优化p-layer、p/i界面buffer层以及采用a-SiC:H→nc-Si:H相变过渡区的nanomorphous材料作为本征层,研制出了高开路电压和填充因子(V,oc=0.94V,FF=0.72)的nanomorphouspin太阳电池,并分析了影响太阳电池开路电压的各种因素.4.研制了p型纳米硅窗口层和ZnO