工程与环境物探实验报告

工程与环境物探实验报告(电法实验)班级：空间信息与数字技术二班一，采集系统：1,多功能数字直流激电仪、多路电极转换器、干电池、Res2dinv数据处理软件、BTRC2004接收与格式转换软件2,采用三电位电极系测量装置。二，处理过程：I，数据采集：1，安装装置：将功能数字直流激电仪，多路电极转换仪连起来，然后连上干电池，选择36V电压。然后连接的60个电极如下图然后检查装置是否安装妥当。2，参数设置：以及设置测量的排列类型，分别为α，β，γ排列；3，仪器进入测量状态，在测量过程中仪器自动存储视电阻率值，测量完毕后显示数据总数。4，然后复位，继续重新设置参数及测量的类型，到测完γ为止。5，导出数据，进行相应处理。II,数据处理1，准备相应软件：在电脑上安装好BTRC2004接收与格式转换软件和Res2dinv软件。2，使用BTRC2004转换数据格式，打开软件导入要处理的数据，然后将负值改为正值然后选择转换格式再保存，则数据转换完成。重复上述操作，分别将相应实验α，β，γ的值做相应处理。3，将转换后的数据再用Res2dinv做进一步处理。打开软件后，选择要处理的数据，再进行反演操作，如下所示，选择最小二乘反演4，接着就会出现相应的反演成果根据使用要求更改数据，以调整误差到要求的范围内，操作如下点击要删除的点，然后保存，。再重复上述反演操作，直到误差符合规定为止。5，重复第3步，将每个实验所转换的数据的α，β，γ都做反演变换，保存全部图片，用以后续分析。三,实验结果及分析：实验1：（高阻大球）α排列结果图像分析：在三电位电极系测量装置42cm到66cm处下方有一高阻带，电阻率约为53.6~67.9Ω·m,高阻体顶部深埋3.75cm处，底部深埋11.5cm处。在α排列方式下，对于高低阻体分界面，视电阻率形成向低阻方向倾斜的分界面，而反演得到的电阻率断面中，由高阻向低阻的方向向两侧逐渐过渡。β排列结果图像分析：在三电位电极系测量装置44cm到66cm处下方有一高阻带，电阻率约为61.2~79.7Ω·m,高阻体顶部深埋3.75cm处，底部深埋大于11.5cm处。在β排列方式下，对于高低阻体分界面，视电阻率往往形成向高阻方向倾斜的分界面，而反演得到的电阻率断面中，高低阻界面附近形成极值，即低阻体靠近界面形成极低值，高阻体靠近界面新城极高值，向两侧逐渐过渡。如图的1，和23比。γ排列反演结果图像分析：从图中可以看出，每个图像中1区域为高阻区域，2和3区域以及其他区域为低阻区域。结合当时实验的情况可知，1的球形高阻区域是受高阻球体的影响，2,3区域是水体。即：在三电位电极系测量装置42cm到66cm处下方有一高阻带，电阻率约为53.6~67.9Ω·m,高阻体顶部深埋3.75cm处，底部深埋11.5cm处。γ排列方式下高低阻体分界面的视电阻率特征与a排列方式基本相似，视电阻率形成向低阻方向倾斜的分界面，但视电阻率差异更明显，反演电阻率剖面对分界面的显示也更清晰实验2：（高阻水平板）α反演结果图像分析：在三电位电极系测量装置40cm到78cm处下方有一高阻带，电阻率约为89.6~117Ω·m,高阻体顶部深埋7.9cm处，底部深埋大于15.8cm处。β反演结果图像分析：三电位电极系测量装置40cm到76cm处下方有一高阻带，电阻率约为178--271Ω·m,高阻带为水平板，其高阻水平板顶部深埋10.8cm处，底部深埋大于12.5cm处。在β排列方式下，对于高低阻分界面，视电阻率形成向高阻方向倾斜的分界面，近似圆形，而反演得到的电阻率断面中，高低阻界面附近形成极值在此模型中高低阻界面比较平缓，是由于实验模型是水平板的缘故，低阻体靠近界面形成极低值，由高阻向低阻的方向向两侧逐渐过渡。γ反演结果图像分析：由上图可见，在46cm到74cm处下方有一高阻带，电阻率约为1977～306Ω.m，其顶部埋深约为10cm，底部埋深大于18.2cm。γ排列方式下高低阻体分界面视电阻率形成向高阻方向倾斜的分界面，但视电阻率差异更明显，反演电阻率剖面对分界面的显示也更清晰实验三：（高阻小球）α排列结果图像分析：由上图可见，在0.440m到0.660m处下方有一高阻带，电阻率约为51.7～61.6Ω.m，其顶部埋深约为0.022m，底部埋深大于0.096m。在α排列方式下，对于高低阻体分界面，视电阻率往往形成向低阻方向倾斜的分界面，而反演得到的电阻率断面中，高低阻界面向两侧逐渐过渡。β排列结果图分析：由上图可见，在0.500m到0.660处下方有一高阻带，电阻率约为101～127Ω.m，其顶部埋深约为0.034m，底部埋深大于0.125m。在β排列方式下，对于高低阻体分界面，视电阻率往往形成向高阻方向倾斜的分界面，而反演得到的电阻率断面中，高低阻界面附近形成极值，即低阻体靠近界面形成极低值，高阻体靠近界面新城极高值，向两侧逐渐过渡。γ排列结果图像分析：由图可见，在0.480m到0.620m处下方有一低阻带，电阻率约为60.0～89.2Ω.m，其顶部埋深约为0.040m，底部埋深约为0.125m。γ排列方式下高低阻体分界面的视电阻率特征与a排列方式基本相似，视电阻率形成向低阻方向倾斜的分界面，但视电阻率差异更明显，反演电阻率剖面对分界面的显示也更清晰实验四：（低阻水平板）α排列结果图像分析：由上图可见，在44cm到7cm处下方有一低阻带，电阻率约为1.49～4.12Ω.m，其顶部埋深约为9.15cm，底部埋深大于15.8cm。在α排列方式下，对于高低阻体分界面，视电阻率形成向高阻倾斜的分界面，在本模型中为圆面而反演得到的电阻率断面中，高低阻又低阻到高阻向两侧逐渐过渡。β排列结果图分析：由上图可见，在48cm到74cm处下方有一低阻带，电阻率约为0.987～6.74Ω.m，其顶部埋深约为5.5cm，底部埋深10.8cm.在β排列方式下，对于高低阻体分界面，视电阻率形成向高阻方向倾斜的分界面，而反演得到的电阻率断面中，低阻的两侧和上面分布高阻，使高低阻的分辨更明显，因为图像反应实际情况更清晰γ排列结果图像分析：由上图可见，在48cm到74cm处下方有一低阻带，电阻率约为1.26～5.25Ω.m，其顶部埋深约为6.4cm，底部埋深约9.7cm.γ排列方式下高低阻体分界面的视电阻率特征与a排列方式基本相似，视电阻率形成向低阻方向倾斜的分界面，但视电阻率差异更明显，但反演的到得断面中低阻部分布没有明显体现是水平板模型。