隐形切割

隐形切割技术将连在一起的芯片分成单个芯片。已贴膜的硅片已划过的硅片切割的目的3是启动工艺检查交接的记录检查：硅片　　　胶膜　　　划片刀　　　去离子水　　　活性剂　　　真空　　　压空　　　检查设备是否有明显的损坏根据检查结果调整设备设备运行初始检查全部机件均正常关机！通知有关维修人员及工程师产品生产ＳＰＣ抽样通过是当班设备清理维护本班生产结束不是留下当班交接记录首件样品通过检查结束本批产品不是进行产品记录产品送到下一工序结束工艺划片工序流程何谓隐形切割•隐形切割是将半透明波长的激光束聚集在工件材料内部，形成一个分割用的起点(改质层:以下称之为SD层)，再对晶圆片施以外力将其分割成小片芯片的切割技术1.激光切割在硅片内部形成改质层2.扩展粘贴硅片的蓝膜使得硅片分离开将激光聚光照射于晶圆内部形成SD层。在SD层形成的同时，也会形成向晶圆正反两个表面延伸的龟裂。此龟裂现象是促使芯片分割的重要因素。隐形切割的激光加工工艺对器件的寿命、耐久性影响不大。就如图的热解析模拟图所显示的，温度上升至200℃以上的范围仅在半径7μm之内。故可证明，在离有效作用区域半径10μm左右的位置进行切割时一所产生的热，对器件特性没有影响隐形切割对LED产业的贡献切割道的减小隐形切割亮度提示效益切割外观对比，上图隐形切割，下图机械切割切割实例隐形切割对环境的贡献设备及参数