物质结构元素周期律一、单选题1.2019年是元素周期表发表150周年,期间科学家为完善周期表做出了不懈努力。中国科学院院士张青莲教授曾主持测定了铟(49In)等9种元素相对原子质量的新值,被采用为国际新标准。铟与铷(37Rb)同周期。下列说法不正确的是()A.In是第五周期第ⅢA族元素B.11549In的中子数与电子数的差值为17C.原子半径:InAlD.碱性:3InOHRbOH2.科学家合成出了一种新化合物(如图所示),其中W、X、Y、Z为同一短周期元素,Z核外最外层电子数是X核外电子数的一半。下列叙述正确的是()A.WZ的水溶液呈碱性B.元素非金属性的顺序为XYZC.Y的最高价氧化物的水化物是中强酸D.该新化合物中Y不满足8电子稳定结构3.今年是门捷列夫发现元素周期律150周年。下表是元素周期表的一部分,W、X、Y、Z为短周期主族元素,W与X的最高化合价之和为8。下列说法错误的是()WXYZA.原子半径:WXB.常温常压下,Y单质为固态C.气态氢化物热稳定性:ZWD.X的最高价氧化物的水化物是强碱4.2019年是门捷列夫提出元素周期表150周年。根据元素周期律和元素周期表,下列推断不合理...的是()A.第35号元素的单质在常温常压下是液体B.位于第四周期第VA族的元素为非金属元素C.第84号元素的最高化合价是+7D.第七周期0族元素的原子序数为1185.短周期主族元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大,X是地壳中含量最多的元素,Y原子的最外层有2个电子,Z的单质晶体是应用最广泛的半导体材料,W与X位于同一主族。下列说法正确的是()A.原子半径:r(W)r(Z)r(Y)r(X)B.由X、Y组成的化合物是离子化合物C.Z的最高价氧化物对应水化物的酸性比W的强D.W的简单气态氢化物的热稳定性比X的强6.已知X、Y、Z、W、R是原子序数依次增大的短周期主族元素,X是周期表中原子半径最小的元素,Y元素的最高正价与最低负价的绝对值相等,Z的核电荷数是Y的2倍,W的最外层电子数是其最内层电子数的3倍。下列说法不正确的是()A.原子半径:Z>W>RB.对应的氢化物的热稳定性:R>WC.W与X、W与Z形成的化合物的化学键类型完全相同D.Y的最高价氧化物对应的水化物是弱酸7.W、X、Y、Z四种短周期元素在元素周期表中的相对位置如图所示,且四种元素的原子最外层电子数之和为24。下列说法错误的是()WXYZA.单核阴离子的还原性Y强于XB.W的简单气态氢化物与其最高价含氧酸反应生成离子化合物C.X、Y、Z最简单氢化物中稳定性最弱的是YD.在元素周期表中118号元素与Z位于同一主族8.短周期元素W、X、Y、Z的原子序数依次增大。其中X与Y可形成一种淡黄色物质P,常温下将0.05molP溶于水,配成1L溶液,其中12()110()cHcOH;Z为金属元素,且Z可在W的一种氧化物中燃烧,生成一种白色的物质和一种黑色的物质。下列说法错误的是()A.简单离子半径:X>Y>ZB.氢化物的沸点:WXC.化合物P中既含有离子键又含有共价键D.W、X、Y三种元素形成的物质的水溶液显碱性9.W、X、Y、Z、R为原子序数依次增大的短周期主族元素,W元素的一种核素可用于鉴定文物年代,X元素的一种单质可作为饮用水消毒剂,Y元素的简单离子是同周期元素的简单离子中半径最小的,Z元素和W元素同主族,R元素被称为“成盐元素”。下列说法错误的是()A.W元素和X元素形成的化合物WX2属于非极性分子B.X元素和R元素形成的某种化合物可用于自来水的消毒C.制造日常生活中所使用的计算机芯片需要消耗大量单质ZD.工业上常用电解熔融Y元素和R元素形成的化合物的方法来制取单质Y10.已知:Li与Mg、Be与Al的性质相似。下列判断正确的是()A.LiOH是强碱B.Be与冷水剧烈反应C.Li在空气中不易被氧化D.Be(OH)2能与NaOH溶液反应11.部分元素在周期表中的分布如图所示(虚线为金属元素与非金属元素的分界线),下列说法不正确的是()A.虚线左侧是金属元素B.As处于第五周期第VA族C.Si、Ge可作半导体材料D.Sb既有金属性又有非金属性参考答案1.答案:D解析:Rb为碱金属,属于第五周期元素,故In亦为第五周期元素,In与Al同主族,即为第ⅢA族元素,A项正确;11549In的中子数为115-49=66,质子数为49,质子数等于核外电子数,故中子数与电子数之差为17,B项正确;同主族元素,从上到下,原子半径逐渐增大,故原子半径:InAl,C项正确;同周期主族元素从左到右,金属性逐渐减弱,故其最高价氧化物对应水化物的碱性逐渐减弱,即碱性3In(OH)RbOH,D项错误。2.答案:C解析:W、X、Y、Z为同一短周期元素,可能同处于第二或第三周期,观察新化合物的结构示意图可知,X为四价,X可能为C或Si。若X为C,则Z核外最外层电子数为C原子核外电子数的一半,即为3,对应B元素,不符合成键要求,不符合题意,故X为Si,W能形成+1价阳离子,可推出W为Na元素,Z核外最外层电子数为Si原子核外电子数的一半,即为7,可推出Z为Cl元素。Y能与2个Si原子形成共价键,另外得到1个电子达到8电子稳定结构,说明Y原子最外层有5个电子,进一步推出Y为P元素,即W、X、Y、Z分别为Na、Si、P、Cl元素。A错,WZ为NaCl,其水溶液呈中性。B错,元素非金属性:ClPSi。C对,P的最高价氧化物的水化物为H3PO4,是中强酸。D错,P原子最外层有5个电子,与2个Si原子形成共价键,另外得到1个电子,在该化合物中P元素满足8电子稳定结构。3.答案:D解析:由题中信息和图示可知W位于第二周期,X、Y、Z位于第三周期,结合W与X的最高化合价之和为8,且族序数相差2,可知X为Al,W和Z分别为N和P,Y为Si。原子半径:NAl,A项正确;常温常压下,单质硅呈固态,B项正确;由非金属性:PN,可知气态氢化物热稳定性:33PHNH,C项正确。Al的最高价氧化物对应的水化物3Al(OH)是典型的两性氢氧化物,并非强碱,D项错误。4.答案:C解析:第35号元素为溴,溴单质在常温常压下是液体,A项正确;位于第四周期第VA族的元素为砷,砷为非金属元素,B项正确;将84号元素位于第六周期第VIA族,最高化合价不可能是+7,C项错误;第七周期0族元素的原子序数为118,D项正确,故选C。5.答案:B解析:短周期主族元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大,X是地壳中含量最多的元素,X为O元素,Y原子的最外层有2个电子,Y为Mg元素,Z的单质晶体是应用最广泛的半导体材料,Z为Si元素,W与X位于同一主族,W为S元素。A错,原子半径应为r(Y)r(Z)r(W)r(X)。B对,由X、Y组成的化合物为氧化镁,是离子化合物。C错,Z和W的最高价氧化物对应的水化物分别为硅酸和硫酸,硫酸的酸性强于硅酸的。D错,W和X形成的简单气态氢化物分别为H2S和H2O,热稳定性H2O强于H2S。6.答案:C解析:已知X、Y、Z、W、R是原子序数依次增大的短周期主族元素,X是周期表中原子半径最小的元素,所以X是H;Y元素的最高正价与最低负价的绝对值相等,这说明Y是第ⅣA组元素;Z的核电荷数是Y的2倍,且是短周期元素,因此Y是C,Z是Mg;W的最外层电子数是其最内层电子数的3倍,且原子序数大于Mg的,因此W是第三周期的S;R的原子序数最大,所以R是Cl元素。A、同周期自左向右原子半径逐渐减小,则原子半径:ZWR,A正确;B、同周期自左向右非金属性逐渐增强,氢化物的稳定性逐渐增强,则对应的氢化物的热稳定性:RW,B正确;C、H2S与MgS分别含有的化学键是极性键与离子键,因此W与X、W与Z形成的化合物的化学键类型完全不相同,C不正确;D、Y的最高价氧化物对应的水化物是碳酸,属于二元弱酸,D正确,答案选C7.答案:D解析:X、Y、Z、W均为短周期元素,结合其在元素周期表中的相对位置可知,W、X为第二周期元素,Y、Z为第三周期元素,设X的最外层电子数为x,则W的最外层电子数为x-1,Y的最外层电子数为x,Z的最外层电子数为x+1,则;x+x-1+x+x+1=24,解得x=6,则W为N,X为O,Y为S,Z为Cl。同主族元素从上到下简单阴离子的还原性逐渐增强,则还原性:2-2-SO,A正确;N元素形成的简单气态氢化物为3NH,形成的最高价含氧酸为3HNO,二者反应可生成离子化合物43NHNO,B正确;X、Y、Z形成的简单氢化物分别为22HOHSHCl、、,元素非金属性越强,简单氢化物的稳定性越强,故稳定性:22HOHClHS,C正确;第118号元素位于0族,Z是Cl元素,位于第ⅦA族,D错误。8.答案:B解析:元素W、X、Y、Z分别为C、O、Na、Mg,故有离子半径O2->Na+>Mg2+,A正确;碳的氢化物有多种,其沸点可能高于氧的氢化物,B错误;P为Na2O2,既含有离子键又含有共价键,C正确;W、X、Y三种元素形成的物质为Na2CO3或Na2C2O4,其水溶液显碱性,D正确。9.答案:D解析:A.WX2是CO2,CO2为非极性分子,故A正确;B.元素X和R形成的ClO2,具有强氧化性,可用于自来水的消毒杀菌,故B正确;C.Si为良好的半导体,常用于制备计算机芯片,故C正确;D.Y和R化合物为AlCl3,AlCl3为共价化合物,工业上常用电解熔融氧化铝制备铝单质,故D错误;故选D。10.答案:D解析:A、因为氢氧化镁是中强碱,所以LiOH是中强碱,错误;B、Al与冷水不反应,加热才反应,所以Be与冷水不反应,错误;C、Mg在空气中易生成氧化镁,所以Li在空气中也被氧化为氧化锂,错误;D、氢氧化铝能与氢氧化钠溶液反应,所以Be(OH)2也能与NaOH溶液反应,正确,答案选D。11.答案:B解析:A.虚线左侧的元素为Al、Ge、Sb、Po等,都为金属元素,故A正确;B.As处于第四周期第VA族,故B错误;C.Si、Ge位于金属元素与非金属元素的分界线,可作半导体材料,故C正确;D.Sb位于金属元素与非金属元素的分界线,既有金属性又有非金属性,故D正确。故选:B