2019年关键核心技术攻关任务揭榜工作方案

2019年关键核心技术攻关任务揭榜工作方案为贯彻落实《省政府关于加快培育先进制造业集群的指导意见》（苏政发〔2018〕86号）和《省政府关于加快发展先进制造业振兴实体经济若干政策措施的意见》（苏政发〔2017〕25号）要求，加快建设自主可控的先进制造业体系，提升关键技术控制力，制定本方案。一、工作目标聚焦省重点培育的新型电力（新能源）装备、工程机械、物联网、高端纺织、前沿新材料、生物医药和新型医疗器械、集成电路、海工装备和高技术船舶、高端装备、节能环保、核心信息技术、汽车及零部件、新型显示等13个先进制造业集群，遴选一批必须掌握的关键核心技术，组织具备较强创新能力的企业单位揭榜攻关，逐步推动制约产业发展的重大关键核心技术突破，不断提高制造业的自主可控水平。二、步骤安排（一）集中发榜。省工业和信息化厅系统梳理先进制造业集群发展面临的关键技术瓶颈，根据轻重缓急系统地安排揭榜工作计划，结合当年重点工作部署，集中发布年度揭榜任务，明确任务完成时限及具体指标要求。（二）申请揭榜。从事集群所属产业领域的单个企业，或者由企业牵头多个单位组成的联合体可成为揭榜申请主体。揭榜申请企业应具有较强的创新能力，对申请揭榜的产品或技术拥有知识产权，技术先进且应用前景良好。申请企业需承诺揭榜后能够在指定期限内完成揭榜任务。（三）单位推荐。各设区市、昆山市、泰兴市、沭阳县的工业和信息化主管部门（以下统称各地工信部门）为推荐单位，组织符合条件的企业填写申请材料，并在审核后集中向省工业和信息化厅报送《汇总表》和《申报材料》（格式附后）。（四）揭榜企业遴选。省工业和信息化厅组织行业专家和评测机构采用集中评审或现场评估等形式，综合考虑各申请企业的基础条件、创新能力、发展潜力、产品指标等因素，择优确定并公布揭榜企业名单。每个揭榜任务原则上确定1家揭榜企业和若干入围企业（入围企业不超过2家）。省财政对揭榜企业的攻关投入给予一定比例的事前补助；对按期完成揭榜任务的入围企业，按攻关投入给予一定比例的事后奖补。（五）揭榜任务实施。揭榜企业和入围企业按《申报材料》中的进度计划开展攻关工作，组织实施揭榜任务。期间，省工业和信息化厅持续跟踪进展，适时组织行业专家对揭榜任务完成情况进行阶段性评估。（六）发布揭榜成果。揭榜企业和入围企业完成攻关任务后，由省工业和信息化厅组织行业专家或委托具备相关资质和检测条件的第三方专业机构开展评价工作。评价工作基于揭榜任务和预期目标，依据攻关实际成果进行评估，适时公布评估结果。经评估确定完成攻关任务的，公开发布攻关成功企业名单，并大力支持攻关成果推广应用。三、工作要求各地工业和信息化主管部门要加强组织领导，充分调动企业、科研院所、相关产业联盟及行业协会的积极性；密切跟踪揭榜企业和入围企业产品创新及应用进展，适时开展揭榜任务的阶段性评估，有效协调推进揭榜任务攻关组织实施工作。鼓励各地结合本地区产业发展情况，在相关配套资金、项目、优惠政策等方面优先给予支持，为揭榜企业和入围企业完成攻关任务创造良好环境。附件：1.2019年第一批揭榜任务和预期目标2.揭榜单位申报材料3.揭榜申请单位信息汇总表2019年第一批揭榜任务和预期目标（27项任务）一、集成电路（联系人：电子信息产业处王小飞）（一）亿门级FPGA芯片揭榜任务：对标国际先进水平，突破亿门级FPGA芯片自主研制瓶颈，掌握亿门级FPGA芯片的硬件设计、测试、封装、可靠性、FPGA开发工具研发等关键技术，建立完备的FPGA产品研发、制造、测试体系。预期目标：到2021年，达到以下技术目标：1、工作电压：内核：0.8V，IO：1.2-1.8V；2、逻辑单元：1000K；3、DSP（25×18Slice)Slice：工作频率：600MHz；4、集成数量：800个；5、片上存储容量：60Mb；6、PCIe：Gen3，4Lanes；7、存储器接口：DDR4；8、数据带宽不低于2400bps×64=153.6Gbps；9、Serdes接口：32路单通道16.3Gbps，6路单通道30.5Gbps；10、LVDS速率：1.25Gbps。（二）GaN毫米波集成电路芯片揭榜任务：对标国际先进水平，提高GaN毫米波芯片的产业化供给能力，提高通信用产品的线性度、效率。预期目标：到2021年，达到以下技术目标：1、GaN毫米波功率MMIC：频带24.25-27.6GHz，饱和功率33dBm，饱和效率30%，8dBbackoff7%效率，增益18dB；2、GaN毫米波DohertyMMIC：频带24.25-27.6GHz，饱和功率33dBm，饱和效率25%，8dBbackoff15%效率，增益15dB；3、GaN毫米波收发前端芯片：频段24-30GHz，内部集成接收LNA，发射PA及收发开关；接收：增益17dB，接收饱和输出功率17dBm；发射：增益27dB，饱和输出功率31dBm，Pout23dBm时IM3优于35dBc。（三）5G通信FBAR射频滤波芯片揭榜任务：对标国际先进水平，突破FBAR滤波芯片的国产化瓶颈，攻克器件设计、工艺、制造、封测全产业链关键技术，形成FBAR知识产权体系。预期目标：到2021年，达到以下技术目标：1、5G通信wifi芯片，带宽81MHz，插损2.2dB，抑制度45dB；2、5G通信n41芯片，带宽196MHz，插损3dB，抑制度40dB；3、5G新频段3.5GHz芯片，带宽200MHz，插损3dB，抑制度45dB。（四）VPS成像芯片揭榜任务：对标国际先进水平，解决现有主流图像传感器技术CIS像素尺寸无法持续缩小的技术瓶颈，使像元尺寸缩小到百纳米以下。预期目标：到2021年，达到以下技术目标：像素尺寸0.5微米，像素规模1亿。（五）大规模集成电路用12英寸单晶制造的电子级多晶硅材料揭榜任务：对标国际先进水平，实现电子级高纯多晶硅连续、稳定、大规模工业化生产，在电阻率、杂质浓度等量化指标和稳定性、产品晶型结构等指标上取得突破，达到世界一流水平，产品质量满足40nm及以下极大规模集成电路用12英寸单晶制造需求。预期目标：到2021年，达到以下技术目标：1、纯度：≥11N；2、施主杂质浓度：≤90ppta；3、杂质浓度：≤10ppta；4、浓度：≤80ppba；5、氧浓度：≤80ppba；6、基体金属杂质浓度：总金属杂质含≤0.1ppbw；7、表面金属杂质浓度：总杂质含≤0.1ppbw。（六）32位通用MCU芯片揭榜任务：对标国际先进水平，研制32位通用MCU芯片，研发自主核心处理器及其软件系统，建立独立知识产权，满足32-位核心处理器中高端市场需求。预期目标：到2021年，达到以下技术目标：1、全自主核心微处理器IP，RISC-V嵌入式CPU主频800Mhz@65nm，1.2DMIPS，2.5CoreMark/Mhz。2、围绕MCU的片上存储系统、总线架构、模拟前端IP系列、通讯IP模块、控制专用IP模块、软件开发环境、应用库函数等、物联网操作系统。（七）超薄芯片(ultra-thinfBGA)封装技术揭榜任务：对标国际先进水平，突破国内外超薄芯片(ultra-thinfBGA)专利和先进封装技术瓶颈，掌握超薄芯片(ultra-thinfBGA)产品的设计、材料研发、封装、测试、可靠性等关键技术，建立起比较完备的超薄芯片(ultra-thinfBGA)产品研发、制造、测试以及可靠性体系。预期目标：到2021年，达到以下技术目标：1、Moldcap:0.20mm；2、Diethickness:0.05mm；3、Wireloop:0.05mm；4、Substratethickness:0.1mm以下；5、Packagethickness：0.4mm以下；6、Reliability:MSL1；7、EMIshielding。（八）绝缘栅双极晶体管（IGBT）揭榜任务：对标国际先进水平，开发系列化IGBT器件及组件产品；推广IGBT在铁路机车与城市轨道交通中的应用，从应用端快速获取反馈信息进行产品改良；推动IGBT器件及功率组件在风电、太阳能发电、工业传动、通用高压变频器、新能源汽车和电力市场等领域的应用。预期目标：到2020年，达到以下目标：1、1200V/200A芯片：(1)饱和压降Vce(sat)2.2V(Tj=125℃)；(2)开通能耗Eon30mJ(Tj=125℃)；(3)关断能耗Eoff30mJ(Tj=125℃)。2、1700V/200A芯片：(1)饱和压降Vce(sat)2.5V(Tj=125℃)；(2)开通能耗Eon70mJ(Tj=125℃)；(3)关断能耗Eoff60mJ(Tj=125℃)。3、3300V/62.5A芯片：(1)饱和压降Vce(sat)4V(Tj=125℃)；(2)开通能耗Eon70mJ(Tj=125℃)；(3)关断能耗Eoff75mJ(Tj=125℃)。到2022年，达到以下目标：全面掌握1200V、1700V、3300V、4500VIGBT芯片设计、芯片制造、模块封装技术。二、物联网（联系人：电子信息产业处韩小平）（一）MEMS传感器（加速度）揭榜任务：对标国际先进水平，突破核心关键配套器件和材料技术，在分辨率、精度、可靠性等方面实现较大提升，实现使该领域的中端产品替代进口。预期目标：到2021年，达到以下目标：1、量程：±30g；2、灵敏度≤60mv/g；3、频率响应：0~2300Hz；4、非线性≤0.5%；5、抗冲击：10000g。（二）数字式位移传感器揭榜任务：对标国际先进水平，对直线位移和角度位移控制（如数控系统光栅尺、电机伺服系统光栅编码器）的2类位移传感器进行攻关，解决产品核心关键配套器件和材料技术，满足伺服驱动的要求，在分辨率、精度、可靠性等方面实现较大提升，实现使该领域的中端产品替代进口。预期目标：到2021年，达到以下目标：1、旋转式（1）单圈24位分辨率；（2）绝对定位精度5；（3）重复定位精度3。2、直线式（1）分辨率1um；（2）重复定位精度3um。三、新型显示（联系人：电子信息产业处于勇）（一）Micro-LED用紫外正性光刻胶揭榜任务:对标国际先进水平，开发高分辨率的光刻胶，满足Micro-LED制造需求。预期目标：到2021年，达到以下目标：1、膜厚1um，残膜率大于99%；2、旋涂片内均匀性小于50埃，分辨率0.3um；3、感光速度小于400ms，工艺窗口大于20%，DOF窗口≥1.0，形貌角度可控。四、核心信息技术（一）动态人像识别系统（联系人：科技处李凯）揭榜任务:对标国际先进水平，开发动态人像识别系统，实现人脸识别、人脸检测、图像比对等功能，能够为近场通信的人证比对、身份甄别等应用场景提供技术支撑。预期目标：到2020年，达到以下目标：1.人脸检测：安防监控行进场景下的动态人脸有效检出率≥97%；最大人脸检测角度≥80°；误报率水平由企业根据应用场景需求确定。2.活体检测方式：可以实现非配合下的单目RGB活检、单目IR活检、双目活检和3D结构光活检。3.人脸识别：安防监控行进场景下的动态人脸正确识别率（1:N）≥90%；人像左右识别角度≥40°、人像上下识别角度≥20°；最小人脸像素≤40×40像素点；误报率水平由企业根据应用场景需求确定。4.识别场景类型包括：1:1，1:N，n:N（1:1指人脸核验，1:N指人脸查找，n:N指多人脸匹配查找）；支持不同地域人脸特征识别。5.系统响应时间≤1秒。6.安防监控行进场景下1:N人脸识别支持的注册集规模≥亿级。（二）系统仿真与机电液控专业仿真软件（联系人：软件处胡锦恒）揭榜任务:对标国际先进水平，研发可应用于航空、航天、车辆、船舶、能源等装备制造领域的系统仿真与机械、控制、电气、液压专业设计仿真的自主可控软件，实现专业化的系统级仿真和机电液控仿真软件。预期目标：到2020年，达到以下目标：1、系统仿真：提供多领域统一的可视化建模、编译分析、仿真求解及后处理功能，完全支持Modelica3.4标准；提供高效的符号分析处理能力，支持200万个方程规模的系统求