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半导体器件的发展半导体器件的发展历程1874年F.Braun半导体器件的第1项研究金属－半导体接触。1907年H.J.Round发光二极管LED。1930年量子力学的发展以及半导体材料制备技术的成熟；半导体的光电导、光生伏特效应、整流效应。1939年Schottky肖特基势垒。1947年Shockley，Bardeen,Brattain晶体管（transistor)；1956年获诺贝尔奖。1949年Shockleyp-n结双极晶体管（BJT）晶体管的三位发明人：巴丁、肖克莱、布拉顿NPNGe晶体管成为现代电子工业的基础晶体管的基础准备1924年衍射实验证实电子的波动性概念1928年提出电子的费米—狄拉克统计理论1931年，威尔逊（A.H.Wilson）提出了固态半导体的量子力学理论，与固体X射线实验相结合，奠定了今天固体能带论的基础霍尔效应用于半导体材料研究，半导体与金属区别开来，并发现了半导体中有两种载流子•肖特基（Schottky）和莫特（Mott）于1939年第一次提出了空间电荷区理论•B.Davidor提出了不同半导体之间也可以有整流效应，并提到了半导体中的一个关键概念——少数载流子的重要性。•获得了完整性比较好、纯度比较高的锗、硅材料，排除了诸如硒、氧化亚铜等材料中的一些复杂因素晶体管的发明•1947年12月16日诞生了具有放大和功率增益性能的点接触晶体管。点接触晶体管并不稳定，由于是三维问题，在物理分析上有困难。肖克莱在对p-n结基本物理图像进行长期研究的基础上，提出用n型半导体与薄的p型材料面接触代替探针的点接触，这样就可以用一维模型来进行分析。•肖克莱完成了晶体管的基本概念，巴丁提出了表面态理论，•布莱顿设计了实验。1948年1月23日宣布了面结型晶体管的发明，该结果于1949年以论文形式发表。•1950年用生长结制成了锗n-p-n结型晶体管•1951年用合金法制成了锗p-n-p晶体管•1954年用气相扩散制成了大功率硅整流器•1956年就制成了扩散型基区台式晶体管•1956年Bardeen、Brattain和Shockley一起获得了物理学的诺贝尔奖。进入成长期1952年Ebers闸流管模型thyristor195019601954年Chapin,Fuller,Pearson，硅太阳能电池，6％1957年Kroemer异质结双极晶体管HBT2000年诺贝尔奖1958年Esaki隧道二极管1973年诺贝尔奖1952年Schockley结型场效应晶体管JFET第1个半导体场效应器件1935年海尔在一份英国专利中宣布过他的场效应放大器发明。但无法实现，主要限制是无法制备满足器件需要的薄的高强度栅绝缘层。肖克莱在研究垂直表面的电场对半导体内部载流子浓度和各种性质所产生的影响时，发现了垂直表面电场可以引起表面电导变化的场效应现象，并在1948年提出了场效应晶体管的理论。1959年，Atalla提出用硅片上热生长二氧化硅层作为栅绝缘层、贝尔实验室的Kahng和Atalla在1960年用高压水气生长二氧化硅层获得成功，制备出了第一支MOS场效应晶体管，但性能还是不稳定。1967年，A.S.Grove，C.T.Sah，E.H.Snow，B.E.Deal等基本搞清了Si-SiO2系统的四种电荷的性质，并成为界面物理研究的基础。在工艺上，找到了控制Na离子玷污的方法，并结合净化措施和采用高纯级的基础材料，使MOS集成电路得到稳定生产。场效应晶体管的发展1963年Gunn渡越电子二极管196019701962年Hall,Nathan,Quist半导体激光器1967年Kahng,Sze非挥发存储器1960年Kahng,Atalla增强型MOSFET1966年MeadMESFET1968年Dennard单晶体管DRAM1962年Wanlass、C.T.SahCMOS技术1974年Chang,Esaki,Tsu共振隧道二极管197019801971年Intel公司微处理器1980年调制掺杂场效应晶体管MODFET1970年Boyle,SmithCCD器件1968年Dennard单晶体管DRAM分水岭：1970年前发明的器件全部实现商业化1984年共振隧穿双极晶体管RTBT198019901985年共振隧穿热电子晶体管1984年电荷注入晶体管CHINT1990年单电子存储器SEM1980年后出现了大量的异质结构器件和量子效应器件纳米电子学器件半导体器件的发展•CMOS器件成为主流技术－通过不断地缩小实现性能的优化。–摩尔定律Moore’sLaw：集成电路的特征尺寸每隔18个月缩小倍集成度每隔18个月增加一倍•BJT主要用于高频领域•新型器件层出不穷MOS器件缩小的极限？MOS之后是什么器件？2“摩尔定律”：处理器(CPU)的功能和复杂性每年(其后期减慢为18个月)会增加一倍，而成本却成比例地递减。微电子小型化的极限固体的最小尺寸功耗限制电压或电流感应击穿的限制噪声限制解决途径•新材料：非晶硅，多晶硅，SiGe，Ⅲ-Ⅴ族复合半导体，有机材料，宽禁带半导体（SiC、GaN）•新结构器件•新互连方法：铜连线、低K，光连接等。•深亚微米尺度下器件和电路设计CAD工具•新电路•新电源：板上太阳能，生物电，空间微波等•纳米技术•3D电路