;1;ECBCIIII中小值和取不产生饱和失真不产生截止失真omomomCESCEQomLCQomUUUUUURIU模拟电子技术复习提纲(各章重点及公式汇编)第三章1.半导体2.PN结正偏时:反偏时:削弱内电场增强内电场PN结变窄,导通;PN结变宽,截止第四章1、三极管工作在放大区2、电流分配关系条件关系式NPN型PNP型BE结正偏BC结反偏Ic=βIb放大功能VBE=0.7V(Si)0.2V(Ge)UCE>1VVBE=-0.7V(Si)-0.2V(Ge)UCE>-1VIE=IC+IB3、三极管热稳定性差;IE≥IC>>IB反向饱和电流ICBO;穿透电流ICEO=(1+β)ICBO4、共射放大器(2)最大不失真Vom(振幅)计算(1)图解方法:半导体N型P型掺杂5价施主杂质3价受主杂质多子电子空穴少子空穴电子LCLbBEBQRRRRVVccI//;VSbebeLiOVARsRiRiVsVoARcRorRbRirRRcVVA//)//(VSbebeLiOVARsRiRiVsVoARcRorRbRbRirRRcVVA//2//1)//(RbRsRsRrRoRbRrRiRrRVVAbeLbeLbeLiOV//1Re////Re//11Re//)1())(Re//1(UCES为饱和压降(3)NPN管共射放大的失真及消除方法U(t)截止失真波形U(t)饱和失真波形(4)直流通路和交流通路要求能熟练掌握(5)三极管小信号等效电路(6)放大电路的计算共射放大(固定偏置)共射放大(分压式偏置)共集放大①∣Av∣>1;Vo与Vi反相;①Av≈1电压跟随②Ai=Io/Ii≈β>1②Ai=1+β③Ri,Ro中等.③Ri大,Ro小应用于中间放大级应用于输入级,输出级,中间隔离级电路静态工作点Q的计算动态计算特点和应用共基放大等点:①Av>1;Vo与Vi同相,②Ai=α<1,③Ri小,Ro大应用于高频放大)(电源功率VoPPOVTOVomimomLomOPPPPPVccVVVRVP214)(212单管功耗%5.782222mLLCESomRccVRVVccPOMCMCCCEOBRLCCCMPPVVRVI2.02)(OMCMCCCEOBRLCCCmPPVVRVI2.02/)((8)增益的db表示方法第五章FETN沟道JFET耗尽型N-MOS增强型N-MOS1、符号及等性(包括转移特性和输出特)2、FET的特点:①Ri大(IG=0);②VGS控制ID;③多子导电为单极型晶体管,噪声小,热稳定性好.3、参数及等效电路第8章1、功放主要指标:①输出功率Po②效率③非线性失真小;④功放安全工作。2、电路及指标计算:类型电路一般情况指标计算尽限运用选管原则OCL甲乙类双电源OTL乙类单电源第六章1、差分放大电路特点①克服温漂②抑制共模Vic;③放大差模信号VidIC1=IC2=Io/22、四种差分放大电路指标计算3、FET差分式放大器特点:输入电阻高,输入偏置电流小。4、集成运放的符号和组成框图第七章直流负反馈用于稳定静态工作点1、负反馈交流负反馈①电压串联负反馈;输入端输出端类型(改善性能)②电压并联负反馈;(ΣV=0)串联电压Uo;(Xf∝Uo)③电流串联负反馈;④电流串并负反馈;(ΣI=0)并联电流Io;(Xf∝Io)2、负反馈放大框图3、负反馈电路4、交流负反馈对放大器性能的影响:以牺牲增益为代价,换来以下各项性能的改善。第二章1、理想运放应满足:2、理想运放线性运用时(电路上有负反馈)AVO=∞;Rid=∞;有:①虚短VP=VN(∵Vid=Vo/AVO=0)Ro=0;KCMR=∞;②虚断IP=IN=0(Rid=∞)VIO=0及温漂为0;IIO=03、基本电路第九章第十章1、整流(半波整流、全波整流和桥式整流)2、滤波(电容滤波和电感滤波)模拟电子技术模拟试卷题号及题型一⒇二⑩判别题分析回答计算题总分填空题选择题1⑥2④1⑩2⑩3⑩4⑩5⑩6⑩得分一、填空题(20分)1、N型半导体是在本征半导体中掺入_______价元素,其多数载流子是__。2、(图1-3)所示电路,二极管D的工作状态为_______,输出电压Uo=_______。3、某三极管已知α=0.98,当IE=2mA时,IB=_________,β=__________。(图1-3)4、测得某三极管VBE=-0.7V,VCE=-0.3V,则该管工作在_______区,管型和材料为_______________。测得某三极管VE=3V,VB=3.2V,VC=6V,则该管工作在_______区,管型和材料为_______________。5、三种基本组态的放大电路中,既有电压增益又有电流增益的是__________放大电路;带负载能力最强的是______放大电路。6、已知某放大电路,电压增益AV=1000,折合分贝数为_______db,其上限频率fH处电压增益为_____db。7、(图1-7)所示放大电路,由Uo(t)波形可知产生了______失真,消除失真的办法是_________________。(图1-7)8、(图1-8)示运放构成的是_________电路,通带增益等于________。9、晶体振荡器的特点是________-______高,在并联型晶振电路中,晶体等效为_________________元件。(图1-8)二、单项选择题(10分)1、已知某FET的转移特性如(图2-1)所示,该管的符号为________。2、已知某FET的输出特性如(图2-2)所示,可求得gm等于_____________。(图2-1)(图2-2)①2ms,②6ms,③3ms,④4ms3、为获得输入电压控制的电流源,应引入__________负反馈。①电压串联②电压并联③电流串联④电流并联4、放大电路中,其信号源内阻RS较大,为使负反馈效果好,且带负载能力强应引入_____负反馈。①电流串联②电流并联③电压串联④电压并联5、下列电路中组成NPN型复合管的是_________。(图2-6)6、如(图2-6)所示电路,输出电压UO等于________。①12V②-12V③9V④-9V7、(图2-7)所示,由理想运放构成的“电流-电压”变换电路,已知IS=1mA,则VO等于________。①+10V②—10V③—5V④+5V(图2-7)8、(图2-8)所示振荡电路,变压器同名端和振荡频率fo应为上述__________所示。(图2-8)9、理想运放构成的电路如(图2-9)所示,VO等于_________。①6.6V②-6.6V③10V④-10V10、互补对称功率放大电路选择甲乙类工作状态的主要原因是为了___________。①输出功率大②保护功放管③提高效率④消除交越失真(图2-9)三、判断题(10分)1、判别下开列电路的级间反馈类型LCfo21LCfo21LCfo1LCfo21(a)_______________________(b)____________________(c)____________________2、用瞬时极性法判别下列电路是否满足相位平衡条件能够振荡(a)__________________________________(b)_________________________________四、问答计算题(60分)1、2、图示放大电路,电容C1,C2Ce对交流可视作短路;①②画出直流通路静态ICQ,IBQ,VCEQ值;③画出交流通路和小信号模型等效电路求AV=VO/Vi;输入电阻Ri,输出电阻RO④⑤求AVS=VO/VS;⑥⑦如将Rb2逐渐减小,首先出现何种非线性失真?输入正弦波时画VO(t)失真波形图。3、理想运放构成的电路如图所示①A1,A2,A3各组成何种电路?②求VO1,VO2,VO3值。3、理想运放构成的求和积分电路如图所示①写输出电压UO的表达式[设UC(t=0)=0]②已知二个输入信号Vi1(t),Vi2(t)波形如图所示。试画出输出电压波形。4、放大电路如图所示①判断图(a)(b)电路级间反馈的类型②图(a)电路满足深度负反馈时,估算值iOVFVVA5、如图所示电路,已知R=100KΩ,C=0.01μF,R1=10KΩ,①求输出电压UO的频率fo值;②电路正常工作时电阻R2选多大?若要求UO1幅度稳定,电阻R2可选哪种热敏电阻代用?(正温度系数或负温度系数)③若忽略三极管UCES,求最大输出功率和相应的效率;④二极管D1,D2的作用是什么?6、图(a)所示的直流电路,①已知UBE=0.7V,稳压管VZ=6.3V,求UO的调节范围;②若要求调整管UCE1≥4V,求变压器次级U2有效值至少为多大?图(b)所示电路,①求VO值;②求W7812耗损功率P为多大?