王永生HarbinInstituteofTechnologyMicroelectronicsCenterCMOS模拟集成电路设计单级放大器HITMicroelectronics王永生提纲2020/7/112提纲1、共源级放大器2、共漏级放大器(源跟随器)3、共栅级放大器4、共源共栅级放大器HITMicroelectronics王永生2020/7/113HITMicroelectronics王永生共源级放大器2020/7/1141、共源级放大器1.1电阻做负载的共源级放大器大信号分析cutoffactivetriodeMOS管工作在饱和区时HITMicroelectronics王永生共源级放大器2020/7/115小信号分析考虑沟道长度调制时,HITMicroelectronics王永生共源级放大器2020/7/116讨论增益对信号电平的依赖关系导致了非线性增大W/L、或增大VRD、或减小ID,都可以提高Av。但是,较大的器件尺寸,导致较大的器件电容。较高的VRD会限制最大电压摆幅。若VRD保持常数,减小ID,则必须增大RD,导致更大的输出节点时间常数。HITMicroelectronics王永生共源级放大器2020/7/1171.2MOS二极管连接做负载的共源级MOS二极管连接二极管连接的阻抗为二极管连接的阻抗为考虑体效应时HITMicroelectronics王永生共源级放大器2020/7/118增益NMOS二极管连接做负载其中没有体效应PMOS二极管连接做负载HITMicroelectronics王永生共源级放大器2020/7/119讨论增益与输入信号无关,是器件尺寸的弱函数。高增益要求会造成集体管的尺寸不均衡。例:为了达到10倍增益,,则(W/L)1=50(W/L)2在这个例子中,M2的过驱动电压应该是M1的过驱动电压的10倍。若VGS1-VTH1=200mV,|VTH2|=0.7V,|VGS2|=2.7V,严重制约输出电压摆幅。允许的输出电压摆幅减小。HITMicroelectronics王永生共源级放大器2020/7/11101.3电流源负载的共源级放大器讨论获得更大的增益M2的输出阻抗与所要求的M2的最小|VDS|之间联系较弱,因此对输出摆幅的限制较小。长沟器件可以产生高的电压增益。同时增加W、L将引入更大的节点电容。↑ID→AV↓考虑沟道长度调制,DDDVIIIA1)(1211HITMicroelectronics王永生共源级放大器2020/7/11111.4带源级负反馈的共源级放大器小信号直接分析方法这里,没有考虑体效应和沟道长度调制效应讨论增加源级负反馈电阻,使增益是gm的弱函数,实现线性的提高。线性化的获得是以牺牲增益为代价的。HITMicroelectronics王永生共源级放大器2020/7/1112考虑沟道长度调制及体效应时,电路的交流小信号模型为HITMicroelectronics王永生共源级放大器2020/7/1113小信号等效分析辅助定理:在线性电路中,电压增益等于-GmRout,其中Gm表示输出与地短接时电路的跨导;Rout表示当输入电压为零时电路的输出电阻。线性电路的输出端口可用诺顿定理来等效,输出电压为-IoutRout,定义Gm=Iout/Vin,可得Vout=-GmVinRout。Gm?Rout?HITMicroelectronics王永生共源级放大器2020/7/1114计算Gm(考虑沟道长度调制及体效应)由于,所以因此,HITMicroelectronics王永生共源级放大器2020/7/1115计算Rout流经ro的电流:得到所以,HITMicroelectronics王永生共源级放大器2020/7/1116计算AvAv=-Gm(Rout||RD)HITMicroelectronics王永生共漏级放大器2020/7/11172、共漏级放大器(源跟随器)大信号分析当VinVTH时,M1处于截止状态,Vout等于零;Vin增大并超过VTH,M1导通进入饱和区;Vin进一步增大,Vout跟随Vin的变化,且两者之差为VGS。HITMicroelectronics王永生共漏级放大器2020/7/1118小信号分析考虑体效应讨论增益1;当Vin≈VTH时,增益从零开始单调增大;随gm变大,Av接近gm/(gm+gmb)=1/(1+η),η随Vout增大而减小,所以Av趋近1。HITMicroelectronics王永生共漏级放大器2020/7/1119采用电流源的源跟随器戴维南等效小信号分析HITMicroelectronics王永生共漏级放大器2020/7/1120考虑M1、M2的沟道长度效应,并驱动电阻负载,HITMicroelectronics王永生共漏级放大器2020/7/1121讨论即使源跟随器采用理想电流来偏置,输入输出特性仍呈现一些非线性。将衬底和源连接在一起,就可以消除由体效应带来的非线性。对于N阱工艺,可采用PMOS来实现。源跟随器使信号直流电平产生VGS的移动,会消耗电压余度。HITMicroelectronics王永生共栅级放大器2020/7/11223、共栅级放大器大信号分析(Vin从某一个大值开始减少)当Vin≥Vb-VTH时,M1处于关断状态,Vout=VDD当Vin较小时,且M1处于饱和区,当Vin即一步减小,Vout也逐步减小,最终M1进入线性区,此时,HITMicroelectronics王永生共栅级放大器2020/7/1123由大信号分析得到小信号增益当M1处于饱和区时讨论:增益是正值;体效应使共栅极的等效跨导变大了;共栅极放大器的输入阻抗较小。因此,而得到,HITMicroelectronics王永生共栅级放大器2020/7/1124小信号分析(考虑晶体管的输出电阻及信号的阻抗)增益HITMicroelectronics王永生共栅级放大器2020/7/1125输入阻抗有,因为若则,HITMicroelectronics王永生共栅级放大器2020/7/1126输出阻抗与计算带负反馈的共源级放大器的输出电阻情况一致。因此,输出电阻,DOsOmbmoutRrRrggR||}])(1{[HITMicroelectronics王永生共源共栅级放大器2020/7/11274、共源共栅级放大器偏置条件使M1,M2都处于饱和区,大信号分析Vin≤VTH1,M1,M2处于截止状态,Vout=VDD,且Vx≈Vb-VTH2(忽略亚阈值导通)Vin>VTH1,开始出现电流,Vout下降,Vx下降。如果Vin足够大,M1或M2将进入线性区。(与器件尺寸、RD及Vb有关)HITMicroelectronics王永生共源共栅级放大器2020/7/1128小信号分析增益两个集体管均工作在饱和区;若λ=0,由于输入管产生的漏电流必定流过整个共源共栅极电路,所以,Av=Vout/Vin=-gm1V1RD/Vin•当忽略沟道长度调制效应时,共源共栅级放大器的电压增益与共源级放大器的电压增益相同。Av=Vout/Vin=-gm1RD而V1=Vin,所以HITMicroelectronics王永生共源共栅级放大器2020/7/1129输出阻抗(考虑两管的沟道长度调制效应)电路可以看成带负反馈rO1的共源级,因此,HITMicroelectronics王永生共源共栅级放大器2020/7/1130讨论精确电压增益计算见教材例3.15,留给同学自学。Rout≈(gm2+gmb2)rO1rO2,可见M2将M1的输出电阻提高了(gm2+gmb2)rO2倍。具有屏蔽特性。屏蔽输入器件,不受输出结点影响。根据线性电路电压增益等于-GmRout,增大Rout可以提高增益。例子:粗略计算,,得到HITMicroelectronics王永生共源共栅级放大器2020/7/1131讨论(续)可用来构成恒定电流源。高的输出阻抗提供一个接近理想的电流源。采用PMOS的共源共栅结构,电流源的表现的输出阻抗为因此,而Gm≈gm1,所以,电压增益近似等于消耗较大的电压余度,采用共源共栅电流源的共源共栅放大器的最大输出摆幅HITMicroelectronics王永生共源共栅级放大器2020/7/1132折叠式共源共栅放大器所谓“折叠”针对小信号电流。小信号分析与共源共栅放大器一致。为了获得相当的性能,折叠式共源共栅放大器的总偏置电流应该比共源共栅放大器的大。HITMicroelectronics王永生共源共栅级放大器2020/7/1133大信号分析如果VinVDD-|VTH1|,M1截止,电流I1全部通过M2,有Vout=VDD-I1RD如果VinVDD-|VTH1|,M1开启处于饱和区,随着Vin↓,ID2↓,当ID1=I1时,ID2=0,有当Vin下降到Vin1以下,ID1趋向大于I1,迫使M1进入线性区使ID1=I1。HITMicroelectronics王永生2020/7/1134小结小信号增益输出电阻输入电阻摆幅线性度共源级电阻负载∞--二极管负载忽略λ忽略λ∞小较好带源级负反馈忽略λγ∞-好共漏极(电流源负载)忽略λ忽略λ∞小差共栅极忽略λ--共源共栅级(电流源负载)∞小-outmRg)||(ODrR22mbmmggg221mbmggsmDmRgRg1DsOsmbmRRrRgg||}])(1{[直流或低频下!1mbmmgggmbmgg1DmbmRgg)(OmbmODrggrR)(1DOsOmbmRrRrgg||}])(1{[12221)(OOmbmmrrggg1222)(OOmbmrrggHITMicroelectronics王永生2020/7/1135小结电路仿真是必不可少的!不要让计算机替你去思考!