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《电子技术基础》考试大纲一、电子电路基础部分：第一章半导体器件概述1．熟悉二极管、三极管、场效应管的伏安特性、开关特性。2．熟悉二极管、三极管、场效应管及理想运放的主要参数，包括静态参数、动态参数和极限参数。3．掌握三极管、场效应管的微变等效电路模型及理想运放的电路模型。第二章基本运算电路1．掌握TTL与非门电路原理、分析其电压传输特性和主要参数，熟悉其它形式的TTL与非门电路。2．熟悉CMOS门电路的电压传输特性、特点及参数，掌握CMOS传输门。3．掌握理想运放组成的基本线性运算电路，包括比例、求和、微分、积分、对数运算等。第三章基本放大电路1．掌握三极管、场效应管的基本偏置方法，包括分压式偏置、电流源偏置，了解其它偏置方式。2．掌握共基、共射、共集、共源、共漏五种基本组态放大电路的静态及动态分析计算方法。3．了解基本放大电路的频率特性分析方法。第四章组合放大电路1．掌握由五种基本组态组合而成的放大电路的静态及动态分析、计算方法。2．掌握差动放大电路分析、计算方法及其传输特性。3．熟悉通用集成运放的电路原理。4．了解运放的主要参数及误差分析模型。第五章反馈电路及其稳定性分析1．熟悉负反馈的基本概念及对放大电路性能的影响。2．掌握四种类型负反馈电路的判断及估算。3．熟悉负反馈电路稳定性判据及滞后补偿、超前滞后补偿方法。第六章波形产生与整形电路1．熟悉正弦振荡的平衡条件、起振条件及判断方法。2．掌握RC文氏电桥振荡器、三点式振荡器、变压器反馈式LC振荡器的原理及分析估算方法，熟悉石英晶体振荡器的原理。3．熟悉集成电压比较器、集成定时器的电路原理及功能。4．掌握由集成比较器、集成定时器构成的波形产生及整形电路，并掌握电路的分析计算方法。第七章信号处理电路1．掌握低通二阶有源滤波的电路实现方法及分析计算方法，熟悉二阶高通、带通、带阻滤波器的电路实现及计算方法。2．了解高阶滤波器的工程设计方法。3．熟悉对数运算模拟乘法器的电路原理及分析方法及变跨导集成模拟乘法器的电路原理及应用。4．了解锁相环电路的原理及集成锁相环的应用。第八章功率电路1．掌握乙类功放电路的分析计算方法。2．熟悉集成功放电路的原理及应用（OTL，OCL电路）。3．掌握串联型稳压电路的分析计算方法，熟悉三端集成稳压器的电路原理及应用。4．熟悉开关稳压电路的原理，了解无工频变压器开关稳压电路的组成原理及分析计算方法。二、计算机结构与逻辑设计部分：第一章计算机中的数制和码制1、熟悉进位计数制：十进制、二进制、八进制、16进制的表示及相互转换；任意进制的表示及相互转换。2、熟悉计算机中数的表示：无符号表示，带符号表示：原码、反码、补码。3、了解数和字符的编码；字符编码，数的编码。第二章逻辑函数与门网络1、熟练掌握逻辑代数的基本运算、定律、规则、公式。2、会利用代数方法进行不同函数形式间的变换；3、会使用代数方法化简不同形式的逻辑函数；4、会使用卡诺图法化简最小项形式逻辑函数；5、牢记基本逻辑门真值表及符号；6、掌握化简不同形式组合逻辑电路的方法；7、掌握逻辑函数与逻辑电路的对应关系；8、掌握组合逻辑电路的分析和设计方法；9、熟悉译码器，编码器，选择器等组合电路模块的基本原理，会使用这些模块实现简单的电路设计。10、会判别和消除组合逻辑电路中的险象；第三章时序逻辑电路1、牢记基本触发器、锁存器、D锁存器、JK触发器、边沿触发器的基本性质。2、掌握同步时序电路的分析、设计方法；3、掌握状态表化简技巧；4、了解非完全确定的同步时序电路的分析与设计；5、熟悉寄存器，移位寄存器，计数器等模块机理，掌握其设计方法。第四章算术逻辑运算电路1.掌握基本运算电路。2.熟悉BCD码算法。第六章终端、总线与接口1.熟悉外部信息与二进制代码的转换。2.掌握数/模与模/数转换器电路的工作原理、电路组成及其应用光学研究生考试参考数目是高等教育出版社的《光学教程》，作者姚启钧考试大纲包括：第一章光的干涉第二章光的衍射第三章几何光学的基本原理第四章光学仪器的基本原理第五章光的偏振“半导体物理学”硕士研究生入学考试大纲一、考试的总体要求要求考生对半导体物理学的基本概念有深入的理解，系统掌握半导体物理学中基本定理和定律，并具有综合运用所学知识分析问题和解决问题的能力。二、基本考试内容1、晶体结构（金刚石、闪锌矿、纤锌矿结构）和半导体的结合性质；2、半导体中电子状态：Ge、Si、GaAs能带结构，半导体有效质量、空穴、杂质能级；回旋共振；3、热平衡状态下半导体载流子的统计分布：状态密度，费米能级，本征半导体和杂质半导体的载流子浓度，简并半导体和重掺杂效应；4、半导体的导电性：载流子的漂移运动、迁移率、散射的概念,半导体电导率随温度、杂质浓度的变化，强电场效应、热载流子，负阻效应；5、非平衡载流子：非平衡载流子的注入与复合、寿命、准费米能级，爱因斯坦关系等概念，复合理论，陷阱效应和连续性方程；6、p-n结：平衡与非平衡p-n结特点及其能带图，pn结理想和非理想I-V特性，p-n结电容与击穿机制，p-n结隧道效应；三、考试形式及时间考试形式均为笔试、闭卷。考试时间为三小时(满分150)。四、主要参考书目《半导体物理学》刘恩科、朱秉升、罗晋生等编，国防工业出版社东南大学《微机系统与接口》考试大纲(1)以处理器、总线、接口、通道和管理程序为线索，正确建立微型计算机系统的整体概念，理解硬、软件间的辩证关系；(2)掌握CPU中EU和BIU功能，掌握分段存储结构的特点和段寄存器的作用，掌握8086/8088系统逻辑地址（段基地址、偏移量地址）和物理地址的定量关系；掌握CPU总线概念，掌握CPU接口基本时序(存储器、I/O读写)；(3)掌握8086/8088系统常用数据类型（位、字节、字和双字）和存储表示方式，熟练掌握常用指令格式和功能。(4)掌握汇编语言常用伪指令及其作用，能阅读具有典型程序流结构的汇编语言程序，理解后写出程序功能或结果，或按要求进行改写；(5)掌握汇编语言程序设计的基本方法，熟练掌握汇编语言程序基本结构，能用汇编语言编写具有典型程序流结构的程序片段。(6)根据具体要求合理选用存贮器和接口芯片；掌握译码器的概念、设计和连线。(7)掌握常用接口芯片的基本功能和用途，正确理解可编程接口芯片的概念，能用提供的控制字对芯片进行编程；(8)掌握三种I/O方式，正确理解中断和DMA的概念，能根据要求完成处理器和常用接口芯片地址线、数据线、控制线的连接，并能正确编写输入输出和简单处理程序片段。(9)掌握典型的开关量输入输出变换关系（如开关、按钮、指示灯、数码管等）和连线，掌握典型的模拟量-数字量变换关系和简单连线。(10)了解微型计算机的总线标准与总线体系结构以及ISA、EISA、PCI等几种PC机基本总线标准；《电子器件》硕士研究生入学考试大纲二、总体要求要求考生对场效应管（JFET、MESFET、MOSFET）、双极晶体管、半导体激光器、半导体发光二极管以及负电导微波器件等电子器件的工作原理和特性有深入的理解，掌握分析这些器件特性的基本方法，能够运用所学知识进行具体分析，并解决问题。二、基本考试内容1.金-半接触中整流接触与欧姆接触形成的机理与区别；异质结的形成。2．结型场效应管(JFET)工作原理与电流-电压特性；结型场效应管(JFET)的夹断与饱和；金属-半导体场效应晶体管(MESFET)原理；HEMT及短沟道效应.3．MOS场效应管基本原理与制造；理想MOS结构的电容、电容-电压特性；考虑实际表面影响的阈值电压；从电容-电压特性求解绝缘体厚度、衬底掺杂及阈值电压的方法。4．MOS器件的输出特性和转移特性；MOS器件的迁移率模型和短沟道器件的I-V特性；控制阈值电压的原理；衬底偏压效应和亚阈值器件特性；MOSFET的热电子效应；短沟道效应与窄宽度效应；MOSFET的等效电路。5．BJT放大的工作原理；BJT中载流子的分布与端电流分析求解方法。6．耦合二极管模型，E-M方程。7．BJT的开关特性；截止与饱和；非均匀掺杂、基区宽度调制、注入水平以及热效应等对BJT特性的影响；电容与渡越时间对晶体管的频率限制；韦伯斯特效应；异质结双极晶体管。8．光电二极管的工作原理与电流电压特性；9．发光二极管工作原理；10．半导体激光器的粒子数反转概念；发射激光的工作原理；输出谱；半导体激光器与发光二极管的区别。11．隧道二极管工作原理；TheImpattDiode和耿氏效应二极管原理。三、考试形式及时间考试形式均为笔试、闭卷。考试时间为三小时(满分150)。四、主要参考书目《固体电子器件》斯特里特曼著、杨建红译，兰州大学出版社,2005.ISBN7-311-02564-8