高级氧化技术4半导体复合光催化剂

高级氧化技术-4-复合半导体光催化剂4.1复合半导体的意义定义意义4.2复合半导体的模型结构偶合型半导体核壳型半导体掺杂型半导体4.3CdS半导体的光电性能与光腐蚀过程（1）空穴导致CdS电极离子化，发生电极腐蚀（2）氧气作用下，CdS粒子水解（3）CdS晶体阴极溶解腐蚀2--1(())nsufnrCdSCdSCdSh2224hvCSOSOCdd22222CCdHOHSOdHS4.4CdS-TiO2复合半导体的电子传输机理Eg=2.5eVEg=3.2eVTiO2CdShv4.5CdS-TiO2复合半导体的合成方法溶胶混合法原位合成法化学沉积法反胶束法原位合成法Cd2+TiOOOOOOOC----CH2CH2-COCdSSCdNa2SCdS/TiO2TiOOOOOOHOOCCH2SHTiOOOOOOOCCH2SHSCH2CO高等学校化学学报,1998,8,11914.6反胶束法的优势及采用反胶束法合成纳米粒子纳米微反应器理念微乳液法（Microemusion）嵌段共聚物（BlockCopolymer）多孔材料（MultiporesMaterial）层状硅酸盐（LayerSilicate）反胶束法合成原理多孔材料层状材料什么是微乳液？Cd2+S2-Cd2+S2-反胶束微乳液法合成CdS纳米粒子4.7反胶束法合成CdS-TiO2复合半导体反相胶束CdS晶粒生长过程中形成S缺陷通过HS-将CdS纳米粒子从反胶束中提取出来TiO2的表面修饰TiO2￣￣MPTMS的制备Ti-OHSiOCH3OCH3H3COHS+Ti-OSiOCH3OCH3HS+CH3OHCdS反胶束在TiO2表面的固载Ti-OSiOCH3OCH3HS+CdSTi-OSiOCH3OCH3CdSTiO2CdS结果与讨论FT-IR（3450,2850~2980,2592,1080,900~400cm-1）紫外-可见吸收光谱（红移）TEM光催化降解（可见光与紫外光）结论合成了TiO2-MPTMS-CdS纳米粒子较好的稳定性复合量与光活性的关系（UV,Vis.）Photophysicalpropertiesandtunablecolourchangesofsilicasinglelayersdopedwithlanthanide(III)complexesChem.Commun.,2007