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CVDProcess1.晶圆制造厂非常昂贵的原因之一，是需要一个无尘室，为何需要无尘室答：由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷2.何谓半导体?答：半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝，以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。最常用的半导体材料是硅及锗。半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。3.常用的半导体材料为何？答：硅(Si)、锗(Ge)和砷化镓(AsGa)4.何谓VLSI？答：VLSI(VeryLargeScaleIntegration)超大规模集成电路5.在半导体工业中，作为绝缘层材料通常称什么？答：介电质(Dielectric).6.薄膜区机台主要的功能为何？答：沉积介电质层及金属层7.何谓CVD(ChemicalVaporDep.)答：CVD是一种利用气态的化学源材料在晶圆表面产生化学沉积的制程8.CVD分那几种?答：PE-CVD(电浆增强型)及Thermal-CVD(热耦式)9.为什么要用铝铜(Al-Cu)合金作导线?答：良好的导体仅次于铜10.介电材料的作用为何?答：做为金属层之间的隔离11.何谓PMD(Pre-MetalDielectric)答：称为金属沉积前的介电质层，其界于多晶硅与第一个金属层的介电质12.何谓IMD(Inter-MetalDielectric)答：金属层间介电质层。13.何谓USG?答：未掺杂的硅玻璃(UndopedSilicateGlass)14.何谓FSG?答：掺杂氟的硅玻璃(FluorinatedSilicateGlass)15.何谓BPSG?答：掺杂硼磷的硅玻璃(Borophosphosilicateglass)16.何谓TEOS?答：Tetra-ethoxy-silane四乙氧基硅烷,正硅酸四乙酯,用途为沉积二氧化硅17.TEOS在常温时是以何种形态存在?答：液体18.二氧化硅其K值为3.9表示何义答：表示二氧化硅的介电质常数为真空的3.9倍19.氟在CVD的工艺上，有何应用答：作为清洁反应室(Chamber)用之化学气体20.简述Endpointdetector之作用原理答：clean制程时,利用生成物或反应物浓度的变化,因其特定波长光线被detector侦测到强度变强或变弱,当超过某一设定强度时,即定义制程结束而该点为endpoint.21.机台使用的管件材料主要有那些?答：有不锈钢制(StainlessSteal),黄铜制(Brass),塑胶制(PVC),特氟隆制(Teflon)四种.22.机器维修时要放置停机维修告示牌目的为何?答：告知所有的人勿操作机台，避免危险23.机台维修至少两人配合，有何目的?答：帮忙拆卸重物，并随时警戒可能的意外发生24.更换过任何气体管路上的零件之后，一定要做何动作?答：用氦气测漏机来做测漏.25.维修尚未降至室温之反应室(Chamber)，应配带何种手套答：石棉材质之防热手套并宜在80摄式度下始可动作26.何为真空(Vacuum)?半导体业常用真空单位是什么?答：半导体业通常用Torr作为真空的压力单位,一大气压相当760Torr,低于760Torr压力的环境称为真空.27.真空Pump的作用？答：降低反应室(Chamber)内的气体密度和压力28.何谓内部连锁(Interlock)答：机台上interlock有些属于保护操作人员的安全,有些属于水电气等规格讯号,用以保护机台.29.机台设定许多interlock有何作用?答：机台上interlock主要避免人员操作错误及防止不相关人员动作.30.WaferScrubber的功能为何?答：移除芯片表面的污染粒子,Scrubber(Waferclean)机台是水清洗wafer表面，去除wafer表面外来的微尘颗粒(particle).ETCH31.何谓蚀刻(Etch)?答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。32.蚀刻种类:答：(1)干蚀刻;(2)湿蚀刻33.蚀刻对象依薄膜种类可分为:答：poly,oxide,metal34.半导体中一般金属导线材质为何?答：钨线(W)/铝线(Al)/铜线(Cu)35.何谓dielectric蚀刻(介电质蚀刻)?答：Oxideetchandnitrideetch（Si3N4）SiO2(k=3.9),Si3N4膜介电常数高达6-7单晶硅的相对介电常数是11.7±0.2，多晶硅导电性不如金属，限制了讯号传递的速度。虽然可以利用掺杂的方式改善其导电性，但成效仍然有限。有些熔点比较高的金属材料如：钨（Tungsten）、钛（Titanium）、钴（Cobalt）或是镍（Nickel）被用来和多晶硅制成合金。这类混合材料通常称为金属硅化物（silicide）。加上了金属硅化物的多晶硅栅极有比较好的导电特性，而且又能够耐受高温制程。此外因为金属硅化物的位置是在栅极表面，离通道区较远，所以也不会对MOSFET的临界电压造成太大影响。在栅极、源极与漏极都镀上金属硅化物的制程称为“自我对准金属硅化物制程”（Self-AlignedSilicide），通常简称salicide制程36.半导体中一般介电质材质为何?答：氧化硅/氮化硅37.何谓湿式蚀刻答：利用液相的酸液或溶剂;将不要的薄膜去除38.何谓电浆Plasma?答：电浆是物质的第四状态.带有正,负电荷及中性粒子之总和;其中包含电子,正离子,负离子,中性分子,活性基及发散光子等,产生电浆的方法可使用高温或高电压39.何谓干式蚀刻?答：利用plasma将不要的薄膜去除40.何谓Under-etching(蚀刻不足)?答：系指被蚀刻材料，在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留41.何谓Over-etching(过蚀刻)答：蚀刻过多造成底层被破坏)42.何谓Etchrate(蚀刻速率)答：单位时间内可去除的蚀刻材料厚度或深度43.何谓Seasoning(陈化处理)44.答：是在蚀刻室的清净或更换零件后，为要稳定制程条件，使用仿真（dummy）晶圆进行数次的蚀刻循环。45.Asher的主要用途:答：光阻去除46.Wetbenchdryer功用为何?答：将晶圆表面的水份去除47.列举目前Wetbenchdry方法答：(1)SpinDryer(2)Marangonidry(3)IPAVaporDry48.何谓SpinDryer答：利用离心力将晶圆表面的水份去除49.何谓MaragoniDryer答：利用表面张力将晶圆表面的水份去除50.何谓IPAVaporDryer答：利用IPA(异丙醇)和水共溶原理将晶圆表面的水份去除51.测Particle时,使用何种测量仪器?答：TencorSurfscan52.测蚀刻速率时,使用何者量测仪器?答：膜厚计,测量膜厚差值53.何谓AEI'答：AfterEtchingInspection蚀刻后的检查54.AEI目检Wafer须检查哪些项目:答：(1)正面颜色是否异常及刮伤(2)有无缺角及Particle(3)刻号是否正确55.金属蚀刻机台转非金属蚀刻机台时应如何处理?答：清机防止金属污染问题56.金属蚀刻机台Asher的功用为何?答：去光阻及防止腐蚀57.金属蚀刻后为何不可使用一般硫酸槽进行清洗?答：因为金属线会溶于硫酸中58.HotPlate机台是什么用途?答：烘烤59.HotPlate烘烤温度为何?答：90~120℃'60.何种气体为PolyETCH主要使用气体?答：Cl2,HBr,HCl61.用于Al金属蚀刻的主要气体为：答：Cl2,BCl362.用于W金属蚀刻的主要气体为答：SF663.何种气体为oxidevai/contactETCH主要使用气体?答：C4F8,C5F8,C4F664.硫酸槽的化学成份为:答：H2SO4/H2O2.65.AMP槽的化学成份为:答：NH4OH/H2O2/H2O66.UVcuring是什么用途?答：利用UV光对光阻进行预处理以加强光阻的强度UVcuring用于何种层次?答：金属层,67.何谓EMO?答：机台紧急开关68.EMO作用为何?答：当机台有危险发生之顾虑或已不可控制,可紧急按下69.湿式蚀刻门上贴有那些警示标示?答：(1)警告.内部有严重危险.严禁打开此门(2)机械手臂危险.严禁打开此门(3)化学药剂危险.严禁打开此门70.遇化学溶液泄漏时应如何处置?答：严禁以手去测试漏出之液体.应以酸碱试纸测试.并寻找泄漏管路.71.遇IPA槽着火时应如何处置??答：立即关闭IPA输送管路并以机台之灭火器灭火及通知紧急应变小组72.BOE槽之主成份为何?答：HF(氢氟酸)与NH4F(氟化铵).73.BOE为那三个英文字缩写?答：BufferedOxideEtcher。74.有毒气体之阀柜(VMB)功用为何?答：当有毒气体外泄时可利用抽气装置抽走,并防止有毒气体漏出75.电浆的频率一般13.56MHz,为何不用其它频率?答：为避免影响通讯品质,目前只开放特定频率,作为产生电浆之用,如380~420KHz,13.56MHz,2.54GHz等76.何谓ESC(electricalstaticchuck)答：利用静电吸附的原理,将Wafer固定在极板(Substrate)77.Asher主要气体为答：O278.Asher机台进行蚀刻最关键之参数为何?答：温度79.简述TURBOPUMP原理答：利用涡轮原理,可将压力抽至10-6TORR80.热交换器(HEATEXCHANGER)之功用为何？答：将热能经由介媒传输,以达到温度控制之目地'81.简述BACKSIDEHELIUMCOOLING之原理？答：藉由氦气之良好之热传导特性,能将芯片上之温度均匀化82.ORIENTER之用途为何？答：搜寻notch边,使芯片进反应腔的位置都固定,可追踪问题83.简述EPD之功用答：侦测蚀刻终点;Endpointdetector利用波长侦测蚀刻终点84.何谓MFC？答：massflowcontroler气体流量控制器;用于控制反应气体的流量85.GDP为何?答：气体分配盘(gasdistributionplate)86.GDP有何作用？答：均匀地将气体分布于芯片上方87.何谓isotropicetch?答：等向性蚀刻;侧壁侧向蚀刻的机率均等88.何谓anisotropicetch?答：非等向性蚀刻;侧壁侧向蚀刻的机率少89.何谓etch选择比?答：不同材质之蚀刻率比值90.何谓AEICD?答：蚀刻后特定图形尺寸之大小,特征尺寸(CriticalDimension)91.何谓CDbias?答：蚀刻CD减蚀刻前黄光CD92.简述何谓田口式实验计划法?答：利用混合变因安排辅以统计归纳分析93.何谓反射功率?答：蚀刻过程中,所施予之功率并不会完全地被反应腔内接收端所接受,会有部份值反射掉,此反射之量,称为反射功率94.LoadLock之功能为何?答：Wafers经由loadlock后再进出反应腔,确保反应腔维持在真空下不受粉尘及湿度的影响.95.厂务供气系统中何谓BulkGas?答：BulkGas为大气中普遍存在之制程气体,如N2,O2,Ar等96.厂务供气系统中何谓InertGas?答：InertGas为一些特殊无强烈毒性的气体,如NH3,CF4,CHF3,SF6等.97.厂务供气系统中何谓ToxicGas?答：ToxicGas为具有强烈危害人体的毒性气体,如SiH4,Cl2,BCl3等.98.机台维修时,异常告示排及机台控制权应如何处理?答：将告示牌切至异常且将机台控制权移至维修区以防有人误动作99.冷却器的冷却液为何功用?答：传导热100.Etch之废气有经何种方式处理?答：利用水循环将废气溶解之后排放至废酸槽101.何谓RPM?答：即RemotePowerModule,系统总电源箱.102.火灾异常处理程序答：(1)立即警告周围人员.(2)尝试3秒钟灭火.(3)按下EMO停止机台.(4)关闭VMBValve并通知厂务.(5)撤离103.一氧化碳(CO)侦测器警报异常处理程序答：(1