半导体行业报告射频前端从产业变革到价值增长20190629天风证券45页

行业报告|行业深度研究请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明1半导体证券研究报告2019年06月29日投资评级行业评级强于大市(维持评级)上次评级强于大市作者潘暕分析师SAC执业证书编号：[e-mail]陈俊杰分析师SAC执业证书编号：[e-mail]资料来源：贝格数据相关报告1《半导体-行业研究周报:贸易摩擦不确定下紧抓确定性的“国产替代”自主可控主线》2019-06-232《半导体-行业研究周报:博通指引下修，行业迎逆风/国内半导体投资主线逻辑》2019-06-173《半导体-行业研究周报:需求修正逐步消化/科创板临近板块积聚向上动能》2019-06-09行业走势图射频前端：从产业变革到价值增长射频前端：无线连接的核心，市场空间广阔射频前端是无线连接的核心，是在天线和射频收发模块间实现信号发送和接收的基础器件。根据QYRElectronicsResearchCenter的统计，2018年全球射频前端市场达149.1亿美元，目前正是4G网络向5G网络转型升级的阶段，未来全球射频前端市场规模将迎来大规模扩张。预计2023年全球射频前端市场规模将增长至313.10亿美元。射频前端产业链：IDM主导，Fabless兴起射频前端产业是IDM模式最成功的领域。目前IDM模式主导整个射频前端行业。同时射频前端主要产品的市场均被几大国际巨头垄断：Broadcom（Avago）、Skyworks、Qorvo、Murate四大厂商合计占据全球85%的市场。以高通为代表的Fabless厂商试图凭借基带技术切入射频前端领域；同时以华为为代表的设备商对于上游供应链的把控和“国产替代”需求也将重塑产业链格局，国内设计厂商有望迎来替代机遇，我们看好未来射频前端的国产替代逻辑氮化镓：未来5G射频前端新秀氮化镓是性能优异的第三代半导体材料。氮化镓同时可以满足高功率和高频率的特点，相比硅器件，氮化镓拥有全面的优势。氮化镓主要有三种类型的衬底，我们预计硅基氮化镓（GaN-on-Si）将可以以价格为竞争优势替代现有硅和砷化镓技术，前景广阔。YOLE预计，随着5G的不断发展，氮化镓射频器件的全球市场规模将在2022年达7.55亿美元，年复合增长率CAGR为14%。SiP+Antenna封装：未来5G新趋势5G毫米波射频模组将迈向高度整合的时代。其中射频元件将由离散型转向FEMiD和PAMiD形式（均为SiP封装技术）；而天线模组将由AntennaonPCB转向“SiP+Antenna”的封装天线（AIP）形式。射频前端市场空间测算根据我们的测算，我们得出2019年智能手机射频前端市场将达到184.7亿美元，2020年将达到242.6亿美元，相比2018年CAGR达18.79%。2021年全球5G宏基站PA和滤波器市场将达到243.1亿元人民币，相比2019年CAGR为162.31%，2021年全球4G和5G小基站射频器件市场将达到21.54亿元人民币，相比2019年CAGR为140.61%。风险提示：未来5G技术推进不及预期；SiP和AiP等封装技术推广进度不及预期；采用GaN等新材料射频器件推广进度不及预期；整个半导体行业不景气导致需求下降；中美贸易摩擦重点标的推荐股票股票收盘价投资EPS(元)P/E代码名称2019-06-28评级2018A/E2019E2020E2021E2018A/E2019E2020E2021E300782.SZ卓胜微108.92买入1.622.924.196.7667.2337.3026.0016.11600584.SH长电科技12.85买入-0.590.130.450.68-21.7898.8528.5618.90601231.SH环旭电子12.05买入0.540.710.981.3622.3116.9712.308.86600703.SH三安光电11.28增持0.801.031.2514.1010.959.02资料来源：天风证券研究所，注：PE=收盘价/EPS-31%-24%-17%-10%-3%4%11%2018-062018-102019-02半导体沪深300行业报告|行业深度研究请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明2投资要点核心观点科技进步永不停止，基于满足人类交互沟通需求的通信技术迭代在迎来5G之际，基础通信设施的建设无疑是未来几年拉动相关半导体行业成长的动能之一。射频前端是无线连接的核心，随着5G支持的频段数量的增多，单个移动终端射频前端的数量和价值量也会迎来显著增长，未来射频前端市场增长空间广阔。本文试图阐述射频前端半导体相关产业链的投资机遇，从逻辑和数据上阐述清楚以下几个重要问题：1射频前端半导体产业链生态将迎来新的变化，推动产业链公司迎新机遇。目前射频前端半导体产业由IDM模式主导。射频前端主要产品的市场均被几大国际巨头垄断。随着5G到来，以高通为代表的Fabless厂商试图凭借基带技术切入射频前端领域；同时以华为为代表的设备商对于上游供应链的把控和“国产替代”需求也将重塑产业链格局，国内设计厂商有望迎来替代机遇，我们看好未来射频前端的国产替代逻辑。2制造技术是射频前端半导体的关键，涉及到的工艺和材料都不同于以往硅基半导体的制造。射频电路的技术升级主要依靠新设计、新工艺和新材料的结合。从手机端的GaAs二代化合物制造技术到基站端GaN三代化合物技术的演进，是我们关注的产业方向重点；同时，在封装端的高度整合以SiP形式展现，值得重点关注微缩化诉求下的产业机遇。3我们详细拆解手机端和基站端射频前端器件的价值量增长。根据我们的测算，我们得出2019年智能手机射频前端市场将达到184.7亿美元，2020年将达到242.6亿美元，相比2018年CAGR达18.79%。2021年全球5G宏基站PA和滤波器市场将达到243.1亿元人民币，相比2019年CAGR为162.31%，2021年全球4G和5G小基站射频器件市场将达到21.54亿元人民币，相比2019年CAGR为140.61%。我们推荐重点关注国内射频前端芯片的龙头企业卓胜微和积极布局化合物射频前端芯片三安光电以及拥有SiP等先进封装技术龙头公司长电科技和环旭电子。此外，我们建议关注海外的射频半导体技术领先的厂商：CREE、高通、Sumitomo、NXP、Macom，国内的公司我们建议关注在射频器件研发和生产方面具有潜力的13所、55所、能讯半导体、远创达、Ampleon等。行业报告|行业深度研究请务必阅读正文之后的信息披露和免责申明3内容目录1.射频半导体行业现状............................................................................................................................61.1.射频前端芯片市场竞争格局有望改变..................................................................................61.1.1.射频前端：无线连接的核心........................................................................................61.1.2.滤波器：射频器件最大的细分市场...........................................................................81.1.3.射频PA：国外巨头占据主导地位...........................................................................121.1.4.射频开关和LNA：未来市场空间广阔....................................................................131.1.5.射频前端市场：国外大厂垄断，国内厂商突围...................................................141.2.射频前端产业链日趋成熟......................................................................................................151.2.1.IDM模式仍为行业主流................................................................................................151.2.2.“基带供应商切入射频前端市场+整机商把控供应链国产替代”，Fabless迎来发展机遇.................................................................................................................................172.5G赋能射频前端产业.........................................................................................................................182.1.氮化镓：未来5G射频前端新秀..........................................................................................182.1.1.氮化镓：性能优异的第三代半导体材料................................................................192.1.2.硅基氮化镓（GaN-on-Si）：最有前景的衬底技术.............................................212.1.3.氮化镓：未来市场空间广阔......................................................................................232.2.SiP+Antenna封装：未来5G新趋势...................................................................................252.2.1.SiP是超越摩尔定律的必然选择路径.......................................................................252.2.2.SiP——为智能手机量身定制，已获广泛应用.......................................................272.2.3.SiP+Antenna：5G应用广泛.......................................................................................312.3.5G时代下射频前端市场空间广阔........................................................................................342.3.1.手机射频前端市场潜力巨大..............................................................................