电子行业中微半导体半导体设备领先厂商发力刻蚀镀膜等IC核心环节20190621中信建投58

中微半导体：半导体设备领先厂商，发力刻蚀镀膜等IC核心环节•证券研究报告电子行业公司研究报告首席分析师：黄瑜[e-mail]执业证书编号：S1440517100001助理研究员：季清斌[e-mail]发布日期：2019年06月21日目录半导体设备领先厂商，聚焦刻蚀/镀膜两大环节1刻蚀和MOCVD行业迎增量，国产替代空间巨大2深耕介质和TSV刻蚀领域，MOCVD彰显实力3募投拟扩产升级高端设备，布局先进制程设备研发4盈利预测与估值情况5一、半导体设备领先厂商，聚焦刻蚀/镀膜两大环节1.1国内半导体设备优质厂商，自主研发与技术实力雄厚资料来源：招股说明书，中信建投证券研究发展部中微公司成立于2004年，2018年注册资本4.81亿元，主要从事高端半导体设备领域。共有境外法人股东6名，境内法人股东20名，尹志尧等自然人股东8名，其中持股5%以上股份或表决权股东，包括上海创投、巽鑫投资、南昌智微、置都投资、中微亚洲、Grenade、Bootes、Futago、悦橙投资、创橙投资、亮橙投资和橙色海岸。子公司中，中微国际负责海外销售，中微南昌负责MOCVD研发生产和销售，中微厦门负责MOCVD和刻蚀设备销售；中微惠创负责VOC设备研发生产和销售，中微汇链负责泛半导体生态培育，参股沈阳拓荆（PECVD和ALD优质企业）中微半导体股权结构及公司结构FutagoBootesGrenade美国高通Primrose中微亚洲尹志尧等8名自然人5.15%4.07%1.14%2.38%2.31%0.78%上海自贸区基金亮橙投资君邦投资协鑫控股国投投资浦东新兴君鹏投资橙色海岸自贸区三期基金茂流投资置都投资南昌智微巽鑫投资上海创投悦橙投资国开创新创橙投资和谐锦弘励微投资芃徽投资境内0.05%0.41%0.81%0.81%1.32%1.39%1.61%1.64%5.48%6.37%19.39%20.02%2.46%1.89%1.88%1.32%4.69%4.09%2.74%2.66%中微公司境外中微南昌中微汇链上海创徒沈阳拓荆中微厦门中微惠创中微国际8.47%10.96%19%95%100%100%100%100%中微韩国中微北美中微日本中微国际台湾分公司100%3.61%上海芯元基2004年2010年2007年2013年2016年初2018年2017年至今2011年2012年2016年末2017年初中微有限设立首台CCP刻蚀设备PrimoD-RIE研制成功首台深硅刻蚀设备产品研制成功CCP刻蚀设备产品PrimoAD-RIE刻蚀设备研制成功首台VOC设备产品研制成功首台ICP刻蚀设备产品Primonanova研制成功CCP刻蚀设备产品PrimoSSCAD-RIE刻蚀设备研制成功继续引领国内半导体设备和技术的发展首台MOCVD设备产品PrismoD-Blue研制成功改进PrimoAD-RIE并进入5nm生产线中微公司第100台MOCVDPrismoA7反应腔付运里程碑MOCVD设备产品PrismoA7初步研制成功中微公司设立以来主要产品的演变情况一、半导体设备领先厂商，聚焦刻蚀/镀膜两大环节资料来源：招股说明书，中信建投证券研究发展部公司主要业务是开发大型真空的微观器件工艺设备，包括等离子体刻蚀和薄膜积设备。刻蚀设备方面：04年着手研发CCP刻蚀，07年PrimoD-RIE研发成功，10年深硅刻蚀设备研制成功，11年CCP刻蚀PrimoAD-RIE研发成功，13年CCP刻蚀PrimoSSCAD-RIE研发成功，16年ICP刻蚀Primonanova研发成功，18年CCP刻蚀PrimoAD-RIE改进，并进入台积电5nm产线。MOCVD方面，2010年开始研发LED外延的MOCVD设备，12年第一代PrismoD-Blue研制成功，17年初第二代PrismoA7研制成功。截止17年底已经出货100台PrismoA7MOCVD设备。1.1国内半导体设备优质厂商，自主研发与技术实力雄厚一、半导体设备领先厂商，聚焦刻蚀/镀膜两大环节资料来源：招股说明书，中信建投证券研究发展部公司创始团队、管理层及核心技术团队均拥有数十年半导体产业，尤其是半导体设备国际大厂多年经验。尹志尧：董事长/总经理，在半导体及设备行业从业35年，是国际等离子刻蚀技术重要推动者。曾任英特尔、泛林、应用材料等负责刻蚀设备产品开发和管理工作。尹志尧博士是89项美国专利和200多项其他海内外专利的主要发明人。2018年美国VLSIResearch全球评比中，与英特尔董事长、格罗方德CEO一起被评为2018年国际半导体产业十大领军明星。其他核心成员：杜志游、倪图强、麦仕义、杨伟、李天笑等均有在应用材料、泛林半导体、英特尔等半导体设备或芯片大厂从事多年研发、管理等工作。中微公司核心团队成员工作经历1.1国内半导体设备优质厂商，自主研发与技术实力雄厚37%22%19%7%6%9%研发人员工程技术人员管理人员销售人员生产人员其它9%33%34%24%博士硕士大学本科大专以下中微半导体18年员工结构中微半导体18年员工教育程度比例02004006008001,0001,2001,400中微半导体专利申请数量情况一、半导体设备领先厂商，聚焦刻蚀/镀膜两大环节资料来源：招股说明书，中信建投证券研究发展部资料来源：招股说明书，中信建投证券研究发展部公司分为电容性等离子体刻蚀设备、电感性等离子体刻蚀设备、深硅/MEMS刻蚀设备、MOCVD设备等不同团队。截至18年末公司研发和技术人员381名，占员工总数58%，硕士及博士占比为42%，涵盖了等离子体物理、射频及微波学、结构化学、微观分子动力学、光谱及能谱学、真空机械传输等相关学科的专业人员。公司高度重视研发投入与自主核心技术，并有严格的知识产权管理体系。至2019年2月末，公司申请了1201项专利，其中发明专利1038项，海外发明专利465项；已获授权专利951项，其中发明专利800项。证明公司在自主知识产权技术方面的储备。1.1国内半导体设备优质厂商，自主研发与技术实力雄厚中微半导体主要产品刻蚀设备MOCVD设备其他设备电容性等离子体刻蚀设备电感性等离子体刻蚀设备VOC设备一、半导体设备领先厂商，聚焦刻蚀/镀膜两大环节资料来源：招股说明书，中信建投证券研究发展部1.2专注刻蚀/镀膜两大环节IC设备，获国内外诸多知名厂商认可光刻、等离子体刻蚀、薄膜沉积设备是集成电路、LED芯片制造三大环节的关键设备。中微半导体聚焦等离子刻蚀、金属有机化学气相沉积（MOCVD）两大核心领域，以及VOC净化设备等。中微公司产品广泛应用于IC前道制造、后道先进封装以及LED/MEMS制造等领域。公司等离子体设备已被广泛应用于国际一线客户，覆盖从65纳米到14纳米，及7纳米/5纳米最先进制程的IC加工制造及先进封装。公司MOCVD设备在行业领先客户生产线上大规模投入量产，成为世界排名前列、国内占主导地位的氮化镓基LEDMOCVD设备厂商。最近的LED扩产厂商中，多数采购中微MOCVD设备，国内市占率超80%。中微半导体产品涵盖刻蚀/镀膜两大核心环节刻蚀干法刻蚀（等离子刻蚀）湿法刻蚀金属刻蚀介质刻蚀硅刻蚀电容耦合等离子体刻蚀（CCP）电感耦合等离子体刻蚀（ICP）多晶硅栅单晶硅槽氧化硅氮化硅铝合金钨接触金属一、半导体设备领先厂商，聚焦刻蚀/镀膜两大环节资料来源：行业资料，中信建投证券研究发展部1.2专注刻蚀/镀膜两大环节IC设备，获国内外诸多知名厂商认可刻蚀是利用化学或者物理方法有选择性地从硅片表面去除不需要材料的过程，刻蚀的目标是涂胶的硅片上正确复制掩模图形。刻蚀分为干法和湿法刻蚀两大类，其中湿法用于尺寸较大情况，干法用于亚微米情况。干法刻蚀，按照产生等离子体方式分为电容耦合（CCP）、电感耦合（ICP）两种主流方式，CCP刻蚀通过电容产生等离子体，而ICP刻蚀通过螺旋线圈产生等离子体。按照刻蚀材质的不同，又分为金属、介质和硅刻蚀。其中CCP刻蚀常用于刻蚀氧化物、氮化物等介质材料，ICP刻蚀主要用于单晶硅、多晶硅等材料刻蚀。中微半导体在CCP刻蚀设备上业内领先，ICP刻蚀上表现优秀。中微半导体聚焦的刻蚀领域刻蚀设备镀膜设备国际主要产商国内主要产商中微产品电容性等离子刻蚀（PrimoAD-RIE）电感性等离子刻蚀（Primonanova）深硅刻蚀（PrimoTSV）MOCVD（PrismoD-lue）MOCVD（PrismoA7）一、半导体设备领先厂商，聚焦刻蚀/镀膜两大环节资料来源：招股说明书，中信建投证券研究发展部资料来源：麦肯锡，中信建投证券研究发展部1.2专注刻蚀/镀膜两大环节IC设备，获国内外诸多知名厂商认可中微产品线细分看：（1）刻蚀设备，包括电容性等离子刻蚀（CCP）、电感性等离子刻蚀（ICP），TSV刻蚀。国内同行包括北方华创，国际厂商包括应用材料（AMAT）、泛林（LamResearch）、东京电子（TEL）;（2）镀膜设备，主要为MOCVD，国内同行包括中晟光电等，国际厂商包括美国Veeco和德国AIXTRON。半导体设备作为整个半导体产业的上游核心，年市场规模约在600亿美金，支撑着下游3000多亿美金芯片市场，继而对手机、电脑、家电等万亿美元级终端市场，对软件、互联网、电子商务、传媒、大数据等几十万亿美金市场有着至关重要影响。中微半导体具体产品及同业厂商半导体设备对整个信息产业至关重要时间奖项授予方2018年、2017年2016年、2017年中国半导体设备行业五强企业中国半导体行业协会2013年、2018年第15届、第20届中国国际工业博览会银奖中国国际工业博览会组委会2014年第16届中国国际工业博览会金奖中国国际工业博览会组委会2017年2017年突出贡献奖全国半导体设备和材料标准化技术委员会2010、2011、2015年上海市科技进步一等、二等、二等奖上海市人民政府2013年中国专利金奖国家知识产权局2011年-2017年上海市浦东新区科技进步一等奖（四次）、二等奖（一次）上海市浦东新区人民政府2012年国家战略性创新产品国家科技部2013年2012年优秀项目团队奖国家科技重大专项实施管理办公室一、半导体设备领先厂商，聚焦刻蚀/镀膜两大环节资料来源：招股说明书，中信建投证券研究发展部资料来源：招股说明书，中信建投证券研究发展部1.2专注刻蚀/镀膜两大环节IC设备，获国内外诸多知名厂商认可公司是国内领先的半导体设备厂商，获得69项知名奖项，其中包括中国国际工业博览会多次银奖/金奖，国家知识产权局专利金奖、科技部国家战略创新产品、半导体协会全国半导体设备前五强、上海市科技进步一等奖等。中微公司在2018年度VLSIResearch“客户满意度”调查中位居全球半导体设备公司的第三名，在刻蚀和清洗设备供应商排中位列二，在全球薄膜沉积备供应商排名第一。体现了公司产品在全球市场竞争力和客户满意度。中微半导体获得国内多次重大奖项中微半导体产品的口碑得到国际协会认可40%50%60%70%80%90%2016年2017年2018年前五大客户的销售占比刻蚀设备LEDIC华灿光电璨扬光电三安光电乾照光电长江储存华虹宏力联华电子台积电SK海力士中芯国际格罗方德中微半导体MOCVD设备华力微电子博世晶方科技华邦电子一、半导体设备领先厂商，聚焦刻蚀/镀膜两大环节资料来源：招股说明书，中信建投证券研究发展部资料来源：招股说明书，中信建投证券研究发展部1.2专注刻蚀/镀膜两大环节IC设备，获国内外诸多知名厂商认可公司刻蚀设备涵盖IC制造厂商和封测厂商，包括台积电、中芯国际、联华电子、华力微电子、海力士、长江存储、华邦电子、晶方科技、格罗方德、博世、意法半导体。公司MOCVD设备包括三安光电、璨扬光电、华灿光电、乾照光电等LED外延厂商和功率器件厂商。公司前五大客户销售占比从16年的85.74%，下降到18年的60.55%，对前五大客户依赖逐渐降低，客户群体扩大。18年前五大客户包括乾照光电