图像传感器(CIS)行业报告西南证券研究发展中心电子行业研究团队陈杭(S1250519060004)2019年8月CMOS图像传感器技术简介CMOS图像传感器的应用CMOS图像传感器的竞争格局图像传感器的历史沿革韦尔股份(豪威科技)分析1图像传感器的历史沿革1873年,科学家约瑟·美(JosephMay)及伟洛比·史密夫(WilloughbySmith)就发现了硒元素结晶体感光后能产生电流,由此,电子影像发展开始,随着技术演进,图像传感器性能逐步提升。光学倍增管(PMT)光电及双极二极管阵列CCD图像传感器CMOS图像传感器1950s1960s1970s1980s1990s2000s2010s20世纪50年代——光学倍增管(PhotoMultiplierTube,简称PMT)出现。1965年-1970年,IBM、Fairchild等企业开发光电以及双极二极管阵列。1970年,CCD图像传感器在Bell实验室发明,依靠其高量子效率、高灵敏度、低暗电流、高一致性、低噪音等性能,成为图像传感器市场的主导。90年代末,步入CMOS时代。数据来源:西南证券整理2图像传感器的历史沿革——PMT光电倍增管(简称光电倍增管或PMT),真空光电管的一种。工作原理是:由光电效应引起,在PMT入射窗处撞击光电阴极的光子产生电子,然后由高压场加速,并在二次加工过程中在倍增电极链中倍增发射。光电倍增管是一种极其灵敏的光检测器,可探测电磁波谱紫外,可见和近红外范围内光源,提供与光强度成比例的电流输出,广泛应用于验血,医学成像,电影胶片扫描(电视电影),雷达干扰和高端图像扫描仪鼓扫描仪中。数据来源:SENSE官网,西南证券整理3数字成像始于1969年,由WillardBoyle和GeorgeE.Smith于AT&T贝尔实验室发明最初致力于内存→“充电'气泡'设备”,可以被用作移位寄存器和区域成像设备CCD是电子设备,CCD在硅芯片(IC)中进行光信号与电信号之间的转换,从而实现数字化,并存储为计算机上的图像文件。2009年,WillardBoyle和GeorgeE.Smith获得诺贝尔物理学奖CWillardBoyle和GeorgeE.Smith柯达第一款数码相机图像传感器的历史沿革——CCD数据来源:Prof.YoungcheolChae,西南证券整理41997年,卡西尼国际空间站使用CCD相机(广角和窄角)美国宇航局局长丹尼尔戈尔丁称赞CCD相机“更快,更好,更便宜”;声称在未来的航天器上减少质量,功率,成本,都需要小型化相机。而电子集成便是小型化的良好途径,而基于MOS的图像传感器便拥有无源像素和有源像素(3T)的配置。国际空间站使用CCD相机数据来源:Prof.YoungcheolChae,西南证券整理5SiimpelAF相机模型2007年CMOS图像传感器使得“芯片相机”成为可能,相机小型化趋势明显2007年,SiimpelAF相机模型的出现标志着相机小型化重大突破芯片相机的崛起为多个领域(车载,军工航天、医疗、工业制造、移动摄影、安防)等领域的技术创新提供了新机遇“芯片相机”上的带有有缘像素转换器的CMOS有效像素传感器JPL团队主要成员合影图像传感器的历史沿革——CMOS图像传感器数据来源:Prof.YoungcheolChae,西南证券整理61995年2月,Photobit公司成立,将CMOS图像传感器技术实现商业化。1995-2001年间,Photobit增长到约135人,主要包括:私营企业自筹资金的定制设计合同、SBIR计划的重要支持(NASA/DoD)、战略业务合作伙伴的投资,这期间共提交了100多项新专利申请。CMOS图像传感器经商业化后,发展迅猛,应用前景广阔,逐步取代CCD成为新潮流。1995年的Photobit团队2000年的Photobit团队多项专利产品CMOS图像传感器走向商业化数据来源:Prof.YoungcheolChae,西南证券整理72001年11月,Photobit被美光科技公司收购并获得许可回归加州理工学院。与此同时,到2001年,已有数十家竞争对手崭露头角,例如Toshiba,STMicro,Omnivision,CMOS图像传感器业务部分归功于早期的努力促进技术成果转化。后来,索尼和三星分别成为了现在全球市场排名第一,第二。后来,Micron剥离了Aptina,Aptina被ONSemi收购,目前排名第4。CMOS传感器逐渐成为摄影领域主流,并广泛应用于多种场合。医疗领域内窥镜摄像头Awaiba~2012移动端-手机\相机摄影车载端-车载摄像头安防领域-监控航天/军工领域工业生产-工业相机视觉传感技术CMOS图像传感器的广泛应用数据来源:Prof.YoungcheolChae,西南证券整理8CMOS图像传感器发展历程70年代:Fairchild80年代:Hitachi80年代初期:Sony1971年:发明FDA&CDS技术FDA&CDS技术被发明CMOS图像传感器成为主流1971年1970年-1980年80年代初期2005年1998年1993年仙童半导体索尼(SONY)在消费市场上实现重大突破NHK/Olympus,放大MOS成像仪(AMI),随后称之为CMOS图像传感器单芯片相机JPL,CMOS有源像素传感器80年中叶:在消费市场上实现重大突破;1990年:NHK/Olympus,放大MOS成像仪(AMI),即CIS1993年:JPL,CMOS有源像素传感器,1998年:单芯片相机,2005年后:CMOS图像传感器成为主流。数据来源:西南证券整理9图像传感器的历史沿革CMOS图像传感器的应用CMOS图像传感器的竞争格局CMOS图像传感器技术简介韦尔股份(豪威科技)分析10模拟电路部分数字电路部分CMOS图像传感器CMOS图像传感器(CIS)是模拟电路和数字电路的集成。主要由四个组件构成:微透镜、彩色滤光片(CF)、光电二极管(PD)、像素设计。CIS结构CIS成像原理微透镜:具有球形表面和网状透镜;光通过微透镜时,CIS的非活性部分负责将光收集起来并将其聚焦到彩色滤光片。彩色滤光片(CF):拆分反射光中的红、绿、蓝(RGB)成分,并通过感光元件形成拜尔阵列滤镜。光电二极管(PD):作为光电转换器件,捕捉光并转换成电流;一般采用PIN二极管或PN结器件制成。像素设计:通过CIS上装配的有源像素传感器(APS)实现。APS常由3至6个晶体管构成,可从大型电容阵列中获得或缓冲像素,并在像素内部将光电流转换成电压,具有较完美的灵敏度水平和的噪声指标。数据来源:三星,西南证券整理行选择器像素阵列ADCPLL列选择器和CDSPGAISP灰度补偿色彩插值平滑处理色彩校正11Bayer阵列滤镜与像素像素,即亮光或暗光条件下的像素点数量,是数码显示的基本单位,其实质是一个抽象的取样,我们用彩色方块来表示。图示像素用R(红)G(绿)B(蓝)三原色填充,每个小像素块的长度指的是像素尺寸,图示尺寸为0.8μm。像素与像素尺寸感光元件上的每个方块代表一个像素块,上方附着着一层彩色滤光片(CF),CF拆分完反射光中的RGB成分后,通过感光元件形成拜尔阵列滤镜。经典的Bayer阵列是以2x2共四格分散RGB的方式成像,QuadBayer阵列扩大到了4x4,并且以2x2的方式将RGB相邻排列。CMOS图像传感器Bayer阵列滤镜数据来源:西南证券整理12Bayer阵列滤镜与像素滤镜上每个小方块与感光元件的像素块对应,也就是在每个像素前覆盖了一个特定的颜色滤镜。比如红色滤镜块,只允许红色光线投到感光元件上,那么对应的这个像素块就只反映红色光线的信息。随后还需要后期色彩还原去猜色,最后形成一张完整的彩色照片。感光元件→Bayer滤镜→色彩还原,这一整套流程,就叫做Bayer阵列。彩色滤镜块工作原理数据来源:西南证券整理13前照式(FSI)与背照式(BSI)早期的CIS采用的是前面照度技术FSI(FRONT-SIDEILLUMINATED),拜尔阵列滤镜与光电二极管(PD)间夹杂着金属(铝,铜)区,大量金属连线的存在对进入传感器表面的光线存在较大的干扰,阻碍了相当一部分光线进入到下一层的光电二极管(PD),信噪比较低。技术改进后,在背面照度技术BSI(FRONT-SIDEILLUMINATED)的结构下,金属(铝,铜)区转移到光电二极管(PD)的背面,意味着经拜尔阵列滤镜收集的光线不再众多金属连线阻挡,光线得以直接进入光电二极管;BSI不仅可大幅度提高信噪比,且可配合更复杂、更大规模电路来提升传感器读取速度。微透镜彩色滤光片光电二极管(PD)金属区光接收面前面照度技术(FSI)背面照度技术(BSI)数据来源:西南证券整理14CIS参数——帧率帧率(Framerate):以帧为单位的位图图像连续出现在显示器上的频率,即每秒能显示多少张图片。而想要实现高像素CIS的设计,很重要的一点就是Analog电路设计,像素上去了,没有匹配的高速读出和处理电路,便无办法以高帧率输出出来。PixelPixelPixelPixelCDSCDSPixelPixelPixelPixelCDSCDSADCADCCDSCDS模拟信号数字信号ADC模拟信号降噪模拟信号降噪数字信号降噪每个像素组自有ADC多组共用一个ADC传统CIS架构Exmor架构索尼早于2007年chuan'gan发布了首款Exmor传感器。Exmor传感器在每列像素下方布有独立的ADC模数转换器,这意味着在CIS芯片上即可完成模数转换,有效减少了噪声,大大提高了读取速度,也简化了PCB设计。数据来源:西南证券整理15图像传感器的历史沿革CMOS图像传感器技术简介CMOS图像传感器的竞争格局CMOS图像传感器的应用韦尔股份(豪威科技)分析169%13%20%11%10%9%9%8%8%1%0%4%8%12%16%20%050001000015000200002500020152016201720182019e2020e2021e2022e2023e2024e市场规模YOY$MCMOS图像传感器全球市场规模2017年为CMOS图像传感器高增长点,同比增长达到20%。2018年,全球CIS市场规模155亿美元,预计2019年同比增长10%,达到170亿美元。目前,CIS市场正处于稳定增长期,预计2024年市场逐渐饱和,市场规模达到240亿美元。数据来源:Yole,西南证券整理17CIS应用——车载领域车载领域的CIS应用包括:后视摄像(RVC),全方位视图系统(SVS),摄像机监控系统(CMS),FV/MV,DMS/IMS系统。后视摄像(RVC)全方位视图系统(SVS)摄像机监控系统(CMS)FVMVDMS/IMS系统汽车图像传感器全球销量呈逐年增长趋势。后视摄像(RVC)是销量主力军,呈稳定增长趋势,2016年全球销量为5100万台,2018年为6000万台,2019年预计达到6500万台。FV/MV全球销量增长迅速,2016年为1000万台,2018年为3000万台,此后,预计FV/MV将依旧保持迅速增长趋势,预计2019年销量可达4000万台,2021可达7500万台,直逼RVC全球销量。汽车图像传感器全球市场数据来源:豪威科技,西南证券整理18车载领域——HDR技术方法HDR解决方案,即高动态范围成像,是用来实现比普通数位图像技术更大曝光动态范围。时间复用。相同的像素阵列通过使用多个卷帘(交错HDR)来描绘多个边框。好处:HDR方案是与传统传感器兼容的最简单的像素技术。缺点:不同时间发生的捕获导致产生运动伪影。空间复用。单个像素阵列帧被分解为多个,通过不同的方法捕获:1.像素或行级别的独立曝光控制。优点:单帧中的运动伪影比交错的运动伪影少。缺点:分辨率损失,且运动伪影仍然存在边缘。2.每个像素共用同一微透镜的多个光电二极管。优点:在单个