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一、填空题晶圆制备1．用来做芯片的高纯硅被称为（半导体级硅），英文简称（GSG），有时也被称为（电子级硅）。2．单晶硅生长常用（CZ法）和（区熔法）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（硅锭）。3．晶圆的英文是（wafer），其常用的材料是（硅）和（锗）。4．晶圆制备的九个工艺步骤分别是整型、定向、标识。5．从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（100）、（110）和（111）。6．CZ直拉法生长单晶硅是把（融化了的半导体级硅液体）变为（有确定晶向的）并且（被掺杂成p型或n型）的固体硅锭。7．CZ直拉法的目的是（实现均匀掺杂的同时，并且复制仔晶的结构，得到合适的硅锭直径）。影响CZ直拉法的两个主要参数是（拉伸速率）和（晶体旋转速率）。8．晶圆制备中的整型处理包括（去掉两端）、（径向研磨）和（硅片定位边和定位槽）。9．制备半导体级硅的过程：1（制备工业硅）；2（生长硅单晶）；3（提纯）。10.晶片需要经过切片、磨片、抛光后，得到所需晶圆。氧化10．二氧化硅按结构可分为（）和（）或（）。11．热氧化工艺的基本设备有三种：（卧式炉）、（立式炉）和（快速热处理炉）。12．根据氧化剂的不同，热氧化可分为（干氧氧化）、（湿氧氧化）和（水汽氧化）。13．用于热氧化工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分：（工艺腔）、（硅片传输系统）、气体分配系统、尾气系统和（温控系统）。14．选择性氧化常见的有（局部氧化）和（浅槽隔离），其英语缩略语分别为LOCOS和（STI）。15．列出热氧化物在硅片制造的4种用途：（掺杂阻挡）、（表面钝化）、场氧化层和（金属层间介质）。16．可在高温设备中进行的五种工艺分别是（氧化）、（扩散）、（蒸发）、退火和合金。17．硅片上的氧化物主要通过（热生长）和（淀积）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（薄膜）。18．卧式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所，它由平卧的（石英工艺腔）、（加热器）和（石英舟）组成。淀积19．目前常用的CVD系统有：（APCVD）、（LPCVD）和（PECVD）。20．淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是（晶核形成），第二步是（聚焦成束），第三步是（汇聚成膜）。21．缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（等离子体增强化学气相淀积）、（低压化学气相淀积）、高密度等离子体化学气相淀积、和（常压化学气相淀积）。22．在外延工艺中，如果膜和衬底材料（相同），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（同质外延）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（异质外延）。23．化学气相淀积是通过（）的化学反应在硅片表面淀积一层（）的工艺。硅片表面及其邻近的区域被（）来向反应系统提供附加的能量。金属化24．金属按其在集成电路工艺中所起的作用，可划分为三大类：（）、（）和（）。25．气体直流辉光放电分为四个区，分别是：无光放电区、汤生放电区、辉光放电区和电弧放电区。其中辉光放电区包括前期辉光放电区、（）和（），则溅射区域选择在（）。26．集成电路工艺中利用溅射现象主要用来（），还可以用来（）。27．对芯片互连的金属和金属合金来说，它所必备一些要求是：（导电率）、高黏附性、（淀积）、（平坦化）、可靠性、抗腐蚀性、应力等。28．在半导体制造业中，最早的互连金属是（铝），在硅片制造业中最普通的互连金属是（铜），。29．写出三种半导体制造业的金属和合金（Al）、（Cu）和（铝铜合金）。30．阻挡层金属是一类具有（高熔点）的难熔金属，金属铝和铜的阻挡层金属分别是（W）和（W）。31．被用于传统和双大马士革金属化的不同金属淀积系统是：（）、（）、（）和铜电镀。32．溅射主要是一个（）过程，而非化学过程。在溅射过程中，（）撞击具有高纯度的靶材料固体平板，按物理过程撞击出原子。这些被撞击出的原子穿过（），最后淀积在硅片上。平坦化33．缩略语PSG、BPSG的中文名称分别是（）、（）。34．列举硅片制造中用到CMP的几个例子：（）、LI氧化硅抛光、（）、（）、钨塞抛光和双大马士革铜抛光。35．终点检测是指（CMP设备）的一种检测到平坦化工艺把材料磨到一个正确厚度的能力。两种最常用的原位终点检测技术是（电机电流终点检测）和（光学终点检测）。36．硅片平坦化的四种类型分别是（平滑）、部分平坦化、（局部平坦化）和（全局平坦化）。37．传统的平坦化技术有（）、（）和（）。38．CMP是一种表面（全局平坦化）的技术，它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面，在硅片和抛光头之间有（磨料），并同时施加（压力）。光刻39．光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（正性光刻），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（负性光刻胶），后者是（正性光刻胶）。40．写出下列光学光刻中光源波长的名称：436nmG线、365nmI线、193nm深紫外、157nm（）。41．光学光刻中，把与掩膜版上图形（）的图形复制到硅片表面的光刻是（）性光刻；把与掩膜版上相同的图形复制到硅片表面的光刻是（）性光刻。42．对于半导体微光刻技术，在硅片表面涂上（）来得到一层均匀覆盖层最常用的方法是旋转涂胶，其有4个步骤：（）、旋转铺开、旋转甩掉和（）。43．光学光刻的关键设备是光刻机，其有三个基本目标：（使硅片表面和石英掩膜版对准并聚焦，包括图形）；（通过对光刻胶曝光，把高分辨率的投影掩膜版上图形复制到硅片上）；（在单位时间内生产出足够多的符合产品质量规格的硅片）。刻蚀44．在半导体制造工艺中有两种基本的刻蚀工艺：（）和（）。前者是（）尺寸下刻蚀器件的最主要方法，后者一般只是用在大于3微米的情况下。45．在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（化学作用）、（物理作用）和（化学作用与物理作用混合）。46．随着铜布线中大马士革工艺的引入，金属化工艺变成刻蚀（介质）以形成一个凹槽，然后淀积（金属）来覆盖其上的图形，再利用（CMP）把铜平坦化至ILD的高度。47．刻蚀是用（化学方法）或（物理方法）有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形）。48．刻蚀剖面指的是（被刻蚀图形的侧壁形状），有两种基本的刻蚀剖面：（各向同性）刻蚀剖面和（各向异性）刻蚀剖面。扩散49．本征硅的晶体结构由硅的（）形成，导电性能很差，只有当硅中加入少量的杂质，使其结构和（）发生改变时，硅才成为一种有用的半导体，这一过程称为（）。50．集成电路制造中掺杂类工艺有（）和（）两种，其中（）是最重要的掺杂方法。51．掺杂被广泛应用于硅片制作的全过程，硅芯片需要掺杂（）和VA族的杂质，其中硅片中掺入磷原子形成（）硅片，掺入硼原子形成（）硅片。52．扩散是物质的一个基本性质，分为三种形态：（气相）扩散、（液相）扩散和（固相）扩散。53．杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（间隙式扩散机制）扩散和（替代式扩散机制）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（激活杂质后），才有助于形成半导体硅。54．扩散是物质的一个基本性质，描述了（一种物质在另一种物质中的运动）的情况。其发生有两个必要条件：（一种材料的浓度必须高于另一种材料的浓度）和（系统内必须有足够的能量使高浓度的材料进入或通过另一种材料）。55．集成电路制造中掺杂类工艺有（热扩散）和（离子注入）两种。在目前生产中，扩散方式主要有两种：恒定表面源扩散和（）。56．硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：（预淀积）、（推进）和（激活）。57．热扩散利用（高温）驱动杂质穿过硅的晶体结构，这种方法受到（时间）和（温度）的影响。58．硅掺杂是制备半导体器件中（）的基础。其中pn结就是富含（IIIA族杂质）的N型区域和富含（VA族杂质）的P型区域的分界处。离子注入59．注入离子的能量可以分为三个区域：一是（），二是（），三是（）。60．控制沟道效应的方法：（）；（）；（）和使用质量较大的原子。61．离子束轰击硅片的能量转化为热，导致硅片温度升高。如果温度超过100摄氏度，（）就会起泡脱落，在去胶时就难清洗干净。常采用两种技术来冷却硅片。62．最常用的杂质源物质有（）、（）、（）和AsH3等气体。63．离子注入设备包含6个部分：（）、引出电极、离子分析器、（）、扫描系统和（）。64．离子注入是一种向硅衬底中引入（）的杂质，以改变其（）的方法，它是一个物理过程，即不发生（）。工艺集成65．芯片硅片制造厂可以分为6个独立的生产区：扩散区、（光刻区）、刻蚀区、（注入区）、（薄膜区）和抛光区。66．集成电路的发展时代分为：（小规模集成电路SSI）、中规模集成电路MSI、（大规模集成电路LSI）、超大规模集成电路VLSI、（甚大规模集成电路ULSI）和极大规模集成电路。67．集成电路的制造分为五个阶段，分别为（硅单晶制备）、（硅片制造）、硅片测试和拣选、（装配和封装）、终测。68．制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片，称为硅片或（硅衬底）。在硅片制造厂，由硅片生产的半导体产品，又被称为（微芯片）或（芯片）。69．光刻区位于硅片厂的中心，经过光刻处理的硅片只流入两个区，因此只有三个区会处理涂胶的硅片，它们是（）、（）和（）。二、判断题（10分=1分*10）10题/章晶圆制备1．半导体级硅的纯度为99.9999999%。（√）2．冶金级硅的纯度为98%。（√）3．西门子工艺生产的硅没有按照希望的晶体顺序排列原子。（√）4．对半导体制造来讲，硅片中用得最广的晶体平面是（100）、（110）和（111）。（√）5．CZ直拉法是按照在20世纪90年代初期它的发明者的名字来命名的。（√）6．用来制造MOS器件最常用的是（100）面的硅片，这是因为（100）面的表面状态更有利于控制MOS器件开态和关态所要求的阈值电压。（√）7．（111）面的原子密度更大，所以更易生长，成本最低，所以经常用于双极器件。（√）8．区熔法是20世纪50年代发展起来的，能生产到目前为止最纯的硅单晶，含氧量非常少。（√）9．85%以上的单晶硅是采用CZ直拉法生长出来的。（√）10．成品率是指在一片晶圆上所有芯片中好芯片所占的百分比。（√）氧化11．当硅片暴露在空气中时，会立刻生成一层无定形的氧化硅薄膜。（√）12．暴露在高温的氧气氛围中，硅片上能生长出氧化硅。生长一词表示这个过程实际是消耗了硅片上的硅材料。（√）13．二氧化硅是一种介质材料，不导电。（√）14．硅上的自然氧化层并不是一种必需的氧化材料，在随后的工艺中要清洗去除。（√）15．栅氧一般通过热生长获得。（√）16．虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结，取而代之的是离子注入。（√）17．氧化物有两个生长阶段来描述，分别是线性阶段和抛物线阶段。（√）18．传统的0.25μm工艺以上的器件隔离方法是硅的局部氧化。（√）19．用于亚0.25μm工艺的选择性氧化的主要技术是浅槽隔离。（√）20．快速热处理是一种小型的快速加热系统，带有辐射热和冷却源，通常一次处理一片硅片。（√）淀积21．CVD是利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。（×）22．高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。（×）23．LPCVD反应是受气体质量传输速度限制的。（√）24．外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。（√）25．在半导体产业界第一种类型的CVD是APCVD。（√）26．外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，分为同质外延和异质外延两大类。（√）27．CVD反应器的冷壁反应器只加热硅片和硅片支持物。（×）冷壁反应器通常只对衬底加热，28．APCVD反应器中的硅片通常是平放在一个平面上。（√）29．与APCVD相比，LPCVD有更低的成本、更高的产量以及更好的膜性能，因此应用更为广泛。（√）30．LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃，采用增强的等离子体，增加淀积能量