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高级电工1一、选择题1、在多级放大电路的级间耦合中，低频电压放大电路主要采用（A）耦合方式。(A)阻容（B）直接（C）变压器（D）电感2、共发射极偏置电路中，在直流通路中计算静态工作点的方法称为（C）。（A）图解分析法（B）图形分析法（C）近似估算法（D）正交分析法3、磁极周围存在着一种特殊物质，这种物质具有力和能的特性，该物质叫（B）。(A)磁性（B）磁场（C）磁性（D）磁体4、关于磁场的基本性质下列说法错误的是（D）。（A）磁场具有能的性质（B）磁场具有力的性质（C）磁场可以互相作用（D）磁场也是由分子组成5、关于相对磁导率下面说法正确的是（B）。（A）有单位(B)无单位（C）单位是亨/米（D）单位是特6、以下列材料分别组成相同规格的四个磁路，磁阻最大的材料是（C）。(A)铁（B）镍(C)黄铜(D)钴7、在一个磁导率不变的磁路中，当磁通势为5安·匝时磁通为1Wb;当磁通势为10安·匝时，磁通为（C）Wb。（A）2.5(B)10(C)2(D)58、在铁磁物质组成的磁路中，磁阻是非线性的原因是（A）是非线性的。（A）磁导率（B）磁通（C）电流（D）磁场强度9、线圈中的感应电动势大小与线圈中（C）。（A）磁通的大小成正比（B）磁通的大小成反比（C）磁通的变化率成正比（C）磁通的变化率成反比10、根据电磁感应定率)/(tNe求出的感应电动势，是在t这段时间内的（A）。（A）平均值（B）瞬时值（C）有效值（D）最大值11、空心线圈的自感系数与（C）有关。（A）通过线圈电流的方向（B）周围环境温度（C）线圈的结构（D）通过线圈电流的时间长短12、与自感系数无关的是线圈的（D）。（A）几何形状（B）匝数（C）磁介质（D）电阻13、自感电动势的大小正比于本线圈中电流的（D）。（A）大小（B）变化量（C）方向（D）变化率14、线圈自感电动势的大小与（D）无关（A）线圈中的电流的变化率（B）线圈的匝数（C）线圈周围的介质（D）线圈的电阻15、互感电动势的大小正比于（D）（A）本线圈电流的变化量（B）另一线圈电流的变化量（C）本线圈电流的变化率（D）另一线圈电流的变化率16、互感器是根据（C）原理制造的。（A）能量守恒（B）能量变换（C）电磁感应（D）阻抗变换17、感应炉涡流是（C）。（A）装料中的感应电势（B）流于线圈中的电流（C）装料中的感应电流（D）线圈中的漏电流18、涡流是（C）。（A）感应电动势（B）产生于线圈中的电流（C）一种感应电流（D）自感电流19、一个1000匝的环形线圈，其磁路的磁阻为500H-1，当线圈中的磁通为2Wb时，线圈中的电流为（C）A。（A）10（B）0.1（C）1（D）5高级电工220、使用JSS-4A型晶体三极管测试仪时，在电源开关未接通前，先将电压选择开关、电流选择开关放在（A）量程上。（A）所需（B）最小（C）最大（D）任意21、JSS-4A型晶体三极管测试仪是测量中小功率晶体三极管在低频状态下的h参数和（C）的常用仪器。（A）击穿电压（B）耗散功率（C）饱和电流（D）频率特性22、JSS-4A型晶体三极管h参数测试仪中的偏流源部分有（B）挡输出且连续可调，给被测管提供偏流。（A）一（B）两（C）三（D）四23、JSS-4A型晶体三极管h参数测试仪的偏压源部分又（B）输出电压，供被测管偏压使用。（A）1V和3V（B）10V和30V（C）30V和60V（D）60V和100V24、用晶体管图示仪观察共发射极放大电路的输入特征时，（D）。（A）X轴作用开关置于基极电压，Y轴作用开关置于集电极电流（B）X轴作用开关置于集电极电压，Y轴作用开关置于集电极电流（C）X轴作用开关置于集电极电压，Y轴作用开关置于基极电压（D）X轴作用开关置于基极电压，Y轴作用开关置于基极电流25、用晶体管图示仪观察显示3AG1E的输出特性时，（B）（A）基极阶梯信号和集电极扫描信号的极性开关都拨向“+”（B）基极阶梯信号和集电极扫描信号的极性开关都拨向“—”（C）基极阶梯信号的集电极开关拨向“+”，集电极扫描信号拨向“—”（D）基极阶梯信号极性开关拨向“-”，集电极扫描信号拨向“+”26、JT-1型晶体管图示仪输出集电极电压的峰值是（B）V（A）100（B）200（C）500（D）100027、JT-1型晶体管图示仪“集电极扫描信号”中，功耗限制电阻的作用是（D）。（A）限制集电极功耗（B）保护晶体管（C）把集电极电压变化转换为电流变化（D）限制集电极功耗，保护被测晶体管28、用普通示波器观测正弦交流电波形，当荧光屏出现米东很高的波形而无法观测时，应首先调整（B）旋钮。（A）X轴幅度（B）扫描范围（C）X轴位移（D）整步增幅29、使用SB-10型普通示波器观察信号波形时，欲使显示波形稳定，可调节（B）旋钮。（A）聚焦（B）整步增幅（C）辅助聚焦（D）辉度30、示波器面板上的“聚焦”就是调节（C）的电位器旋钮。（A）控制栅极正电压（B）控制栅极负电压（C）第一阳极正电压（D）第二阳极正电压31、示波器面板上的“辉度”是调节（A）的电位器旋钮。（A）控制栅极负电压（B）控制栅极正电压（C）阴极负电压（D）阴极正电压32、通常在使用SBT-5型同步示波器观察被测信号时，“X轴选择”应置于（D）挡（A）1（B）10（C）100（D）扫描33、使用SBT-5型同步示波器观察宽度为50μm、重复频率为5000Hz的矩形脉冲，当扫描时间置于10μm挡（扫描微调置于校正）时，屏幕上呈现（A）（A）约5cm宽度的单个脉冲（B）约10cm宽度的单个脉冲（C）约5cm宽度的两个脉冲（D）约10cm宽度的两个脉冲34、观察持续时间很断的脉冲时，最好用（C）示波器。（A）普通（B）双踪（C）同步（D）双线高级电工335、同步示波器采用触发扫描时，要求触发扫描电压的工作周期（B）被测脉冲所需要观测的部位（一个周期、脉宽、前沿等）。（A）远大于（B）略大于或等于（C）小于（D）远小于36、使用SR-8型双踪示波器时，如果找不到光点，可调整（D），借以区别光点的位置。（A）“X轴位移”（B）“Y轴位移”（C）“辉度”（D）“寻迹”37、SR-8双踪示波器的“DC——⊥——AC”是被测信号馈至示波器输入端耦合方式的选择开关，当此开关置于“⊥”挡时，表示（A）38、SR-8型双踪示波器中的电子开关处在“交替”状态时，适合于显示（B）的信号波形。（A）两个频率较低（B）两个频率较高（C）一个频率较低（D）一个频率较高39、SR-8型双踪示波器中的电子开关有（D）个工作状态。（A）2（B）3（C）4（D）540、影响模拟放大电路静态工作点稳定的主要因素是（D）。（A）三极管的β值（B）三极管的穿透电流（C）放大信号的频率（D）工作环境的温度41、在模拟放大电路中，集电极负载电阻Re的作用是（C）。（A）限流（B）减小放大电路的失真（C）把三极管的电流放大作用转变为电压放大作用（D）把三极管的电压放大作用转变为电流放大作用42、正弦波振荡器的振荡频率f取决于（D）（A）反馈强度（B）反馈元件的参数（C）放大器的放大倍数（D）选频网络的参数43、低频信号发生器的振荡电路一般采用的是（D）振荡电路。（A）电感三点式（B）电容三点式（C）石英晶体（D）RC44、在多级直流放大器中，对零点漂移影响最大的是（A）（A）前级（B）后级（C）中间级（D）前后级一样45、直流差动放大电路可以（B）。（A）放大共模信号，抑制差模信号（B）放大差模信号，抑制共模信号（C）放大差模信号和共模信号（D）抑制差模信号和共模信号46、集成运算放大器的开环差模电压放大倍数高，说明（D）。（A）电压放大能力强（B）电流放大能力强（C）共模抑制能力强（D）运算精度高47、在硅稳压管稳压电路中，限流电阻R的作用是（B）（A）既限流又降压（B）既限流又调压（C）既降压又调压（D）既调压又调流48、串联型稳压电路中的调整管工作在（A）状态。（A）放大（B）截止（C）饱和（D）任意49、或非门的逻辑功能为（A）（A）入1出0，全0出1（B）入1出1，全0出0（C）入0出0，全1出1（D）入0出1，全1出050、TTL与非门输入端全部接高电平时，输出为（B）。（A）零电平（B）低电平（C）高电平（D）可能是低电平，也可能是高电平51、TTL与非门的输入端全部同时悬空时，输出为（B）。（A）零电平（B）低电平（C）高电平（D）可能是低电平，也可能是高电平高级电工452、或非门RS触发器的触发信号为（B）（A）正弦波（B）正脉冲（C）锯齿波（D）负脉冲53、在或非门RS触发器中，当R=1、S=0时，触发器状态（B）。（A）置1（B）置0（C）不变（D）不定54、多谐振荡器是一种产生（C）的电路。（A）正弦波（B）锯齿波（C）矩形脉冲（D）尖顶脉冲55、石英晶体多谐振荡器的振荡频率（A）。（A）只决定于石英晶体本身的谐振频率（B）决定于R的大小（C）决定于C的大小（D）决定于时间常熟RC56、一异步三位二进制加法计算器，当第4个CP脉冲过后，计数器状态变为（C）。（A）000（B）010（C）100（D）10157一异步三位二进制加法计算器，当第8个CP脉冲过后，计算器状态变为（A）。（A）000（B）010（C）110（D）10158、如果需要寄存两位二进制数码，需用（B）个触发器。（A）1（B）2（C）4（D）859、寄存器主要由（D）组成。（A）触发器（B）门电路（C）多谐振荡器（D）触发器和门电路60、最常用的显示器是（B）数码显示器。（A）五段（B）七段（C）九段（D）十一段61、国产YS系列荧光数码管的阳极工作电压为（D）。（A）1.5V(B)3V(C)6V(D)12V62、三相电动机负载及对整流电源要求较高的场合一般采用（C）整流电路。（A）单相半波（B）三相半波（C）三相桥式半控（D）三相桥式全控。63、在三相桥式半控整流电路中，对于共阴极组晶闸管来说，只有（A）一组的晶闸管且有触发脉冲是才能导通。（A）阳极电压最高(B)阳极电压最低（C）阴极电压最高（D）阴极电压最低64、在三相半空桥式整流电路带电阻性负载的情况下，能使输出电压刚好维持连续的控制角a等于（C）。（A）30°（B）45°（C）60°（D）90°65、在带平衡电抗器的双反星形可控整流电路中，两组三相半波电流是（A）工作的。（A）同时并联(B)同时串联（C）不能同时串联（D）不能同时并联66、在带平衡电抗器的双反星形可控整流电路中，负载电流是同时由（B）承担的。（A）一个晶闸管和一个绕组（B）两个晶闸管和两个绕组（C）三个晶闸管和三个绕组（D）四个晶闸管和四个绕组67、晶闸管斩波器是应用与直流电源方面的调压装置，其输出电压（D）。（A）是固定的（B）可以上调也可以下调（C）只能上调（D）只能下调68、在简单逆组型晶闸管斩波器中，（D）晶闸管。(A)只有一只（B）有两只主（C）有两只辅助（D）有一只主晶闸管一只辅助69、晶闸管逆变器输出交流电的频率又（D）来决定。（A）一组晶闸管的导通时间（B）两组晶闸管的导通时间（C）一组晶闸管的触发脉冲频率（D）两组晶闸管的触发脉冲频率70、在并联谐振式晶闸管了逆变器中，为求得较高的功率因数和效率，应使晶闸管触发脉冲的频率（C）负载电路谐振频率。（A）远大于（B）大于（C）接近于（D）小于71、电力场效应管MOSFET是（B）器件。高级电工5（A）双极性（B）多数载流子（C）少数载流子（D）无载流子72、电力场效应管MOSFET适用在（D）条件下工作。（A）直流（B）低频（C）中频（D）高频73、逆变器电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（D）。（A）晶闸管（B）电力晶体管（C）可关断晶闸管（D）电力场效应管74、电力场效应管MOSFET在使用的存放时，要防止（C）。（A）时间久而失效（B）二次击穿（C）静电击穿（D）饱和75、在斩波器中，采用电力场效应管可以（A）。（A）提高斩波频率（B）降低斩波频率（C）提高功耗（D）降低斩波效率76、在斩波器中，采用电力场效应管可以（B）