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11、极化会对晶体结构产生显著影响，可使键性由（B）过渡，最终使晶体结构类型发生变化。A:共价键向离子键B:离子键向共价键C:金属键向共价键D:键金属向离子键2、离子晶体中，由于离子的极化作用，通常使正负离子间的距离（B），离子配位数（）。A:增大，降低B:减小，降低C:减小，增大D:增大，增大3、氯化钠具有面心立方结构，其晶胞分子数是（C）。A:5B:6C:4D:34、NaCl单位晶胞中的“分子数”为4，Na+填充在Cl-所构成的（B）空隙中。A:全部四面体B:全部八面体C:1/2四面体D:1/2八面体5、CsCl单位晶胞中的“分子数”为1，Cs+填充在Cl-所构成的（C）空隙中。A:全部四面体B:全部八面体C:全部立方体D:1/2八面体6、MgO晶体属NaCl型结构，由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子组成，其一个单位晶胞中有（B）个MgO分子。A:2B:4C:6D:87、萤石晶体可以看作是Ca2+作面心立方堆积，F-填充了（D）。A:八面体空隙的半数B:四面体空隙的半数C:全部八面体空隙D:全部四面体空隙8、萤石晶体中Ca2+的配位数为8，F-配位数为（B）。A:2B:4C:6D:89、CsCl晶体中Cs+的配位数为8，Cl-的配位数为（D）。A:2B:4C:6D:810、硅酸盐晶体的分类原则是（B）。A:正负离子的个数B:结构中的硅氧比C:化学组成D:离子半径11、锆英石Zr[SiO4]是（A）。A:岛状结构B:层状结构C:链状结构D:架状结构12、硅酸盐晶体中常有少量Si4+被Al3+取代，这种现象称为（C）。A:同质多晶B:有序—无序转变C:同晶置换D:马氏体转变13.镁橄榄石Mg2[SiO4]是（A）。A:岛状结构B:层状结构C:链状结构D:架状结构14、对沸石、萤石、MgO三类晶体具有的空隙体积相比较，其由大到小的顺序2为（A）。A:沸石萤石MgOB:沸石MgO萤石C:萤石沸石MgOD:萤石MgO沸石15、根据鲍林(Pauling)规则，离子晶体MX2中二价阳离子的配位数为8时，一价阴离子的配位数为（B）。A:2B:4C:6D:816、构成硅酸盐晶体的基本结构单元[SiO4]四面体，两个相邻的[SiO4]四面体之间只能（A）连接。A:共顶B:共面C:共棱D:A+B+C17、点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关，以下点缺陷中属于本征缺陷的是（D）。A：弗仑克尔缺陷B：肖特基缺陷C：杂质缺陷D：A+B18、位错的（A）是指在热缺陷的作用下，位错在垂直滑移方向的运动，结果导致空位或间隙原子的增值或减少。A:攀移B:攀移C:增值D:减少19、对于形成杂质缺陷而言，低价正离子占据高价正离子位置时，该位置带有负电荷，为了保持电中性，会产生（D）。A:负离子空位B:间隙正离子C:间隙负离子D:A或B20、对于形成杂质缺陷而言，高价正离子占据低价正离子位置时，该位置带有正电荷，为了保持电中性，会产生（D）。A:正离子空位B:间隙负离子C:负离子空位D:A或B21、形成固溶体后对晶体的性质将产生影响,主要表现为（D）。A:稳定晶格B:活化晶格C:固溶强化D:A+B+C22、固溶体的特点是掺入外来杂质原子后原来的晶体结构不发生转变，但点阵畸变，性能变化。固溶体有有限和无限之分，其中（B）。A:结构相同是无限固溶的充要条件B:结构相同是无限固溶的必要条件，不是充分条件C:结构相同是有限固溶的必要条件3D:结构相同不是形成固溶体的条件23、缺陷对晶体的性能有重要影响，常见的缺陷为（D）。A:点缺陷B:线缺陷C:面缺陷D:A+B+C24、按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（D）。A:热缺陷B:杂质缺陷C:非化学计量缺陷D:A+B+C25、晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而增加，其变化规律是（B）。A:线性增加B:呈指数规律增加C:无规律D:线性减少26、间隙式固溶体亦称填隙式固溶体，其溶质原子位于点阵的间隙中。讨论形成间隙型固溶体的条件须考虑（D）。A:杂质质点大小B:晶体（基质）结构C:电价因素D:A+B+C27、位错的滑移是指位错在（A）作用下，在滑移面上的运动，结果导致永久形变。A:外力B:热应力C:化学力D:结构应力28、柏格斯矢量（BurgersVector）与位错线垂直的位错称为(A)，其符号表示为()。A:刃位错；⊥B:刃位错；VXC:螺位错；D:刃位错；29、热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。当离子晶体生成肖特基缺陷（Schottkydefect）时，（B）。A:正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的缩小B:正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加C:正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加D:正离子间隙和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加30、热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。生成弗仑克尔缺陷（Frenkeldefect）时，（A）。A:间隙和空位质点同时成对出现B:正离子空位和负离子空位同时成对出现C:正离子间隙和负离子间隙同时成对出现D:正离子间隙和位错同时成对出现31、位错的具有重要的性质，下列说法不正确的是（C）。4A:位错不一定是直线B:位错是已滑移区和未滑移区的边界C:位错可以中断于晶体内部D:位错不能中断于晶体内部32、位错的运动包括位错的滑移和位错的攀移，其中（A）。A:螺位错只作滑移，刃位错既可滑移又可攀移B:刃位错只作滑移，螺位错只作攀移C:螺位错只作攀移，刃位错既可滑移又可滑移D:螺位错只作滑移，刃位错只作攀移33、硅酸盐熔体中各种聚合程度的聚合物浓度（数量）受（D）因素的影响。A:组成B:温度C:时间D:A+B+C34、当熔体组成不变时，随温度升高，低聚物数量（C），粘度（）。A:降低；增加B:不变；降低C:增加；降低D:增加；不变35、当温度不变时，熔体组成的O/Si比高，低聚物（C），粘度（）。A:降低；增加B:不变；降低C:增加；降低D:增加；不变36、硅酸盐熔体的粘度随O/Si升高而（B），随温度下降而（）。A:增大，降低B:降低，增大C:增大，增大D:降低，降低37、由结晶化学观点知，具有（A）的氧化物容易形成玻璃。A:极性共价键B:离子键C:共价键D:金属键38、Na2O·Al2O3·4SiO2熔体的桥氧数为（D）。A:1B:2C:3D:439、Na2O•CaO•Al2O3•SiO2玻璃的桥氧数为（B）。A:2.5B:3C:3.5D:440、如果在熔体中同时引入一种以上的R2O时，粘度比等量的一种R2O高，这种现象为（B）。A:加和效应B:混合碱效应C:中和效应D:交叉效应41、对普通硅酸盐熔体，随温度升高，表面张力将（A）。A:降低B:升高C:不变D:A或B42、熔体的组成对熔体的表面张力有很重要的影响，一般情况下，O/Si减小，表面张力将（A）。A:降低B:升高C:不变D:A或B43、由熔融态向玻璃态转变的过程是（C）的过程。A:可逆与突变B:不可逆与渐变C:可逆与渐变D:不可逆与突变544、当组成变化时，玻璃的物理、化学性质随成分变化具有（C）。A:突变性B:不变性C:连续性D:A或B45、熔体组成对熔体的表面张力有重要的影响，一般情况下，O/Si减小，表面张力将（A）。（A）降低（B）升高（C）不变（D）A或B46、不同氧化物的熔点TM和玻璃转变温度Tg的比值（Tg/TM）接近（B）易形成玻璃。A:二分之一B:三分之二C:四分之一D:五分之一47、可用三T（Time-Temperature-Transformation）曲线来讨论玻璃形成的动力学条件，三T曲线前端即鼻尖对应析出10－6体积分数的晶体的时间是最少的，由此可得出形成玻璃的临界冷却速率，通常，该临界冷却速率愈大，则系统形成玻璃（A）。A:愈困难B:愈容易C:质量愈好D:质量愈差48、不同O/Si比对应着一定的聚集负离子团结构，形成玻璃的倾向大小和熔体中负离子团的聚合程度有关。聚合程度越低，形成玻璃（A）。A:越不容易B:越容易C:质量愈好D:质量愈差49、当熔体中负离子集团以（C）的歪曲链状或环状方式存在时，对形成玻璃有利。A:低聚合B:不聚合C:高聚合D:A或C25、桥氧离子的平均数Y是玻璃的结构参数，玻璃的很多性质取决于Y值。在形成玻璃范围内，随Y的增大，粘度（D），膨胀系数（）。A:增大；不变B:降低；增大C:不变；降低D:增大；降低50、对于实际晶体和玻璃体，处于物体表面的质点，其境遇和内部是不同的，表面的质点处于（A）的能阶，所以导致材料呈现一系列特殊的性质。A:较高B:较低C:相同D:A或C51、由于固相的三维周期性在固体表面处突然中断，表面上原子产生的相对于正常位置的上、下位移，称为（B）。A:表面收缩B:表面弛豫C:表面滑移D:表面扩张52、固体的表面能与表面张力在数值上不相等，一般说来，同一种物质，其固体的表面能（B）液体的表面能。A:小于B:大于C:小于等于D:等于53、重构表面是指表面原子层在水平方向上的周期性与体内（），垂直方向的层间距与体内（A）。A:不同；相同B:相同；相同C:相同；不同D:不同；不同654、粘附剂与被粘附体间相溶性（C），粘附界面的强度（）。A:越差；越牢固B:越好；越差C:越好；越牢固D:越好；不变55、离子晶体MX在表面力作用下，极化率小的正离子应处于稳定的晶格位置，易极化的负离子受诱导极化偶极子作用而移动，从而形成表面（C，这种重排的结果使晶体表面能量趋于稳定。A:收缩B:弛豫C:双电层D:B+C56、表面微裂纹是由于晶体缺陷或外力作用而产生，微裂纹同样会强烈地影响表面性质，对于脆性材料的强度这种影响尤为重要，微裂纹长度（），断裂强度（A）。A:越长；越低B:越长；越高C:越短；越低D:越长；不变57、界面对材料的性质有着重要的影响，界面具有（D）的特性。A:会引起界面吸附B:界面上原子扩散速度较快C:对位错运动有阻碍作用D:A+B+C58、只要液体对固体的粘附功（B）液体的内聚功，液体即可在固体表面自发展开。A:小于B:大于C:小于等于D:等于59、当液体对固体的润湿角θ＜90°时，即在润湿的前提下，表面粗糙化后，液体与固体之间的润湿（C）。A:更难B:不变C:更易D:A或B60、当液体对固体的润湿角θ＞90°时，即在不润湿的前提下，表面粗糙化后，液体与固体之间的润湿（A）。A:更难B:不变C:更易D:A或B61、粘附功数值的大小，标志着固-液两相辅展结合的牢固程度，粘附功数值（B），固-液两相互相结合（）；相反，粘附功越小，则越易分离。A:越大；越松散B:越大；越牢固C:越小；越牢固D:越大；不变62、为了提高液相对固相的润湿性，在固-气和液-气界面张力不变时，必须使液-固界面张力（B）。A:降低B:升高C:保持不变D:有时升高，有时降低63、对于附着润湿而言，附着功表示为W=γSV+γLV-γSL，根据这一原理，(A)才能使陶瓷釉在坯体上附着牢固。A:尽量采用化学组成相近的两相系统B:尽量采用化学组成不同的两相系统C:采用在高温时不发生固相反应的两相系统D:前三种方法都不行64、将高表面张力的组分加入低表面张力的组分中去，则外加组分在表面层的浓度（C）体积内部的浓度。7A:等于B:大于C:小于D:A或B65、表面微裂纹是由于晶体缺陷或外力作用而产生，微裂纹同样会强烈地影响表面性质，对于脆性材料的强度这种影响尤为重要，微裂纹长度（A），断裂强度（）。A:越长；越低B:越长；越高C:越短；越低D:越长；不变66、吸附膜使固体表面张力（B）。A:增大B:减小C:不变D:A或B67、粗糙度对液固相润湿性能的影响是：CA:固体表面越粗糙，越易被润湿B:固体表面越粗糙，越不易被润湿C:不一定D:粗糙度对润湿性能无影响68、下列关于晶界的说法哪种是错误的。AA:晶界上原子与晶体内部的原子是不同的B:晶界上原子的堆积较晶体