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第1页/共8页下一页文本预览：模拟电子习题集一．选择题1．半导体中的空穴是(B)：A．半导体晶格中的缺陷B电子脱离共价键后留下的空位C带正电的离子2．工作在放大状态的晶体管，流过集电结的主要是（B）A扩散电流B漂移电流3．下列元、器件中有源器件是(C)：A电阻器B电容器C晶体管4．多级放大电路与单管放大电路相比，频带（B）A变宽B变窄C差不多5．差动输入信号与两个输入信号的（A）有关。A差B和C比值D平均值6．输出级的互补电路常用的接法是(B)：A共射或共源B共集或共漏C共基或共栅7．具有下列情况的就一定是反馈放大电路(B)：A输出与输入之间有信号通路B电路中存在反向传输的信号通路C除放大电路以外还有信号通路8．为了抑制漂移，集成运放的输入级一般是差动放大电路，因此对于由双极型三极管构成输入级的集成运放，两个输入端的外接电阻应（B）A较大B对称C较小9．在输入电压从足够低逐渐上升到足够高和从足够高下降到足够低两种不同变化过程中，（B）的输出电压随uI变化的曲线是不同的。A简单电压比较器B滞回比较器C窗口比较器10．滤波可利用（C）实现A．二极管B变频电路C低通滤波电路D高通滤波电路11．本征半导体温度升高后(C)A自由电子数目增多，空穴数目基本不变B空穴数目增多，自由电子数目基本不变C自由电子和空穴数目都增多，且增量相同D自由电子和空穴数目不变12．二极管的正向电阻（B），反向电阻（A）A大B小13．NPN型和PNP型晶体管的区别是（C）A由两种不同材料硅和锗制成的B渗入的杂质元素不同CP区和N区的位置不同14．某个处于放大状态的电路，当输入为10mV时，输出电压为7V；输入电压为15mV时，输出电压为6.5V。它的电压放大倍数为（C）A700B100C-10015．放大电路与单管放大电路相比，高频时附加相移（A）A变大B变小C基本不变16．差模放大倍数Ad是（B）之比，共模放大倍数Ac是（C）比。A输出的变化量与输入变化量B输出差模量与输入差模量C输出共模量与输入共模量D输出直流量与输入直流量17．复合管组成的电路可以(B)：A展宽频带B提高电流放大系数C减小温漂18．所谓开环是指具有以下主要特点的电路(B)：A无信号源B无反馈通路C无电源D无负载19．当集成运放处于（A）状态时，可运用（D）和（E）概念。A．线性放大B开环C深负反馈D虚短E虚断20．功率放大电路的输出功率大是由于(C)：A电压放大倍数大或电流放大倍数大B输出电压高且输出电流大C输出电压变化幅值大且输出电流变化幅值大21.N型半导体是纯净半导体加入以下(C)物质后形成的半导体：A电子B硼元素（三价）C锑元素（五价）22．二极管的伏安特性时I=（C）AKU2BKU3/2CK（EU/UT-1）23．当温度升高时，晶体管的β（A），反向电流（A），UBE（B）A变大B变小C基本不变24．两个AU=100的放大电路Ⅰ和Ⅱ分别对同一个具有内阻的电压信号进行放大时得到U01=4.85V，U02=4.95V。由此可知放大电路Ⅱ比较好，因为它的（B）。（设所接负载电阻相同）A放大倍数大B输入电阻大C输出电阻小25．直接耦合放大电路能放大（C），阻容耦合电路能放大（B）A直流信号B交流信号C交直流信号26．电路的Ad越大表示（B），Ac越大表示（A）。A温漂越大B有用信号的放大倍数越大C仰制温漂能力越强27．为了提高ri，减小温漂，通用型集成运放的输入级大多采用（C）电路。A共射或共源B共集或共漏C差动放大28．所谓闭环是指(B)：A考虑信号源内阻B有反馈通路C接入电源D接入负载29．（B）是（A）的特殊情况A虚短B虚地C虚断30．功率放大电路与电压放大电路或电流放大电路的主要区别是(A)：A功放电路的输出功率比较大,而电压或电流放大电路的输出功率一般比较小B功放电路的效率比较高，而电压或电流放大电路的效率很低C功放电路的输出电压幅值比电压放大电路的大31N型半导体中多数载流子是（B），P型半导体中多数载流子是（A）A空穴B自由电子32．二极管电压从0.65V增大10%，流过的电流增大（B）A10%B大于10%C小于10%33．场效应管G-S之间的电阻比晶体管b-e间电阻（A）A大B小C差不多34．电路的静态是指(C)：A．输入交流信号幅值不变时的电路状态B输入交流信号频率不变时的电路状态C无信号输入时的电路状态35．阻容耦合电路与直接耦合电路的多级放大电路之间的最主要不同点是(A)：A所放大的信号不同B交流通路不同C直流通路不同36．共模仰制比KCMR是（C）之比A差模输入信号与共模输入信号B输出量中差模成分与共模成分C差模放大倍数与共模放37。为了减小ro，通用型集成运放输出级大多采用（C）电路。A共集或共漏B差动放大C互补或准互补跟随38．若接入反馈后与未接入反馈时相比有以下情况者为负反馈，反之为正反馈(BD)：A净输入量增大B净输入量减小C输出量变大D输出量变小39．电压比较器与放大电路、运算电路的主要区别是：电压比较器电路中的集成运放工作在（C）或（D），因此它的输出只有（A）和（B）两个稳定状态40．所谓电路的最大不失真输出功率是指输入正弦波信号幅值足够大，使输出信号基本不失真且幅值最大时(C)：A晶体管上得到最大功率B电源提供的最大功率C负载上获得的最大交流功率41.N型半导体（C），P型半导体（C）A带正电B带负电C呈中性42．当温度升高后，二极管的正向电压（B），反向电流（A）A增大B减小C基本不变43．场效应管是通过（B）改变漏极电流的。A栅极电流B栅源电压C漏源电压44．分析放大电路时常常采用交直流分开分析的方法。这是因为(C)：A晶体管是非线性器件B电路中存在电容C在一定条件下电路可视为线性电路，因此可用叠加定理45．因为阻容耦合电路各级静态工作点相互独立，所以这类电路(A)A温漂小B能放大直流信号C放大倍数稳定46．长尾式差放电路中，Re越大则（D）AAd越大BAd越小CAc越大DAc越小47．集成运放内部是由直接耦合方式的多级放大电路组成的，作为放大器应用，它是（C）A能放大直流信号，不能放大交流信号B能放大交流信号，不能放大直流信号C既能放大交流信号，也能放大直流信号48．直流负反馈是指(B)：A只存在于直接耦合电路，而阻容耦合电路中不存在的反馈B直流通路中的负反馈C只在放大直流信号时才有的反馈49．无论是用集成运放还是集成电压比较器构成的电压比较器电路，其输出电压与两个输入端的电位关系相同，即只要反相输入端的电位高于同相输入端的电位，则输出为（B）电平。相反，若同相输入端电位高于反相输入端电位，则输出为（A）电平。A高B低50．所谓效率是指(C)：A输出功率与输入功率之比B输出功率与晶体管上消耗的功率之比C最大输出功率与电源提供的功率之比二．填空题1．双极型三极管从结构上看可以分成（NPN）和（PNP）两种类型，它们工作时有（电子）和（空穴）两种载流子参与导电。2．甲类放大电路是指放大管的导通角等于（2π）。3．电流源电路作为偏置电路的作用是（提供稳定偏置电流），作为有源负载电路的作用是（提高开环电压增益）。4．流过（反相）求和电路反馈电阻的电流等于各输入电流的代数和。5．放大器有两种不同性质的失真，分别是（线性）失真和（非线性）失真。6．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是（耦合电容及射极旁路电容）的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是（结电容）的影响。7．（空穴）的出现是半导体区别于导体的一个重要特点。8．若想得到最大输出功率，BJT的参数条件：通过BJT的最大集电极电流为（VCC/RL），所选BJT的ICM一般不宜低于此值。9．常用的稳定工作点的电路有射极偏置电路等，它是利用（反馈原理）来实现的。10.（电流源）电路常用作放大电路的有源负载和决定放大电路各级Q点的偏置电路。11.场效应管从结构上看可分成（结型）和（绝缘栅型）两大类型，它们的导电过程仅仅取决于（多数）载流子的流动。12.乙类放大电路是指放大管的导通角等于（π）。13.带Re电阻的长尾型差动放大电路，对于（零点漂移）和(共模信号)都有很强抑制能力。14.（同相）比例运算电路的特例是电压跟随器，它具有Ri大和RO很小的特点，常用作缓冲器。15.三极管放大电路中，测得晶体管三个引脚对地电位分别为：VA=—5V、VB=—8V、VC=—5。2V，则三极管对应的电极是：A为（e）极、B为（c）极，C为（b）极。晶体管属（PNP）型三极管。16.在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻Re对（差模）信号的放大无影响，对（共模）信号的放大具有很强的抑制作用。17.空间电荷区有时又称为（耗尽层）。18.（零点漂移）就是当放大电路的输入端短路时，输出端还有缓慢变化的电压产生，即输出电压偏离原来的起始点而上下漂动。19.（频率响应）与（带宽）是放大电路的重要指标之一。20.（互补对称电压跟随）电路常用作集成电路运算放大器的输出级。21.场效应管属于（电压）控制型器件，而晶体三极管则认为是（电流）控制型器件。22.在甲乙类放大电路中，放大管的导通角为（π＜θ＜2π。23.所谓零点漂移是（就是当放大电路的输入端短路时，输出端还有缓慢变化的电压产生）。24.工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别，前者通常工作在（开环）状态或（正反馈）状态，因此，它的输出一般只有高电平和低电平两个稳定状态。25.在差动放大电路中，若VS1=—8mV，VS2=10mV，则输入差模电压vsd=（—18）mV，共模输入电压vsc=（1）mV。26.共模抑制比KCMR为（AVd与AVc）之比，KCMR越大，表明电路对（共模信号）的抑制能力越强。27.PN结的基本特性—（单向导电性）只有在外加电压时才显示出来。28.集成运放两个输入端之间的电压通常接近于零，即vI=vN-vP≈0，若把它理想化，则有vI=0，故称为（虚短）。29.FET是电压控制电流器件，只依靠一种载流子导电，因而属于（单极性）器件。负反馈可以（提高增益稳定性）、（减小非线性失真）、（抑制噪声）、（扩展频带）和控制（输入电阻）和（输出电阻）。30.晶体三极管用来放大时，应使发射结处于（正向）偏置，集电结处于（反向）偏置。31.乙类推挽功率放大电路的（较高）较高，在理想情况下其值可达（78.5%）。32.差动放大电路有（4）种输入—输出连接方式，其差模电压增益与（输出）方式有关，与（输入）方式无关。33.单门限比较器只有（1）个门限电压值，而迟滞比较器则有（2）个门限电压值。34.单相桥式整流电路中，若输入电压V2=30V，则输出电压Vo=（27）V35.在反馈电路中，若|1+AF|1，则为（负）反馈；若|1+AF|1，则为（正）反馈。36.根据共同端的不同，BJT可有三种连接方式：（共基极）、（共发射极）和（共集电极）接法。37.集成运放两输入端几乎不取用电流，即iI≈0，如把它理想化，则有iI=0，，故称（虚断）。38.功率放大电路是在大信号下工作，通常采用（图解法）进行分析。反馈过深，有时放大电路就不能稳定地工作，而产生振荡现象，称为放大电路的（自激）。39.三极管的穿透电流ICEO是集—基反向饱和电流ICBO的（1+β）倍。在选用管子时，一般希望ICEO尽量（小）。40.乙类推挽功率放大电路会产生一种被称为（交越）失真的特有的非线性失真现象。41.集成运放中，由于电路结构引起的零输入对应非零输出的现象为（失调），主要原因是（参数不完全对称）造成的。42.若希望在Vi+3V时，VO为高电压，而在Vi3V时，VO为低电平，可采用反相输入（单门限）电压比较器。43.在图B4.4.1中，二极管为理想器件，D1工作在（截止）状态；D2工作在（导通）状态；VA0为（—3）V。44.采用（电压）负反馈，能稳定输出电压。45.放大器是一种能量控制部件，它的放大作用是针对（变化量）而言的。46.把比较器输出电压VO从一个电平跳变到另一个电平时相应的输入电压VI值称为（门限电压）。47.功率放