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电压衬度像技术在IC失效分析中的应用作者：陈琳，汪辉，ChenLin，WangHui作者单位：上海交通大学,微电子学院,上海201203刊名：半导体技术英文刊名：SEMICONDUCTORTECHNOLOGY年，卷(期)：2008，33(7)引用次数：0次参考文献(3条)1.刘剑霜.谢锋.吴晓京.陈一.胡刚扫描电子显微镜[期刊论文]-上海计量测试2003(6)2.马向国.顾文琪聚焦离子束加工技术及其应用[期刊论文]-微纳电子技术2005(12)3.SONGZG.DAIJY.ANSARISFront-endprocessingdefectlocalizationbycontact-levelpassivevoltagecontrasttechniqueandrootcauseanalysis2002相似文献(3条)1.期刊论文王全.胡斌.孙静.胡会能扫描电镜电压衬度像方法在失效分析中的应用-材料工程2003(z1)阐述了利用扫描电子显微镜获取电压衬度像的机理,并对样品充电现象进行了解释.通过引用两例失效分析案例,描述了利用样品的充电现象确定元器件内部开路位置的方法.2.会议论文王全.胡斌.孙静.胡会能扫描电镜电压衬度像方法在失效分析中的应用2003阐述了利用扫描电子显微镜获取电压衬度像的机理,并对样品充电现象进行了解释.通过引用两例失效分析案例,描述了利用样品的充电现象确定元器件内部开路位置的方法.3.期刊论文王勇.李兴鸿动态电子束探针检测技术在亚微米和深亚微米IC失效分析中的应用研究-半导体技术2004,29(7)对扫描电子显微镜静态/动态/电容耦合电压衬度像、电子束感生电流像、电阻衬度像在亚微米和深亚微米超大规模集成电路中的成像方法和成像特点进行了研究,对各种分析技术在失效分析中的应用进行了深入的探讨,为电子束探针检测技术在亚微米和深亚微米集成电路故障定位和失效机理分析中的应用提供了理论基础和实践依据.本文链接：下载时间：2010年3月22日