1半导体物理学第一章习题(公式要正确显示,请安装字体MTextra)1.设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为:...........................................................................................12.晶格常数为0.25nm的一维晶格,当外加102V/m,107V/m的电场时,试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。................................................31.设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为:0220122021202236)(,)(3EcmkmkkEmkkmkV0m。试求:为电子惯性质量,nmaak314.0,1(1)禁带宽度;(2)导带底电子有效质量;(3)价带顶电子有效质量;(4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化2解:10911010314.0=ak(1)JmkmkmkEkEEmkkEEkmdkEdkmkdkdEJmkEckkmmmdkEdkkmkkmkdkdEVCgVVVVcC17312103402120122021210122022202173121034021210202022210120210*02.110108.912)1010054.1(1264)0()43(6)(0,0600610*05.310108.94)1010054.1(4Ec43038232430)(232因此:取极大值处,所以又因为得价带:取极小值处,所以:在又因为:得:由导带:043222*83)2(1mdkEdmkkCnCsNkkkpkpmdkEdmkkkkVnV/1095.71010054.14310314.0210625.643043)()()4(6)3(251034934104300222*1所以:准动量的定义:32.晶格常数为0.25nm的一维晶格,当外加102V/m,107V/m的电场时,试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。解:根据:tkqEf得qEktsatsat137192821993421911028.810106.1)0(1028.810106.11025.0210625.610106.1)0(4补充题1分别计算Si(100),(110),(111)面每平方厘米内的原子个数,即原子面密度(提示:先画出各晶面内原子的位置和分布图)Si在(100),(110)和(111)面上的原子分布如图1所示:(a)(100)晶面(b)(110)晶面(c)(111)晶面214221422142822/1083.7342232212414111/1059.92422124142110/1078.6)1043.5(224141100cmatomaaacmatomaaacmatomaa):():():(5补充题2一维晶体的电子能带可写为)2cos81cos87()22kakamakE(,式中a为晶格常数,试求(1)布里渊区边界;(2)能带宽度;(3)电子在波矢k状态时的速度;(4)能带底部电子的有效质量*nm;(5)能带顶部空穴的有效质量*pm解:(1)由0)(dkkdE得ank(n=0,1,2…)进一步分析ank)12(,E(k)有极大值,222)makEMAX(ank2时,E(k)有极小值所以布里渊区边界为ank)12((2)能带宽度为222)()makEkEMINMAX((3)电子在波矢k状态的速度)2sin41(sin1kakamadkdEv(4)电子的有效质量)2cos21(cos222*kakamdkEdmn6能带底部ank2所以mmn2*(5)能带顶部ank)12(,且**npmm,所以能带顶部空穴的有效质量32*mmp