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半导体物理与器件SemiconductorPhysicsandDevices陕西科技大学物理教研室管志花2010-2011-2课程简介课本：Neamen[美]，赵毅强（译）,《半导体物理与器件》参考书:1.CharlesKittel,《固体物理导论》，化学工业出版社（2005）2.刘恩科，《半导体物理学》，国防工业出版社（2003）.3.叶良修，《半导体物理学》，高等教育出版社（1987）.课程的特点和学习方法特点：•以量子力学、固体物理、统计力学为基础。•内容广、概念多•Science&Technology的结合。•理论和实践紧密结合学习方法：1、理论结合实践（how）；2、概念要吃透（多角度）；3、先有物理图景，然后定量分析；4、结合学科发展历史（总结经验）。第0章绪论一、什么是半导体(semiconductor)二、半导体的主要特征三、半导体的发展历史和现状四、半导体的明天•能带工程[energybandengineering]创造人工改性半导体材料的工程。由江崎和朱兆祥提出。(对材料的物理参数和几何参数的设计和生长，改变能带结构和带隙图形，以优化其电学性质和光学性质从而获得性能优越的新器件.)•1970年美国IBM实验室的江崎和朱兆祥提出了超晶格的概念．他们设想如果用两种晶格匹配很好的半导体材料交替地生长周期性结构，每层材料的厚度在100nm以下，如图所示，则电子沿生长方向的运动将会产生振荡，可用于制造微波器件．他们的这个设想两年以后在分子束外延设备上实现．•超晶格材料是两种不同组元以几个纳米到几十个纳米的薄层交替生长并保持严格周期性的多层膜，事实上就是特定形式的层状精细复合材料。