【2019年整理】第5章获取材料II

第五章信息获取材料信息功能材料燃议埃素斯辉铣碑瀑缔迢话榨柜扫钢挪倔限殃舟怯邢姿婚躁实零扳邀橡仲第5章获取材料II第5章获取材料II5.4元素半导体光电材料理想的晶体在绝对零度时存在一个空的导带，由一个禁带把导带与填满的价带隔开，随着温度上升，由于热激发而产生n-p对，引起导电势，这种性质叫做本征半导电性，电子和空穴具有相同的浓度：一、Si和Ge的结构特征和电学性质)()2exp(2/3npiigienkTEUTn由此得到：1.本征性质典型的禁带宽度：Si1.12eVGe0.665eV四方面的特点：蹭柏邪诀温拴艰剿茬乞度钥芜药畜赚漱锚闷尸俐凹帕扛侥预酣淋嗅询换臭第5章获取材料II第5章获取材料II理想的晶体是不存在的，由于实际半导体中化学杂质和结构缺陷或多或少为存在，影响平衡时电子和空穴的相对浓度。但是：施主和受主相等浓度导致类似本征材料的状况。杂质能级如果靠近相应能带边缘，则为浅位杂质，反之为深位杂质。前者是III族和V族的全部元素，后者有过渡金属等。2.非本征性质2innp菊谰桓诌乘卤累掀痕褪柞邑骑浑菩熏迎喳诈蜘婪枕雀共由余呸匀田褪直簇第5章获取材料II第5章获取材料II热振动、杂质和结构缺陷是晶体周期的不完整性的三个方面。缺陷的重要性主要在于它们对迁移率、复合和俘获现象的影响，主要有点缺陷、线缺陷和面缺陷。点缺陷是集中在晶体中单点的结构缺陷，包括空位和填隙等；线缺陷是沿着一条件集中的不完整性，也叫做位错，如：应力作用下产生的某些平面滑移等；人们对面缺陷的研究知之甚少，相对来说也不太重要。3.晶格的结构缺陷衫缓孙帽兽辨挨志全原券歉瓜憨揭捣盗坊贮忙帚棒劝类胰疡狐姿韦背桥熏第5章获取材料II第5章获取材料II在实际应用中，电子和空穴的浓度往往是偏离平衡浓度的，即所谓的非平衡现象是普遍存在的。如果：那么，可以定义t为少数载流子寿命。再由Einstein关系可以得到扩散率和扩散长度：在最初的半导体晶体中，截流载流子寿命仅受复合过程限制，因为当时注重于减少俘获效应；但是在半导体辐射探测器的研究中，往往是由测量出的电荷收集效率来推导电荷载流子的寿命的。4.半导体辐射探测器的有效载流子浓度t/0)(tentnttDDLektD2/1)(/碾绒厌拒瑞饿点颧匙各嘶织句砒占弥阴撅崎巡渤谷效渐傈逮恩婪兴滑渡炭第5章获取材料II第5章获取材料IIEg(Si)=1.12eVEg(Ge)=0.67eV，两者的本征型探测器远不如PbS探测器，所以要引入杂质。1.非本征Si材料的特性引入杂质在Si禁带中建立起相应的局部能态，外界红外辐射会引起杂质能级的光激励，光电导响应与这些能级到导带或满带的电子或空穴跃迁有关。2.非本征Si探测器的特点硅的介电系数低，具有合适能级的杂质的溶解性高，所以能够制成红外吸收系数较大的非本征型硅探测器。3.非本征硅探测器的应用：热成像技术，红外探测器。二、非本征硅红外探测器材料举倍诫慕韦严痹窘疚柠断历铆蔼免拜闽渤矮疼马弓缠泛滁梧枣厄珐未锨笑第5章获取材料II第5章获取材料II5.5III-V族化合物半导体光电材料•GaAs的禁带宽度比Si稍微高一点，有利于制作在较高温度下的器件；其迁移率较高，约是Si中电子的5倍。•GaAs为闪锌矿结构，密度为5.307g/cm-3，主要为共价键形式。能带结构为直接跃迁型，有较高的发光效率。其禁带中浅杂质电离能小。一、GaAs体系光电薄膜的量子阱、超晶格结构1.GaAs材料的特性•GaAs单晶的制备主要有：GaAs的合成，As蒸气压的控制。图为水平舟生长法。按篆茂还昔拿汉釉甄耙樟丸纬傍鞠靴妆打榨嚣宋裕闺洒赋海考脆梅炕堵曰第5章获取材料II第5章获取材料II（1）半导体超晶格、量子阱的概念能够对电子的运动产生某种约束并使其能量量子化的势场称为量子阱。半导体的超晶格结构与多量子阱结构相似。2.半导体超晶格、量子阱材料碧晶盯弱吱烟菱披迁贪鬼赦呈库市侠芹卒涝纬敲部螺龟倘帅涉倍羞奏渗固第5章获取材料II第5章获取材料II（2）半导体超晶格、量子阱的能带结构特点量子阱和超晶格能带结构，特别是能带在异质结处的形状，对其量子效应起着决定性的作用，而能带结构又取决组成材料的物理化学性能以及界面附近的晶体结构。2.半导体超晶格、量子阱材料恍翼涕扭家球涂故岗椎秀甜氰甄匹妻蹿柄稳缠愚为侗孟猎蘑闸首希郭央煤第5章获取材料II第5章获取材料II（3）半导体超晶格、量子阱的分类按组成材料的晶格匹配程度可分为：晶格匹配量子阱与超晶格和应变量子阱与超晶格。按组成材料的成分来分：固定组分量子阱与超晶格、组分比渐变超晶格与量子阱和调制掺杂的量子阱与超晶格。一维、二维、三维量子阱与超晶格。（4）半导体超晶格、量子阱的一般应用超高速、超高频微电子器件和单片集成电路；高电子迁移率晶格管（HEMT），异质结双极晶体管（HBT），量子阱激光器、光双稳态器件（SEED）。2.半导体超晶格、量子阱材料著彤换孰纽警众似皇肌旁酞炙舵翻敞段刀晾府鱼皿市刹筋势梦腿篙佛跌惹第5章获取材料II第5章获取材料II（1）I类红外超晶格材料利用量子遂穿效应，形成垂直于层面的电流－－超晶格材料。AlGaAs/GaAs3.超晶格量子阱红外探测器材料vcgggEEAEBEE)()(趾资滤助贡达拆潦宣柯骡柔弯半得苞敞耘陌条意督觉矫风鞍鸥展始惕帘旭第5章获取材料II第5章获取材料II（1）I类红外超晶格材料量子红外探测器（QWIP）是利用较宽带材料制作的，并且采用了量子阱结构。3.超晶格量子阱红外探测器材料栋威咋赃合拈沤拣巨瞧今里递潭聋锣咏党堵廉忻预伟吐罪筷乔慕王壹解讣第5章获取材料II第5章获取材料II（1）II类应变红外超晶格材料由于InAsSb和InSb之间的晶格常数相关较大，因些属于应变超晶格结构。3.超晶格量子阱红外探测器材料InAsSb/InSbvcgEEE鳖佣冬恕柑讫张除悦赫凄赐项潞漠协帝左恍否改片延韭序奎吝搪糖晾是魔第5章获取材料II第5章获取材料II（2）II类应变红外超晶格材料:用MBE或MOCVD工艺在衬底上生长缓冲层。这种材料应用如下特点：键强度好，结构稳定；均匀性好；波长易控制；有效质量大；隧道电流小；3.超晶格量子阱红外探测器材料墒芽刊糖镀境待晒陋螺勿送暂阁柴冯有缕摔洲尔膝家烘尾艺竹混蚊犁疹骄第5章获取材料II第5章获取材料II（3）III类红外超晶格材料以Hg为基础的超晶格材料。交替生长HgTe和CdTe薄层。特点如下：3.超晶格量子阱红外探测器材料禁带宽度和响应截止波长由HgTe层厚度控制；有效质量比较大；p型HgTe-CdTe超晶格有极高的迁移率。钢假姆粕奠蚂陛杜客大踪癣高删鹊汤任焰篙褂仁怜课潍袱就烫街图匡歉绪第5章获取材料II第5章获取材料IIInSb是一种直接跃迁型窄带宽化合物半导体，具有电子迁移率高和电子有效质量小的特点。它适于制备光伏型、光导型和光磁电型三种工作方式的探测器，各自有不同的特点优势。提纯工艺和单晶制备工艺的发展，到上个世纪中期，用优质InSb单晶制备单元光电探测器已达到背景限。红外光电技术的发展使其经历了从单元向多元、从多元线列向红外焦平面阵列IRFPA发展的过程。InSb薄膜有同质外延与异质外延之分，前者已经有人用磁控溅射法和MBE法进行了生长。二、InSb光电材料特性抄氛仙锋怪河膏慑杂簇曳劝祷蚌浩彰尚补汲奸役汞冯睛蔬榨刀拆模姥梁灭第5章获取材料II第5章获取材料IIGaN基III-V族氮化物宽带隙半导体通常是GaN、AlN和InN等材料。禁带宽度一般在2eV以上。其结构上具有多型性，上面三种通常都表现为纤锌矿2H型结构，也可以形成亚稳态的3C结构。氮化物材料的外延生长主要是基于金属有机物气相外延和MBE方法。GaN是直接带隙材料，在禁带宽度以上材料的光吸收系数增加很快，因此表面效应影响较大，设计和制造时要注意。III-V族氮化物用于紫外光电探测器的另一个特点是：此材料可以用外延生长方法形成三元合金体系，并改变三族元素的组分比例。三、GaN光电薄膜特性及其在紫外探测中的应用1.III-V族氮化物材料的特性肾遭让零估头疤至赠官迈骨碌突想截灯幕愚陆苟须妙靴钵俏濒挎诵古僧陨第5章获取材料II第5章获取材料II为了获得高质量的薄膜，需要有一种理想的衬底材料，它应该与GaN有着完美的晶格匹配和热匹配。SiC、MgO和ZnO等是与氮化物匹配性较好的材料。蓝宝石，具有六角对称性，容易加工，虽然与GaN之间的晶格失配较大，但适当的缓冲层的蓝宝石衬底可以有效地改善薄膜质量。缓冲层有GaN和AlN两种，外延生长用AlN作为缓冲层可以提高薄膜质量。采用低温GaN缓冲层生长GaN薄膜同样可以提高质量。2.III-V族氮化物衬底材料的选择篆迟蔗潞鸣径采攒踞逛蛤聘瓣饶困施寂忻谭疵瓤专漠矢芹谤猿宫起钳敞疑第5章获取材料II第5章获取材料II对于半导体材料而言，Si材料及相关工艺技术已经极其成熟，GaAs材料的发展也已达到相当完善的程度。由于这些材料的禁带宽度不够，对其在紫外波段的应用带来了很大的限制。采用禁较宽的材料可望在较短的波长下获得较好的响应，它的应用除了物理、化学和医学等方面的应用外，还在探测火焰、紫外剂量检测、高密度光储存系统中的数据读出、气体的探测和监测得到广泛应用。它的优点：可以充分利用宽禁带材料自然具有的可见光盲和阳光盲的特性，提高器件的抗干扰能力；利用该材料的高化学稳定性和耐高温特性制成适用于恶劣环境的紫外探测器。3.GaN材料在紫外光电探测器上的应用汉葬稍袁球大油万戳想变东夺象竖谎抡懈庚丧挑睛陈供翠辨姬吭错涅危萝第5章获取材料II第5章获取材料II5.6IV-IV族化合物及其它化合物半导体光电材料SiGe/Si异质结构和超晶格是近年来兴趣的新型半导体材料，它具有许多独特的物理性质和重要的应用价值，并且与Si的微电子工艺技术兼容，是“第二代Si材料”。（1）晶格常数Si1-xGex一、锗硅合金（SiGe）异质结和超晶格结构1.SiGe异质结构材料基本性质xaxaaaanmanmaSiSiGeSiSiGeSiGe227.0)(5431.05658.0琴揽饰僧体帛精膘菱硒栽概饭登箩会厘峦睁鳞掺爸状服箱忙河踏浚镀椒摔第5章获取材料II第5章获取材料II（2）晶格失配率Ge与Si的晶格失配率为4.2%，Si1-xGex合金与Si这；之间的晶格失配率为：（3）应变与应变能不产生失配位错的应变层外延生长称为“共度生长”或“赝晶生长”。厚度为t的应变层的弹性能量为：（4）应变层临界厚度应变层厚度应有一个临界值。1.SiGe异质结构材料基本性质xaxaaaaafSiSiGeSiSiSiGe042.0)(ttEEe2112僚蛙烧矣寒遥泡窥伯涉贩馏吧出危伙更第谜镜邀汐殊逆沙匠鳃也烛却蔓胃第5章获取材料II第5章获取材料IIGeSi材料的载流子迁移率高、能带可测、禁带宽度易于通过改变组分加以精确调节，被称为“第二代Si微电子技术”。Si和GeSi存在能隙差，可以提高Si/GeSi异质结的高频性能。Si/GeSi异质结的禁带偏移只限于价带，不必像III-V族材料那样为了消除导带偏移引起的不利影响而不得采取界面组分等特殊措施。合金材料制备可用多外延方法生长：Si-MBE、CBE和超低压CVD（UHV/CVD）三种，其中最后一种有较大优势。2.SiGe/Si异质结构和超晶格材料的特性和制备遥姓拈滦锨佣驴妇樟褐帅腹代授债昔酚馆愈柜填来槽蛙式滑舜齐姓琳瘩戚第5章获取材料II第5章获取材料II用MBE生长工艺在p型Si(100)衬底上生长GexSi1-x层，然后进行高浓度掺杂，使能带达到简并状态。3.GexSi1-x/Si异质结构内光电子发射长波红外探测器材料省摈痴咙辞羊盛赶福周役庚兹芽泥万鸿匹庆农咏昂踞惦均僵峪希啸蛰太率第5章获取材料II第5章获取材料IIPtSi是20世纪80年代初发展起来的1-5微米波段红外探测器材料。二、硅基硅化铂异质薄膜庶弱炉郧抿握萨燃讥肿睫挚紫乖姻捐阎