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日盲紫外光电探测器1紫外光波长小于280NM[1]能够对紫外光辐射进行接收和探测的器件[1]什么是日盲紫外光电探测器？2什么是日盲紫外光电探测器？3理想日盲紫外光电探测器的特点1.对于波长长于280nm的光没有响应[1]2.量子效率和灵敏度比较高[1]3.抗辐射性能和化学稳定性超强[1]4.背景噪声比较低[1]5.探测区域广阔[1]4MgZnO[1]4H-SiC[1]GaN/AlGaN[1]日盲紫外光电探测器的制备材料5能在高温度和高能量下工作[1]光电材料,量子效率很低,带隙不可调制[1]4H一SIC4H一SIC：间接带隙,带隙为3.26eV[1]高熔点(28300C)[1]高热传导性(4.9一SW/cm.k)[1]64H-SiC74H一SIC采用4H-SiC已经成功制备了肖特基势垒光电二极管、MSM光电探测器、PIN光电探测器和APD等[2]8具有匹配的单晶衬底[4]生长温度较低(100一7500e)[4]带隙可调范围(3.37一7.sev)[4]抗辐射能力强（8）[4]成本低,原料丰富[4]利于制备高性能的日盲紫外探测器，MgZnO三元合金材料可以应用在从200-370nm很宽的紫外光波段[4]镁锌氧(MgZnO)9镁锌氧(MgZnO)10镁锌氧(MgZnO)11GaN特点：1.直接带隙[3]2.强的化学稳定性[3]3.抗辐射性强[3]4.可掺铝调节带隙[3]（3.44eV(GaN)--6.2eV(AIN)）氮化稼/铝稼氮(GaN/AIGaN)12氮化稼/铝稼氮(GaN/AIGaN)探测器优点：1.性能高[3]探测从20Onm--300nm,暗电流值皮安(PA)--飞安,2.响应速度快[3]缺点：1.生长温度很高[3]2.没有合适的匹配衬底,P型掺杂生长高质量高AI浓度的AIGaN薄膜仍存在很大的困难[3]13氮化稼/铝稼氮(GaN/AIGaN)14氮化稼/铝稼氮(GaN/AIGaN)GaN/AIGaN是目前制备日盲紫外光探测器的最好的材料,最广泛的应用于宽带隙半导体紫外探测器[3]目前取得了比较好的结果的国家美国，土耳其和西班牙[3]15MSMp-np-i-nAPDSAM实现结构16MSM结构分为光电导型和肖特基型[5]光电导型工作原理：主要是利用光电导效应来制备探测器[5]光电导效应：自由态加外电场电流增大内部电子束缚态光照MSM结构17MSM结构肖特基型工作原理：1.偏压2.紫外光照射大量电子-空穴对扩散或漂移运动小的暗电流实现较高的信噪比适合用于制备高性能的紫外探测器18MSM结构19MSM结构20MSM结构优点：1.MSM光电探测器在紫外波段响应度较高[5]2.肖特基型紫外光电探测器响应带宽大、噪声小、暗电流低适合制作太阳盲探测器和高速率器件[6]21MSM结构器件结构示意图[5]：22工作原理[7]：加上VR反向偏压，使形成电场和内建电场方向相同吸收大于等于Eg的入射光子激发p、I和n区的价带电子，形成大量电子－空穴对电场作用使电子和空穴分离导带中电子向n区运动，价带空穴向p区运动在器件两电极上产生光电压，在外电路中形成光电流，即将接收到的光学信号转换成电学信号输出。P-I-N结构23P-I-N结构特点：1.p区必须很薄以提高短波长紫外光的灵敏度[7]2.一般结深很小，入射紫外光只能在I型层被吸收并激发电子－空穴对[7]3.I型层的光生载流子在强电场下加速，渡越时间很短[7]4.时间常数的主要因素为电路时间常数，应恰当地选择电路的负载电阻是提高其频率特性的关键[7]24P-I-N结构优点[7]：25P-I-N结构P-i-n结构紫外光电二极管管芯结构[7]：26P-I-N结构27原理：半导体的PN结受到紫外光照[8]价电子吸收能量大于或等于半导体材料的禁带宽度的光子产生自由电子－空穴对，即光生载流子[8]电子－空穴被分开并向相反的方向漂移；在耗尽区边界处被收集，使得两侧产生电势差[8]PN光电二极管与外电路连通时，电子向n区漂移，空穴向p区漂移，从而在外电路中产生光生电流[8]P-N结构28P-N结构29工作原理：光电探测器的两极加高的偏压[8]使结区载流子能获得很大的能量[8]高能载流子与晶格原子碰撞而使晶格原子发生电离，产生新的电子－空穴对[8]新产生的电子－空穴对在向电极运动过程中又获得足够的能量，再次与晶格原子碰撞，又产生新的电子－空穴对[8]产生大量载流子，使PN结内电流急剧倍增[8]APD结构30APD结构31APD结构32APD结构33吸收区的掺杂浓度较低，厚度可以很长，在正常工作状态下，吸收区将全部耗尽[8]提高器件的量子效率，又提高了器件的光谱响应速度[8]倍增区可以很薄使此区的电场分布比较均匀，在高电场下可以产生统一的雪崩倍增，而器件的击穿电压为电场强度在耗尽区长度上的积分[8]SAM结构34SAM结构35传统的光电发射紫外光电阴极在技术上已经比较成熟,但也有一些研究机构或者公司在对其进行改进,这些改进工作主要集中在提高阴极灵敏度,降低暗噪声等方面。[9]目前在传统光电发射紫外探测器研制及生产技术方面处于领先的是德国Prox-itronic公司，其光电阴极在254nm处辐射灵敏度可达40mA/W,等效背景辐照度达到10-13W/m2[9]。负电子亲和势AlGaN阴极成为紫外探测器研究的一个重要领域,并且最近几年取得了巨大进展[9]。加州大学伯克利分校和美国西北大学联合所做的研究曾报道:经过铯激活处理的p型掺杂的Al-GaN反射型光电阴极,在122nm处所测得的量子效率高达70%～80%，而到360nm处则降到10%～20%,这比传统的CsI和Cs2Te阴极有了明显的进步[9]研究进展361.光电测雹仪的原理及构造[9]2.宇航探测[9]3.紫外通讯[9]4.输电线电晕放电检测[9]5.紫外指纹检测[9]紫外光电探测仪的应用37光电测雹仪的原理及构造38紫外通讯39输电线电晕放电检测40紫外指纹检测41参考文献：[1]曹建明“MgZnO日盲紫外探测器的制备和性能研究”中国知网长春理大学硕士论文2011-03-01[2]姜文海;陈辰;周建军;李忠辉;董逊“Al_0_66_Ga_0_34_N日盲紫外光电探测器研究”中国知网半导体技术期刊2008-12-31[3]李健;赵曼“肖特基型氮铝镓紫外光电探测器”中国知网中国计量学院学报期刊2009-09-15[4]韩舜“MgZnO薄膜及其紫外光电探测器制备和特性研究”中国知网中国科学院研究生院（长春光学精密机械与物理研究所）博士论文2011-04-01[5]李海龙“背入射Au_Zr_xTi_1_x_省略_2_Au肖特基结紫外探测器的研究”中国知网吉林大学硕士论文2013-05-01[6]赵曼;李健;王晓娟;周脉鱼;鲍金河;谷峰“肖特基型氮化镓紫外光电探测器性能”中国知网光学学报期刊2009-12-15[7]陈厦平“p-i-n结构4H-SiC紫外光电二极管单管及一维阵列的研制”中国知网厦门大学博士论文2007-11-01[8]陶源;王平;尚金萍;谭红兵“APD在紫外通信中的应用探讨”中国知网舰船电子工程期刊2010-05-20[9]杨杰“紫外探测技术的应用与进展”中国知网光电子技术期刊2011-12-2842Thankyou!43