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《电子线路》第一章综合复习题（2013.6）班级：_____________姓名：_______________评分：_________________一．判断下列说法是否正确：1．半导体的重要特性是单向导电性。()2、在N型半导体，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子（）3、少数载流子是自由电子的半导体称为P型半导体（）4．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度。（）5．P型半导体又叫空穴型半导体，空穴的数量远远多于电子，因此对外显正电性。（）6．N型半导体的多子是自由电子。（）7．本征半导体中的载流子是热激发形成的。（）8．半导体中的空穴数和自由电子数相等，这样的半导体称为本征半导体。（）9．本征半导体中的空穴与电子总是同时产生，成对出现的。（）10．有的半导体自由电子与空穴数目相同，有的半导体中这两种载流子数目不同（）11．空穴本身不移动；它靠自由电子的填充“移动”来形成电流。（）12．电子与空穴所形成的电流方向相同，运动方向相反。（）13．由二极管的伏安特性曲线可以看出二极管属于非线性器件。（）14．二极管加正向电压就一定会导通，加反向电压时则一定截止。（）15．二极管的门坎电压也叫截止电压或死区电压，当超过这个电压时则二极管截止。（）16．二极管的死区电压一般为0.5V；正向压降为0.7V。（）17．给二极管加上0.45V的正向电压时，则此二极管处于截止状态。（）18．当硅二极管两端电压为0.7V时电流为I，若要使电流增大一倍，则二极管两端电压也要增大一倍。（）19．二极管的反向电流会随着反向电压的增大而增大。（）20．一般来说，锗晶体二极管的死区电压小于硅晶体二极管的死区电压。（）21．二极管的电击穿可以利用，而热击穿必须避免。（）22．二极管按材料可以分为P型二极管和N型二极管两大类。（）23．光电二极管是能直接将电能转变成光能的二极管。()24．整流二极管相当于一个可变电容，改变电压就可以改变结电容量。()25．反向漏电流IR是二极管的主要参数之一，一般它的值越大越好。（）26．用万用表测得晶体二极管的电阻较小时，插在万用表标有“＋”插孔中的测试棒（通常是红色棒）所连接的二极管的管脚的二极管的正极，另一电极是负极（）27．桥式整流电路中每个二极管上承受的反压是半波整流时的一半。（）28．全波整电路中每个二极管上承受的反压是半波整流时的1.41倍。（）29．在全波整流电路和桥式整流电路中每个二极管上的电流都是负载电流的一半。（）30．桥式整流电路所用二极管是全波整流电路的一倍，因此输出电压也是它的一倍。（）31．桥式整流电路所用二极管是全波整流电路的一倍，因此每个二极管上承受的反压也是它的一倍。（）32．在桥式整流电路中流过二极管的平均电流IV=L2RV9.0。33．滤波电容在电路中是与负载并联连接的。（）34．电感滤波器适合于负载电阻较大的且负载变化不大的场合。（）35．电容滤波器适合于负载较小且变化不大的场合。（）36、硅稳压二极管内部也有一个PN结，但其正向特性同普通二极管一样（）37．稳压二极管是利用它的反向特性工作的。（）38．将两个稳压二极管并联使用时会提高稳压性能是因为减小了动态电阻的缘故。（）39．稳压二极管在正向导通时的电流称为稳定电流。()40．稳压二极管的最大稳定电流是指二极管允许通过的最大正向工作电流平均值。()二．单项选择1．在电路中运载电荷的基本粒子称()A、自由电子B、载流子C、空穴D、正电荷2．在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（）A、掺杂工艺B、杂质浓度C、温度D、晶体缺陷3．在半导体材料中，其正确说法是（）A、P型半导体和N型半导体都不带电B、P型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带正电C、N型半导体中由于多数载流子为自由电子，所以它带负电D、N型半导体中，由于多数载流子为空穴，所以它带正电4．本征半导体是指（）。A、从自然界直接开采的半导体；B、从自然界开采后初加工的半导体；C、从自然界开采后高度提纯后形成的半导体；D、掺杂后的半导体。5．对半导体的载流子说法正确的是（）。A、只有一种载流子—自由电子；B、只有一种载流子—空穴；C、有两种载流子—自由电子和空穴；D、有两种载流子—自由电子和正电荷。6．本征半导体载流子形成是（）。A、掺杂形成B、热激发形成C、掺5价杂质形成D、掺3价杂质形成7．掺杂半导体的多子的浓度取决于（）。A、温度B、光照强度C、杂质浓度D、自由电子和空穴对数目。8．PN结正向偏置是指的（）A、P区接电源正极N区接电源负极B、P区接电源负极N区接电源正极C、P区N区都接电源正极D、P区N区都接电源负极9．当PN结接正向电源导通后，参加导电的是（）A、只有多数载流子B、只有少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子10．硅二极管的导通管压降为（）伏。A、0.1B、0.3C、0.5D、0.711．一般硅、锗二极管的死区电压为（）V。Ａ、０.７与０.５Ｂ、０.５与０.３Ｃ、０.５与０.2Ｄ、０.７与０.２12．锗二极管的正向电流在较大范围内变化时,它两端电压却恒定在()A、0－0.1VB、0－0.5VC、0.3VD、0.7V13．硅二极管起始导通电压为（）A、0.2VB、0.3VC、0.5VD、0.7V14．给硅二极管两端加上0.45V的正向电压时，则此管相当于（）A、断开的开关B、闭合的开关C、小阻值的电阻D、短路状态15．下列说法正确的是（）A、给二极管加上正向电压就会导通B、给二极管加上反向电压就会击穿C、给二极管加上的反向电压越大则反向饱和电流越大D、上述说法都不对16．给二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才能导通C、超过0.7V才导通D、超过0.3V才导通17．对二极管的反向饱和电流的说法正确的是（）A、反向电压越大则反向饱和电流越大B、温度越高则反向饱和电流越大C、正向电压越大则反向饱和电流越大D、杂质浓度越高则反向饱和电流越大18．如果二极管的正反向电阻都很小或为0则说明此二极管（）A、正常B、已被击穿C、内部断路D、无法判断19．当温度升高时二极管的（）增大。A、管压降B、死区电压C、反向饱和电流D、正向电流20．由理想二极管组成的电路如图1所示，其A、B两端电压为（）A、－12VB、＋6VC、－6VD、＋12V21．二极管反向饱和电流IS()A、是受热激发形成的少数载流,受温度影响大B、是受热激发形成的少数载流,受偏置电压影响很大C、是掺杂形成的少数载流子,受偏置电压影响很大D、是掺杂形成的少数载流子,受温度影响很大22．能将光信号变成电信号的是()A、开关二极管B、变容二极管C、发光二极管D、光电二极管23．适合于高频电路中使用的二极管是()A、点接触型B、面接触型C、平面型D、锗二极管24．下图符号中表示变容二极管的是（）25．下面的二极管型号中，属于锗材料的整流管的是（）A、2CW7B、2AZ10CC、3AX81D、2CZ74B26．测得二极管的反向击穿电压为100V，实际使用时反向电压不超过（）A、100VB、150VC、50VD、200V27．稳压二极管在运用时，是利用它的()A、反向饱和特性B、正向导通特性C、死区特性D、反向击穿特性28．二极管的下列参数中越小越好的是（）A、最大整流电流IFMB、最高反向电压VRMC、反向漏电电流IRD、稳定电压VZ29．整流后，若增加滤波电容,负载两端电压将会().A、不变B、降低C、升高D、为零30．单相半波整流电路，如果负载电流为10安，则流过二极管的电流为（）安。A、4.5B、5C、9D、1031．在单相半波整流电路中，如果电源变压器副边电压为100伏则负载电压为（）伏。A、45B、50C、90D、100E、12032．单相桥式整流电路，如果负载电流为10安，则流过每只二极管的电流为（）安。Ａ、4.5Ｂ、5Ｃ、9Ｄ、1033．单相全波整流电路，若一只二极管接反则（），A、成为半波整流B、仍是全波整流C、电路将断路D、电源将短路。34．桥式整流电路中，每只二极管承受的反向峰值电压为（）。A、2V2B、22V2C、V2D、1.2V235．在桥式整流电路中若一个二极管的正负极性反接，则输出（）A、只有半周波形B、全波整流波形C、无波形，且变压器或二极管可能烧毁36．在桥式整流电路中若一个二极管开路，则输出（）A、只有半周波形B、全波整流波形C、无波形，且变压器或二极管可能烧毁37．在单相桥式整流电路中，如果有一个二极管内部短路，则（）A、会产生过流B、会产生过压C、不定D、不会产生不良后果38．在下列桥式整流电路中接法正确的是（）39．适合于负载变化大，负载电流较大场合的滤波电路是（）A、电容滤波B、电感滤波C、电感电容复式滤波D、电阻电容复式滤波40．稳压二极管的的参数稳定电流IZ是指的()A、稳压管允许通过的最大正向工作电流平均值B、稳压管允许通过的最大反向工作电流平均值C、稳压管反向击穿电压下的电流D、稳压管在稳定电压下的工作电流41．有两个理想2CW15稳压管,一个稳压值为8V,另一个稳压为7.5V,若把它们用不同的方式串联起来,可能组成不同稳压数值的电路有()种.A.0B.1C.2D.442．用一只伏特表去测量接在电路中的稳压管的电压,读数只有0.7V,这种情况说明（）A、电路在正常稳压工作状态;B、稳压管反接不起稳压作用.C、稳压管内部断路D、限流电阻R开路43．稳压管两端电压变化量与通过电流变化量之比值称为稳压管的动态电阻，稳压性能好的稳压管的动态电阻（）A、较大B、较小C、不定44、硅稳压二极管并联型稳压电路中，硅稳压二极管必须与限流电阻串联，此限流电阻的作用是（）A、提供偏流B、仅是限制电流C、兼有限制电流和调压两个作用45．在右图桥式整流电路中，已知V2=20V，若VL=18V，则表明（）A、负载RL开路B、电容C开路C、有一二极管开路D、电路正常工作46．图示电路图中从稳压作用的效果上来看，电阻R应()A、R的值大一点好B、R要消耗电能，因此取消R最好C、R的值小一点好D、R的值大小与稳压效果没有关系47．在稳压二极管的主要参数中数值越小稳定性能越好的参数是()。A、稳定电压VZB、稳定电流IZC、最大稳定电流IZMAXD、动态电阻RZ48．右图是某万用表测交流电压的电路原理图表头满量程电流为100μA，如果测量交流电压的量值为50V。若不计表头和二极管的内阻，则R的值应为（）A、25KB、225KC、200KD、100K49．下列稳压电路中，连接正确的是（）50．如果有两个2CW15稳压管VA、VB，稳压值分别是7.5V、8V，若把这两个管子串联其稳压值为8.2V的是（）三．多项选择题51．导体与半导体导电的特点区别在于()A、导体中是导电离子B、导体中存在自由导电粒子C、半导体中只需要热激发D、半导体中的载流子是自由电子和空穴52．PN结两端所加的反向电压增大时，将会使得（）A、阻挡层变宽B、阻挡层变窄C、反向电流变小D、反向电流基本不变53．二极管主要参数是()A、最大整流电流IFMB、最小整流电流ISMC、最大正向工作电压UMD、最高反向工作电压ＶRＭE、反向漏电流IRF、二极管动态电阻PD54．在输入电压相同的情况下二极管承受反向电压最高的是（）A、单相半波整流B、单相全波整流C、单相桥式整流55．在桥式整流电路中负载上的电压电流及每个二极管上的电流和承受的反压是()A、VL=0.9V2B、IL=2IVC、IV=ILD、VRM=22V256．在变压器中心抽头全波整流电路和桥式整流电路中计算公式相同的是()A、VLB、ILC、IVD、VRM57．如右图所示稳压电路，已知稳定电压VZ＝6V，则IZ＝（），UO＝（）A、9mAB、6mAC、9VD、6V58．造成二极管整流电路输出直流电压不稳定的主要原因是()。A、交流电源电压波动B、整流二极管性能变化C、负载电流变化D、滤波电容性能变化59．某小功率稳压电源如右图所示，设VZ的稳定电流I2=5mA，反向击穿电压为12V，不正确的说法是（）A、输出电压UO