实验课五时序逻辑一、下图是一种用于AMD-K6处理器的脉冲寄存器。DCLKCLKdVDDXQQVDD=2.5V,反相器的延迟TPinv=40Ps,回答下面的问题:1、画出节点CLK,CLKd,X和Q两个时钟周期内的波形,其中输入D在一个周期中为0,在另一个周期中为1。解:假设CLK和D的输入波形如图5.1所示:CLKD图5.1CLK和D的输入波形图分析:CLKd波形:CLKd的波形经过3个反相器的延时,与输入CLK时钟波形相反。X点波形:当CLKd为低电平或者D为低电平或者CLK为高时,X点被上拉到高电位,只有当CLK为高且D为高以及CLKd为高时,X点才被下拉到低电位。Q点波形:当X为高电位且CLK为高电位以及CLKd为高电位时,Q才为低电位;当X为低电位时,Q为高电位。由于之前Q值状态为不确定态,因此节点CLK,CLKd,X和Q两个时钟周期内的波形如图5.2所示:CLKCLKDDXQ图5.2节点CLK,CLKd,X和Q两个时钟周期内的波形图2、考察这个寄存器的建立时间和保持时间。答:根据分析可以发现,在时钟上升沿之前,后一级电路对D截止,则电路对建立时间没有要求,故0suT,在时钟上升沿之后,在CLKD信号未下降时,Q信号随D信号变化,则保持时间为三个反相器的延时,而保持时间为120psT3Tpinvhold。3、对该电路进行仿真,所有管子的初始尺寸可以设定为:NMOS:W/L=0.5um/0.5umPMOS:W/L=1.8um/0.5um通过观察关键点的波形,更改某些管子的尺寸,使电路能够正常工作。贴出正常工作时两个时钟周期的波形。其中D在一个周期为0,一个周期为1。施加激励可参考:VclkCLK0pwl(000.3n00.4n2.50.7n2.50.8n0R)VinDD0pwl(00800p0900p2.5)注意,在SP文件中加入初始状态描述.icV(Q)=0V(x)=2.5V(CLKD)=0.tran0.001n2nUIC仿真波形图如图5.3所示:图5.3仿真波形图分析:但是我们发现Q1的电压达,不到反相器的开关阈值,所以电路不能正常进行工作,故增大Q1管的尺寸,将其W改为1U,则仿真电路如图5.4所示:图5.4修改后的仿真波形图二、观察下面时序模块与组合逻辑模块共同构成组合路径LOGICBLOCKD2Q2BD1Q1ACLCLTskewa)A、B寄存器的建立时间Tsetup=100ps,保持时间Thold=0,与时钟相关的传输延迟Tcq=50ps,Tlogic=250ps,求输入时钟的最高频率(时钟偏斜时间Tskew=0)。答:最小时钟400psTTTTlogiccqsetupmin故:输入时钟的最高频率GHZT5.2H102.51Fz9maxb)假定输入到B的时钟相对于输入到A的时钟有偏斜的情况存在,那么在下列情况下求输入最高时钟频率。ⅠTskew=50psⅡTskew=-50ps答:Ⅰ:,350ps50-400T-400psT400psTTskewskewZZ9GH86.2H102.861/TF则:Ⅱ:450ps,50400T-400psT400psTTskewskewZZ9GH22.2H102.221/TF当0Tsetup时,有最高频率,所以300psTGHZ33.3103.331/TF9max