聊城大学材料科学与工程学院《材料物理性能》试题(闭卷、A卷)参考答案和评分标准一、填空题(每空1分,共30分):1、拐点法、切点法2、DTA、DSC、TG3、应力各向异性、形状各向异性、磁晶各向异性4、赛贝克效应、汤姆逊效应、帕尔帖效应、帕尔帖效应5、入射光为强光、对称性要求、位相匹配6、基质、激活离子7、压电、热释电、铁电、电致伸缩、电光8、22eeE、提高e、降低E、较高的9、机件表面有大小不等的结疤、摩擦面上有擦伤或犁皱沟槽10、降低、松弛稳定性二、是非题(每题1分,共10分):1、√2、√3、√4、√5、×6、√7、×8、√9、√10、√三、单项选择(每题2分,共20分):1、C2、C3、B4、A5、C6、D7、B8、C9、B10、A四、简答题(每题6分,共30分):1、以杜隆-珀替定律为例,简要回答热容模型的推导步骤。2、直接交换作用是如何解释自发磁化现象的?3、什么是霍耳效应,简要回答其在电学性能中的应用。120cos0180AAAA2exex解释自发磁化的理论:海森堡直接交换作用(1分)多原子情况下,外层和次外层电子可以交换位置,带给体系附加的交换能E-2Ass-2S(2分):交换能积分常数s:自旋动量矩矢量;:自旋动量矩矢量;s:动量矩矢量的模若,当时E最小,即自旋磁矩反平行排列(1.5分)若fff=?=00ex0,当时E最小,即自旋磁矩平行排列,产生自发磁化(1.5分)f=132323333VVAVVVEECkTkTENkTRTERTCR推导步骤:(1)把每个原子看成谐振子,计算其平均能量(1分)(2)计算单位摩尔原子的总能量(1分)(3)根据热容定义求得(1分)T以杜隆-伯替定律为例:(1)(1分)(2)(1分)(3)(1分)TTee骣¶÷ç=÷ç÷ç桫¶=鬃===骣骣抖鼢珑===鼢珑鼢珑桫桫抖2霍耳效应是指,如果外加磁场方向与导体中电流方向垂直,则在与磁场和电流二者垂直的方向上出现横向电势差VAB,这一现象称之为霍耳效应。(2分)霍耳效应可以用来确定:测量载流子类型:因为VAB的正负的正负与载流子的正负有关。(1分)测量载流子浓度:依据公式为1,ABIBVbnqb为导体在磁场方向的线度。(1分)测量迁移率:依据公式为HHHEJJnqvnqEkkkE(1分)研究半导体:因为半导体的载流子浓度小于金属电子的浓度且容易受温度、杂质的影响,所以霍耳系数是研究半导体的重要方法之一。(1分)4、如何理解反射系数和折射率的关系?反射系数:对于任一入射的线偏振光,入射光的电场分量可以分解为平行于入射面的P分量和垂直于入射面的S分量。在折射和反射过程中,p和s两个分量的振动是相互独立的。为了说明反射和折射各占多少比例,通过引入反射系数R的概念。(2分)定义R=Wr/Wi,W为能流密度,根据波动理论,有:5、以BaTiO3晶体为例,简要说明热运动引起的自发极化。BaTiO3立方体晶胞中,Ba原子位于顶点位置,O原子占据6个面心位置,Ti位于体心位置。氧八面体空腔体积大于钛离子体积,给钛离子位移的余地。(2分)较高温度时,钛离子热振动能较大,难于在偏离中心的某一个位置上固定下来,接近六个氧离子的几率相等,晶体保持高的对称性,自发极化为零。(2分)较低温度时,钛离子热振动能降低,因热涨落,热振动能特别低的离子占很大比例,其能量不足以克服氧离子电场作用,有可能偏离平衡位置向某一个氧离子靠近,偶极矩间的相互作用使偏离平衡位置的离子在新平衡位置上固定下来,并使这一氧离子出现强烈极化,发生自发极化,使晶体顺着该方向延长,晶胞发生轻微畸变,由立方变为四方晶体。(2分)五、论述题(每题10分,共10分):铁磁性材料的技术磁化过程分为哪几个阶段,请用简图表示并用文字简单说明各阶段的含义,指出如何从该图求得自发磁化强度。(1)(2)(3)可逆壁移阶段:OA部分,磁场减少到零时B沿原曲线减小到零,不出现剩磁。(2分)不可逆壁移阶段:AB部分,B随磁场而急剧增加,磁场减小到零将出现剩磁,即出现磁滞效应。巴克豪森的研究表明,该过程是由畴壁的跳跃性不可逆移动引起的。移动的结果是易磁化方向与外磁场夹角大的磁畴消失。(3分)磁矩转动阶段:BC部分,畴壁已经消失,磁体成为一个单畴体,但它的磁化强度方向SM外,也即易磁化方向与外磁场方向不一致,因此随H发生可逆转动。可逆的原因:壁移的结果使得已经择优取向。(3分)22212rriWAWAvWi,因此。由前述,、、、分别为介质密度,振幅,角频率,波速。(1分)rwrw^骣÷ç÷===+ç÷ç÷ç桫222222212121211sin()tan()2sin()tan()11rrWirirRiWiirirWnnnWinnn计算结果表明:=+,很小时该式简化为:,即介质之间的折射率差别越大,反射越严重,这意味着在光学系统中,当折射率增大时,反射损失变大。(3分)轾--犏=犏++臌骣骣--鼢珑鼢==珑鼢珑鼢珑++桫桫SSSMMBHM外外外获取的方法:磁距转动阶段完成后,B只随H直线变化,将直线变化部分外推到H=0的情形,截距即为,依据:=+(2分)3巴克豪森效应Barkhausen效应