《电子科技大学》学报模板

第38卷第5期电子科技大学学报Vol.38No.52009年9月JournalofUniversityofElectronicScienceandTechnologyofChinaSep.2009文章的中文标题(小2号，黑体，加粗，居中)作者1中文名，作者2中文名，作者3中文名，作者4中文名(单位单位所在地邮编)(6号宋体，TimesNewRoman)【摘要】中文摘要(200个中文字以上，中文是小5号，楷体，英文是TimesNewRoman)。关键词中文关键词1;中文关键词2;中文关键词3;中文关键词4;中文关键词4(4～7个)中图分类号(我刊网站上可查询)文献标识码A文章的英文标题(3号，TimesNewRoman，加粗，居中)作者1英文名,作者2英文名,作者3英文名,and作者4英文名(姓在前名在后，姓全部大写)(单位的英文翻译英文地址邮编)(6号宋体，TimesNewRoman)Abstract英文摘要(与中文摘要相对应，5号，TimesNewRoman).Keywords英文关键词1;英文关键词2;英文关键词3;英文关键词4;英文关键词5(与中文关键词相对应，5号，楷体，TimesNewRoman)收稿日期：20070721；修回日期：20080315基金项目：部省级以上基金或项目名称(编号)1；部省级以上基金或项目名称(编号)2作者简介：第一作者姓名(1964)，性别，学历，职称，主要从事××××××××方面的研究.引言部分(中文：5号宋体，英文：TimesNewRoman)1一级标题(4号黑体)正文部分(中文：5号宋体，英文：TimesNewRoman)2一级标题(4号黑体)2.1二级标题(5号黑体)正文部分(中文：5号宋体，英文：TimesNewRoman)2.2二级标题(5号黑体)正文部分(中文：5号宋体，英文：TimesNewRoman)3一级标题(4号黑体)3.1二级标题(5号黑体)正文部分(中文：5号宋体，英文：TimesNewRoman)3.2二级标题(5号黑体)正文部分(中文：5号宋体，英文：TimesNewRoman)3.3二级标题(5号黑体)正文部分(中文：5号宋体，英文：TimesNewRoman)4一级标题(4号黑体)4.1二级标题(5号黑体)正文部分(中文：5号宋体，英文：TimesNewRoman)4.2二级标题(5号黑体)正文部分(中文：5号宋体，英文：TimesNewRoman)5结论或结束语(4号黑体)正文部分(中文：5号宋体，英文：TimesNewRoman)参考文献(中文：小5号楷体，英文：TimesNewRoman，10条以上)[1]SONGBS,GRAYPR.Aprecisioncurvature-compensatedCMOSbandgapreference[J].IEEEJournalofSolid-StateCircuits,1983,18(6):634-643.[2]AVOINNEC,RASHIDT,CHOWDHURYV,etal.Second-ordercompensatedbandgapreferencewithconvexcorrection[J].ElectronicLetters,2005,41(5):276-277.[3]KERMing-dou,CHENJung-sheng,CHUChing-yun.Newcurvature-compensationtechniqueforCMOSbandgapreferencewithsub-1-Voperation[C]//The2005IEEEInternationalSymposiumonCircuitsandSystems.Newyork:电子科技大学学报第38卷2IEEE,2005,4:3861-3864.[4]秦波,贾晨,陈志良,等.1V电源非线性补偿的高温度稳定性电压带隙基准源[J].半导体学报,2006,27(11):2035-2039.QINBo,JIACheng,CHENZhi-liang.A1VMNCbandgapreferencewithhightemperaturestability[J].ChineseJournalofSemiconductors,2006,27(11):2035-2039.[5]姜韬,杨华中.多点曲率补偿的带隙基准电压源设计方法[J].半导体学报,2007,28(4):490-495.JIANGTao,YANGHua-zhong.Bandgapreferencedesignbymeansofmultiplepointcurvaturecompensation[J].ChineseJournalofSemiconductors,2007,28(4):490-495.[6]LEUNQCY,LEUNQKN,MOKPKT.Designofa1.5-Vhigh-ordercurvature-compensatedCMOSbandgapreference[J].CircuitandSystem,2004,1:49-52.[7]LEEI,KIMG.Exponentialcurvature-compensatedBiCMOSbandgapreferences[J].IEEEJournalofSolid-stateCircuits,1994,29:l396-1403.[8]拉扎维.模拟CMOS集成电路设计[M].陈贵灿,译.西安:西安交通大学出版社,2002,12:312-326.RAZAVIB.DesignofanalogCMOSintegratedcircuits[M].CHENGui-can.Xi’anJiaotongUniversityPress,2002,12:312-326.[9]BANBAH,SHIGAH,UMEZAWAA,etal.ACMOSbandgapreferencecircuitwithSub-1-Voperation[J].IEEEJournalofSolid-stateCircuits,1999,34(5):670-674.[10]TSIVIDISY.AccurateanalyzesoftemperatureeffectsinIC-VBEcharacteristicswithapplicationtobandgapreferencesources[J].IEEEJournalSolid-StateCircuits,2001,15(6):1076-1084.编辑