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1.电流源型逆变器的输出电流波形为矩形波。2.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差120°。3.将直流电能转换为交流电能又馈送回交流电网的逆变电路称为有源逆变器。4.电流型逆变器中间直流环节以电感贮能。5.同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL_=(2～4)______IH。6.对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值下降。7.晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是___静态均压_____措施。8.三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有______三角形和星形__二种方式。9.抑制过电压的方法之一是用____储能元件____吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。10.控制角α与逆变角β之间的关系为β=л-α。11.SPWM有两种调制方式：单极性和___双极性___调制。12.逆变器可分为无源逆变器和__有源____逆变器两大类。1、普通晶闸管内部有两个PN结,，外部有三个电极，分别是阳极A极阴极K极和门极G极。2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上正向电压的同时，门极上加上触发电压，晶闸管就导通。3、、晶闸管的工作状态有正向阻断状态，正向导通状态和反向阻断状态。4、某半导体器件的型号为KP50—7的，其中KP表示该器件的名称为普通晶闸管，50表示额定电流50A，7表示额定电压100V。5、只有当阳极电流小于维持电流电流时，晶闸管才会由导通转为截止。6、当增大晶闸管可控整流的控制角α，负载上得到的直流电压平均值会减小。7、按负载的性质不同，晶闸管可控整流电路的负载分为电阻性负载，电感性负载和反电动势负载三大类。8、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时，负载两端的直流电压平均值会减小，解决的办法就是在负载的两端并接一个续流二极管。9、工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角小、电流波形不连续、呈脉冲状、电流的平均值小。要求管子的额定电流值要大些。10、单结晶体管的内部一共有一个PN结，外部一共有3个电极，它们分别是发射极E极、第一基极B1极和第二基极B2极。11、当单结晶体管的发射极电压高于峰点电压时就导通；低于谷点电压时就截止。12、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压同步，保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的时刻被触发，才能得到稳定的直流电压。13、晶体管触发电路的同步电压一般有正弦波同步电压和锯齿波电压。14、正弦波触发电路的同步移相一般都是采用正弦波同步电压与一个或几个控制电压的叠加，利用改变控制电压的大小，来实现移相控制。15、在晶闸管两端并联的RC回路是用来防止关断过电压损坏晶闸管的。16、为了防止雷电对晶闸管的损坏，可在整流变压器的一次线圈两端并接一个硒堆或压敏电阻。17、用来保护晶闸管过电流的熔断器叫快速熔断器。7、晶闸管整流装置的功率因数定义为交流侧有功功率与视在功率之比。8、晶闸管装置的容量愈大，则高次谐波愈大，对电网的影响愈大。9、在装置容量大的场合，为了保证电网电压稳定，需要有无功功率补偿，最常用的方法是在负载侧并联电容。1、某半导体器件的型号为KS50—7的，其中KS表示该器件的名称为双向晶闸管，50表示额定电流50A，7表示额定电压100V。2、某半导体器件的型号为KN100/50—7，其中KN表示该器件的名称为逆导晶闸管100表示晶闸管额定电流为100A，50表示二极管额定电流为50A，7表示额定电压100V。3、双向晶闸管的四种触发方式分别是Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ+和Ⅲ-。实际工作时尽量避免使用Ⅲ+方式。5、晶闸管整流装置的功率因数定义为交流侧有功功率与视在功率之比。1、GTO的全称是门极可关断晶闸管，图形符号为；GTR的全称是大功率晶体管，图形符号为；P-MOSFET的全称是功率场效应管，图形符号为；IGBT的全称是绝缘门极晶体管，图形符号为。2、GTO的关断是靠门极加负信号出现门极反向电流来实现的。3、大功率晶体管简称GTR，通常指耗散功率1W以上的晶体管。4、功率场效应管是一种性能优良的电子器件，缺点是电流不够大和耐压不够高。1、整流是把交流电变换为直流电的过程；逆变是把直流电变换为交流电的过程。2、逆变电路分为有源逆变电路和无源逆变电路两种。3、逆变角β与控制角α之间的关系为α=π－β。4、逆变角β的起算点为对应相邻相负半周的交点往左度量。5、当电源电压发生瞬时与直流侧电源顺极性串联，电路中会出现很大的短路电流流过晶闸管与负载，这称为逆变失败或逆变颠覆。6、为了保证逆变器能正常工作，最小逆变角应为30°～35°。7、由两套晶闸管组成的变流可逆装置中，每组晶闸管都有四种工作状态，分别是待整流状态、整流状态、待逆变状态和逆变状态。8、将直流电源的恒定电压，通过电子器件的开关控制，变换为可调的直流电压的装置称为斩波器。9、反并联可逆电路常用的工作方式为逻辑无环流，有环流以及错位无环流三种。在工业上得到广泛应用的是逻辑无环流方式。10、采用接触器的可逆电路适用于对快速性要求不高、容量不大的场合。11、某半导体器件的型号为KN100/50—7，其中KN表示该器件的名称为逆导晶闸管100表示晶闸管额定电流为100A，50表示二极管额定电流、50A，7表示额定电压为100V。15、变频电路从变频过程可分为交流—交流变频和交流—直流—交流变频两大类。16、脉宽调制变频电路的基本原理是：控制逆变器开关元件的导通和关断时间比，即调节脉冲宽度来控制逆变电压的大小和频率。1、由普通晶闸管组成的直流斩波器通常有定频调宽式，定宽调频式和调宽调频式三种工作方式。1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波?。5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A。6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120o导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经?逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。环流可在电路中加电抗器来限制。为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。（写出四种即可）10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ＋、Ⅲ-四种。一、填空（30分）1、双向晶闸管的图形符号是，三个电极分别是第一阳极T1，第二阳极T2和门极G；双向晶闸管的的触发方式有I+、I-、III+、III.。2、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为22U2。三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为6U2。（电源相电压为U2）3、要使三相全控桥式整流电路正常工作，对晶闸管触发方法有两种，一是用大于60º小于120º的宽脉冲触发；二是用脉冲前沿相差60º的双窄脉冲触发。4、在同步电压为锯齿波的触发电路中，锯齿波底宽可达240º度；实际移相才能达0º-180º度。5、异步电动机变频调速时，对定子频率的控制方式有恒压频比控制、转差劲频率控制、矢量控制、直接转矩控制。6、软开关电路种类很多，大致可分成零电压电路、零电流电路两大类。7、变流电路常用的换流方式有器件换流、电网换流、负载换流、强迫换流四种。8、逆变器环流指的是只流经两组反并联的逆变桥、而不流经负载的电流，环流可在电路中加采用串联电抗器来限制。9、提高变流置的功率因数的常用方法有减小触发角、增加整流相数、采用多组变流装置串联供电、设置补偿电容。10、绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管集电极和发射极作为发射极与集电极复合而成。1、普通晶闸管内部有两个PN结。（×）2、普通晶闸管外部有三个电极，分别是基极、发射极和集电极。（×）3、型号为KP50—7的半导体器件，是一个额定电流为50A的普通晶闸管。（）4、只要让加在晶闸管两端的电压减小为零，晶闸管就会关断。（×）5、只要给门极加上触发电压，晶闸管就导通。（×）6、晶闸管加上阳极电压后，不给门极加触发电压，晶闸管也会导通。（√）7、加在晶闸管门极上的触发电压，最高不得超过100V。（×）8、单向半控桥可控整流电路中，两只晶闸管采用的是“共阳”接法。（×）9、晶闸管采用“共阴”接法或“共阳”接法都一样。（×）10、增大晶闸管整流装置的控制角α，输出直流电压的平均值会增大。（×）11、在触发电路中采用脉冲变压器可保障人员和设备的安全。（√）12、为防止“关断过电压”损坏晶闸管，可在管子两端并接压敏电阻。（×）13、雷击过电压可以用RC吸收回路来抑制。（×）14、硒堆发生过电压击穿后就不能再使用了。（×）15、晶闸管串联使用须采取“均压措施”。（√）16、为防止过电流，只须在晶闸管电路中接入快速熔断器即可。（×）17、快速熔断器必须与其它过电流保护措施同时使用。（√）18、晶闸管并联使用须采取“均压措施”。（×）22、在电路中接入单结晶体管时，若把b1、b2接反了，就会烧坏管子。（×）23、单结晶体管组成的触发电路也可以用在双向晶闸管电路中。（√）24、单结晶体管组成的触发电路输出的脉冲比较窄。（√）25、单结晶体管组成的触发电路不能很好地满足电感性或反电动势负载的要求。（√）1、在触发电路中采用脉冲变压器可保障人员和设备的安全。（√）2、为防止“关断过电压”损坏晶闸管，可在管子两端并接压敏电阻。（×）3、雷击过电压可以用RC吸收回路来抑制。（×）4、硒堆发生过电压击穿后就不能再使用了。（×）5、晶闸管串联使用须采取“均压措施”。（√）6、为防止过电流，只须在晶闸管电路中接入快速熔断器即可。（×）7、快速熔断器必须与其它过电流保护措施同时使用。（√）8、晶闸管并联使用须采取“均压措施”。（×）9、在电路中接入单结晶体管时，若把b1、b2接反了，就会烧坏管子。（×）10、单结晶体管组成的触发电路输出的脉冲比较窄。（√）11、单结晶体管组成的触发电路不能很好地满足电感性或反电动势负载的要求。（√）12、采用正弦波移相触发电路的可控整流电路工作稳定性较差。（√）13、正弦波移相触发电路不会受电网电压的影响。（×）14、对低电压大电流的负载供电，应该用带平衡电抗器的双反星型可控整流装置。（√）15、晶闸管触发电路与主电路的同步，主要是通过同步变压器的不同结线方式来实现的（√）16、晶闸管装置的容量愈大，对电网的影响就愈小。（×）2、双向晶闸管的额定电流是用有效值来表示的。（√）3、普通单向晶闸管不能进行交流调压。（×）3、双向触发二极管中电流也只能单方向流动。（×）4、单结晶体管组成的触发电路也可以用在双向晶闸管电路中。（√）5、两只反并联的50A的普通晶闸管可以用一只额定电流为100A的双向晶闸管来替代。（×）1、大功率晶体管的放大倍数β都比较低。（√）2、工作温度升高，会导致GTR的寿命减短。（√）3、使用大功率晶体管时，必须要注意“二次击穿”问题。（√）4、同一支可关断晶闸管的门极开通电流和关断电流是一样大的。（×）5、电力晶体管的外部电极也是：集电极、基极和发射极。（√）6、实际使用电力晶体管时，必须要有电压电流缓冲保护措施。（√）7、同一支可关断晶闸管的门极开通电流比关断电流大。（×）8、电力场效应晶体管属于电流型控制元件。（×）9、绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。（√）1、把交流电变成直流电的过程称为